小窓モード


プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > ふじちょういちじょう1ちょうめの解説 

ふじちょういちじょう1ちょうめの英語

ピン留め

追加できません

(登録数上限)

単語を追加

日英固有名詞辞典での「ふじちょういちじょう1ちょうめ」の英訳

ふじちょういちじょう1ちょうめ

地名

英語 Fujichoichijo 1-chome

ふじ一条1丁目


「ふじちょういちじょう1ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 147



例文

すなわち、浮上面位置Pにおけるサイドギャップ長gl(1)よりも、素子高さ位置P2におけるサイドギャップ長gl(2)が小さくなっている(gl(1)>gl(2))。例文帳に追加

That is, the side gap length g1(2) at an element height position P2 is smaller than the side gap length g1 (1) in the floating plane position P1 (g1(1)>g1(2)). - 特許庁

磁気浮上式の移動体であって、酸化物超電導体を用い、移動体を浮上させるために磁界を発生させる超電導コイル2と、超電導コイル2に電流を供給する電源部材4とを備える。例文帳に追加

This moving object 1 is of the magnetic levitation system utilizing an oxide superconductor and provided with superconducting coils 2 that generate magnetic field for levitating the moving object 1 and a power supply 4 that supplies currents to the coils 2. - 特許庁

フィルム貼付装置は貼付ヘッド3を有し、貼付ヘッド3の表面3aと対向するように、貼付定盤5が設けられている。例文帳に追加

The film pasting device 1 comprises a pasting head 3, a pasting surface plate 15 opposed to a surface 3a of the pasting head 3, and a pasting roller 21 opposed to the pasting surface plate 15. - 特許庁

窒化物半導体単結晶基板は、AlNの組成と、×0^17cm^-3以下の全不純物密度と、350〜780nmの全波長範囲における50cm^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。例文帳に追加

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of AlN, a total impurity density of not more than10^17 cm^-3, and an absorption coefficient of not more than 50 cm^-1 in the full wavelength range from 350 to 780 nm. - 特許庁

『明治元年所謂「東北朝廷」成立に関する一考察」藤井徳行(『近代日本史の新研究1』所収、学文社、1981年)例文帳に追加

"Consideration for establishment of so-called 'Tohoku Chotei (the Tohoku Court) in 1868", Noriyuki FUJII (included in 'New Study of Modern Japanese History 1', Gakubunsha, 1981)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

基板上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてAlを用い、前記ZnTeの成長条件の最適化を行うことによって、×0^17cm^-3以上の高濃度n型ZnTe層2の成長を行う。例文帳に追加

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁

例文

本発明のツェナーダイオード用ウェハー5は、不純物がドーナツ状に分布したウェハー上にエピタキシャル層4を成長させている。例文帳に追加

The wafer 5 for a Zener diode is formed by growing an epitaxial layer 4 on a wafer 1 wherein impurities are distributed as a doughnut. - 特許庁

>>例文の一覧を見る


調べた例文を記録して、 効率よく覚えましょう
Weblio会員登録無料で登録できます!
  • 履歴機能
    履歴機能
    過去に調べた
    単語を確認!
  • 語彙力診断
    語彙力診断
    診断回数が
    増える!
  • マイ単語帳
    マイ単語帳
    便利な
    学習機能付き!
  • マイ例文帳
    マイ例文帳
    文章で
    単語を理解!
  • その他にも便利な機能が満載!
Weblio会員登録(無料)はこちらから

「ふじちょういちじょう1ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 147



例文

光学素材を貼り付けた貼付皿3に、光学素材の被加工面aの外径よりも小さな径を有して軸方向に延びるように貼付軸部3dを形成して工具4との干渉を防止する。例文帳に追加

A bonding axis part 3d extending in the axial direction with a smaller diameter than the outer diameter of the processed surface 1a of the optical material 1 is formed on the bonded plate 3 to which the optical material 1 is bonded to prevent interference with the tool 4. - 特許庁

活性層を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層より上部に位置するn型電流ブロック層3を選択成長させる際に、n型不純物とII族p型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。例文帳に追加

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing. - 特許庁

質量%で、Si:0.超〜5%、Al:〜20%、残部が亜鉛及び不可避不純物からなる溶融亜鉛めっき用合金。例文帳に追加

This alloy hot dip galvanizing has a composition containing, by mass, >0.1 to 5% Si and 1 to 20% Al, and the balance zinc with inevitable impurities. - 特許庁

また、磁気ヘッド・スライダの一部を加熱して熱膨張、突出させ、浮上量を調整するための発熱抵抗体が基板部分aと磁気再生素子2bとの間に形成されている。例文帳に追加

A heat generation resistor 11 for adjusting a floating amount by heating a part of the magnetic head slider 1 to thermally expand and to project is formed between a substrate 1a and the magnetic reproducing element 2b. - 特許庁

水面に浮上せしめるために内部に空洞部Aが形成されたポンツーンについて、前記空洞部Aの内圧を調節する圧力調節手段20,22を備える。例文帳に追加

The pontoon 1 forming a hollow section 1A inside thereof for floating the pontoon on the surface of the water is equipped with pressure adjusting means 20 and 22 for adjusting the internal pressure of the hollow section A. - 特許庁

地震時において、張出し体延長領域2Bを浮上抑制体3に接触させることで、浮上抑制体3の重量及び浮上抑制体上の埋め戻し土の重量によって、マンホールの浮き上がりを抑止する。例文帳に追加

On the occurrence of an earthquake, the overhanging body extension area 2B is allowed to come in contact with the lift preventer 3, at which the weight of the lift preventer 3 and of backfill soil on the lift preventer 3 prevents the manhole 1 from lifting. - 特許庁

本発明の液相成長装置は、反応管3と、不純物を含むプロセスガスGを成長反応室9内に流出させるガス供給部2と、プロセスガスGの成長反応室9内における流量を規制する通口0が形成されているバッフル4とを有する。例文帳に追加

A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9. - 特許庁

例文

その駆動源により、取付けた回転体2を低速回転させ、界面張力及び表面張力を応用し、水面上に浮かぶ浮遊物及び水分子間の不純物を浮遊物回収槽本体に導き、回収する。例文帳に追加

An installed rotary body 2 is rotated at a low speed by its driving source, and suspended matter floating on the water surface and an impurity between water molecules are introduced and recovered to the suspended matter recovery tank body 1 by applying the interfacial tension and surface tension. - 特許庁

>>例文の一覧を見る

1
Fujichoichijo 1-chome 日英固有名詞辞典

2
ふじ町一条1丁目 日英固有名詞辞典

ふじちょういちじょう1ちょうめのページの著作権
英和・和英辞典 情報提供元は 参加元一覧 にて確認できます。

   
日中韓辭典研究所日中韓辭典研究所
Copyright © 2024 CJKI. All Rights Reserved

ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。

こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

このモジュールを今後表示しない
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
無料会員登録をすると、
単語の閲覧履歴を
確認できます。
無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS