ふじちょういちじょう３ちょうめの英語

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。例文帳に追加

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁

上記の方法により製造され、不純物として１×１０^20ｃｍ^-3のＡｌおよび２×１０^18〜７×１０^18ｃｍ^-3のＮを含有することを特徴とするｐ型ＳｉＣ半導体単結晶。例文帳に追加

A p-SiC semiconductor single crystal containing as impurities 1×10^20 cm^-3 Al and 2×10^18 to 7×10^18 cm^-3 N is also provided. - 特許庁

窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。例文帳に追加

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of AlN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, and an absorption coefficient of not more than 50 cm^-1 in the full wavelength range from 350 to 780 nm. - 特許庁

浅緑-道長の娘藤原威子が後一条天皇の中宮となり一家から3人の后が並びたつ。例文帳に追加

Pale Blue: As Michinaga's daughter FUJIWARA no Ishi becomes the Empress of Emperor Go-Ichijo, there are simultaneously three empresses from one family.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明の膨張黒鉛シートの使用方法は、外壁と内壁の間に、かさ密度０．７〜１．３ｇ／ｃｍ^３、厚み０．２〜１．０ｍｍ、不純物含有量１０ｐｐｍ以下の膨張黒鉛シートを挟んで用いるものである。例文帳に追加

The method of using an expanded graphite sheet comprises using an expanded graphite sheet having a bulk density of 0.7-1.3 g/cm^3, a thickness of 0.2-1.0 mm, and an impurity content of 10 ppm or smaller by interposing the sheet between an outer wall and an inner wall. - 特許庁

窒化物半導体単結晶基板は、ＧａＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、１．２ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と、２０ｃｍ^2以上の面積をと有することを特徴としている。例文帳に追加

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of GaN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, fracture toughness of not less than 1.2 MPa m^1/2, and an area of not less than 20 cm^2. - 特許庁

本発明の液相成長装置１は、反応管３と、不純物を含むプロセスガスＧを成長反応室９内に流出させるガス供給部２と、プロセスガスＧの成長反応室９内における流量を規制する通口１０が形成されているバッフル４とを有する。例文帳に追加

A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9. - 特許庁

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。例文帳に追加

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350. - 特許庁