「ふじちょういちじょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

地震時において、張出し体延長領域２Ｂを浮上抑制体３に接触させることで、浮上抑制体３の重量及び浮上抑制体上の埋め戻し土の重量によって、マンホール１の浮き上がりを抑止する。例文帳に追加

On the occurrence of an earthquake, the overhanging body extension area 2B is allowed to come in contact with the lift preventer 3, at which the weight of the lift preventer 3 and of backfill soil on the lift preventer 3 prevents the manhole 1 from lifting. - 特許庁

同年11月3日には、婦人参政権獲得を目的とし、「新日本婦人同盟」（会長市川房枝、後に日本婦人有権者同盟と改称）が創立され、婦人参政権運動を再開している。例文帳に追加

On November 3 of that year, the 'New Japan Women's League' (with Fusae ICHIKAWA as chairwoman; it was later renamed the Women's Suffrage League of Japan), dedicated to winning women's suffrage, was founded to revive the women's suffrage movement.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。例文帳に追加

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁

上記の方法により製造され、不純物として１×１０^20ｃｍ^-3のＡｌおよび２×１０^18〜７×１０^18ｃｍ^-3のＮを含有することを特徴とするｐ型ＳｉＣ半導体単結晶。例文帳に追加

A p-SiC semiconductor single crystal containing as impurities 1×10^20 cm^-3 Al and 2×10^18 to 7×10^18 cm^-3 N is also provided. - 特許庁

窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。例文帳に追加

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of AlN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, and an absorption coefficient of not more than 50 cm^-1 in the full wavelength range from 350 to 780 nm. - 特許庁

浅緑-道長の娘藤原威子が後一条天皇の中宮となり一家から3人の后が並びたつ。例文帳に追加

Pale Blue: As Michinaga's daughter FUJIWARA no Ishi becomes the Empress of Emperor Go-Ichijo, there are simultaneously three empresses from one family.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明の膨張黒鉛シートの使用方法は、外壁と内壁の間に、かさ密度０．７〜１．３ｇ／ｃｍ^３、厚み０．２〜１．０ｍｍ、不純物含有量１０ｐｐｍ以下の膨張黒鉛シートを挟んで用いるものである。例文帳に追加

The method of using an expanded graphite sheet comprises using an expanded graphite sheet having a bulk density of 0.7-1.3 g/cm^3, a thickness of 0.2-1.0 mm, and an impurity content of 10 ppm or smaller by interposing the sheet between an outer wall and an inner wall. - 特許庁

窒化物半導体単結晶基板は、ＧａＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、１．２ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と、２０ｃｍ^2以上の面積をと有することを特徴としている。例文帳に追加

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of GaN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, fracture toughness of not less than 1.2 MPa m^1/2, and an area of not less than 20 cm^2. - 特許庁

本発明の液相成長装置１は、反応管３と、不純物を含むプロセスガスＧを成長反応室９内に流出させるガス供給部２と、プロセスガスＧの成長反応室９内における流量を規制する通口１０が形成されているバッフル４とを有する。例文帳に追加

A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9. - 特許庁

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。例文帳に追加

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350. - 特許庁

活性層１を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層１より上部に位置するｎ型電流ブロック層３を選択成長させる際に、ｎ型不純物とＩＩ族ｐ型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。例文帳に追加

A layer for burying a mesa structure including an active layer 1 is grown in an atmosphere simultaneously containing n- and II-family p-type impurities when an n-type current block layer 3 positioned at the upper part of the active layer 1 is selected for growing. - 特許庁

光学素材１を貼り付けた貼付皿３に、光学素材１の被加工面１ａの外径よりも小さな径を有して軸方向に延びるように貼付軸部３ｄを形成して工具４との干渉を防止する。例文帳に追加

A bonding axis part 3d extending in the axial direction with a smaller diameter than the outer diameter of the processed surface 1a of the optical material 1 is formed on the bonded plate 3 to which the optical material 1 is bonded to prevent interference with the tool 4. - 特許庁

散乱板２０には保持固定部材２１が固定されており、散乱板２０の高さは、保持固定部材２１に螺入される高さ調整ネジ２５により、浮上ステージ３の上面３Ａの高さとほぼ一致するように調整される。例文帳に追加

A holding fixture member 21 is fixed at the scattering plate 20, and height of the scattering plate 20 can be adjusted so as to match nearly with the height of the top face 3A of floating stage 3, by a level-adjusting screw 25 screwed into the holding fixture member 21. - 特許庁

超音波探触子中の強磁性体不純物が３×１０^-7ｍｏｌ／ｃｍ^3以下であり、漏洩電磁波フリーズ入力手段３１と、これによって超音波撮像装置のデジタル制御部と探触子の信号線及びグランド線を切り離すスイッチ３２を備える。例文帳に追加

The subject device has the ultrasonic search unit containing ferromagnetic impurity not higher than 3×10^-7 mol/cm^3 and is equipped with a leakage electromagnetic wave freeze inputting means 31 and a switch 32 which cuts off a digital control part of the ultrasonic imaging device from a signal line and a ground line of the search unit. - 特許庁

受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。例文帳に追加

The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2. - 特許庁

超電導磁気浮上式鉄道の表面保護層付地上コイル装置において、表面保護層内に配置される非金属材料からなる保護板３上の複数の箇所に導電性円板４を配置する。例文帳に追加

In the ground coil device with the surface protective layer of the superconducting magnetically levitated railroad, a conductive disc 4 is disposed at a plurality of positions on the protective plate 3, made of a nonmetal material which is arranged inside the surface protective layer. - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の表面及び酸化膜層に存在する金属不純物量が１．０×１０^11ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2 未満であり、密度が２．９ｇ／ｃｍ^3 で、且つ、体積抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

This silicon carbide sintered product has <1.0×1011 atoms/cm2 metallic impurities quantity existing on its surface and in its oxide film, ≥2.9 g/cm3 density and ≤1.0 Ω.cm volume resistivity. - 特許庁

本発明のカーボンルツボの中敷は、かさ密度が０．７〜１．３ｇ/ｃｍ^３及び厚みが０．２〜１．０ｍｍの膨張黒鉛シートを所望する形状に加工した後に、高純度化処理して、不純物含有量を５ｐｐｍ以下にした高純度膨張黒鉛シートを用いたものである。例文帳に追加

The lining for the carbon crucible uses the high purity expanded graphite sheet obtained by working an expanded graphite sheet having 0.7-1.3 g/cm^3 bulk density and 0.2-1.0 mm thickness into a prescribed shape and treating to have high purity to make the content of impurities ≤5 ppm. - 特許庁

紫外線吸収剤を含む平滑な樹脂フィルム１０を、未加硫タイヤのサイド部の外表面に貼付し、該樹脂フィルムの貼付状態で前記未加硫タイヤを加硫成形することにより、タイヤサイド部３の外表面に前記樹脂フィルム１０を剥離可能に設けた空気入りタイヤＴ１である。例文帳に追加

This pneumatic tire T1 is manufactured by sticking a smooth resin-made film 10 including ultraviolet ray absorbent to an outer surface of the side part of an unvulcanized tire, molding the unvulcanized tire by vulcanizing while the resin-made film is stuck, and providing the resin-made film 10 on the outer surface of the tire side part 3 to release it. - 特許庁

そして、筒状容器１２の傾斜角度に応じて、頭頂部に設けた開口１３をクーラント２の液面に浸漬させ、筒状容器１２の内部へと、適量の浮上油３を流入させる。例文帳に追加

The opening 13 provided to a crown part is immersed in the coolant 2 from the liquid surface thereof corresponding to the angle of inclination of the container 12 and a proper amount of floating oil 3 is allowed to flow in the container 12. - 特許庁

本発明の可撓性を有し且つ高純度の膨張黒鉛シートは、かさ密度が０．７〜１．３ｇ／ｃｍ^３、厚み０．２〜１．０ｍｍの膨張黒鉛シートを不純物含有量が５ｐｐｍ以下になるように高純度化処理する方法によって得られ、カーボンルツボの中敷に使用することができる。例文帳に追加

The flexible, high purity expanded graphite sheet of the invention is obtained by highly purifying treatment of an expanded graphite sheet having a bulk density of 0.7-1.3 g/cm^3 and a thickness of 0.2-1.0 mm so that the graphite sheet has an impurity content of 5 ppm or less, and can be used for a carbon crucible lining. - 特許庁

ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶１を成長させた後、III族窒化物結晶１の表面層２の全部または一部を除去してｐ型III族窒化物半導体３を作製する。例文帳に追加

After a group III nitride crystal 1 containing at least both a p-type impurity and hydrogen is grown, a surface layer 2 is removed entirely or partially from the group III nitride crystal 1 to produce a p-type group III nitride semiconductor 3. - 特許庁

本発明の可撓性を有し且つ高純度の膨張黒鉛シートは、かさ密度が０．７〜１．３ｇ／ｃｍ^３、厚み０．２〜１．０ｍｍの膨張黒鉛シートを不純物含有量が５ｐｐｍ以下になるように高純度化処理して得られ、カーボンルツボの中敷に使用することができる。例文帳に追加

The flexible high-purity expanded graphite sheet can be obtained by subjecting an expanded graphite sheet having a bulk density of 0.7-1.3 g/cm^3 and a thickness of 0.2-1.0 mm to purification treatment to an impurity content of 5 ppm or lower and can be used as a carbon crucible lining. - 特許庁

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。例文帳に追加

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed. - 特許庁

表面粗さの異なる２種以上の樹脂フィルム１０を、未加硫タイヤＧＴ１のサイド部３の外表面に貼付し、該樹脂フィルム１０の貼付状態で前記未加硫タイヤＧＴ１を加硫成形することにより、タイヤサイド部３の外表面に前記樹脂フィルム１０を剥離可能に設けた空気入りタイヤＴ１である。例文帳に追加

This pneumatic tire T1 is manufactured by sticking two kinds of resin-made films 10 being different in surface roughness or more to the outer surface of the side part 3 of an unvulcanized tire GT1, molding the unvulcanized tire GT1 by vulcanizing while the resin-made films 10 are stuck, and providing the resin films 10 on the outer surface of the tire side part 3. - 特許庁

高いヒール３を備えたミュール、パンプス、ブーツ等のハイヒール婦人靴において、ヒール３の後面の上方位置に装着する複数の装飾品７、８を、着脱自在且つ取替自在としたことを特徴する。例文帳に追加

In a women's shoe with a high heel 3 such as a mule, a pump, and a boot, a plurality of ornaments 7 and 8 put on the upper position of the rear side of the heel 3 are made detachable and replaceable. - 特許庁

空気調和機は、正負両イオンを発生するためのイオン発生素子１２と、床面に向かって正負両イオンを噴出するためのイオン噴出手段および床面に落ちている抗原性物質を浮上させるための浮上手段として、送風ファン３および横ルーバ１４を備える。例文帳に追加

This air conditioner is provided with an ion generating element 12 for generating both positive and negative ions, and a blower fan 3 and a horizontal louver 14 serving as an ion jetting means for jetting both positive and negative ions toward the floor face and as a floating means for floating the antigenic substance fallen on the floor. - 特許庁

その後、一時期頼通の娘・藤原寛子（後冷泉天皇皇后）に譲られたものの、康平3年（1060年）頃より以後の摂関家の大饗や藤氏長者就任の儀式、立太子や立后、元服など、摂関家及び皇室の重要行事はここで行われる慣例が形成され、所有者も藤原師通以後は代々藤氏長者（＝摂関家当主）の所有と定められた。例文帳に追加

After that, its ownership was transferred for a while to FUJIWARA no Kanshi (the Empress of the Emperor Goreizei), his daughter, but around 1060, it became customary that important events of imperial families and sekkan-ke (the top family in the govermental hierarchy), such as big banquets by sekkan-ke, the ceremony of assuming the position of Toshi Choja (the chief of the Fujiwara clan), the ceremonies of instituting a crown prince and an empress and coming-of-age ceremonies, were held here, and therefore, it was decided after the era of FUJIWARA no Moromichi that the place would be owned by Toshi Choja (the chief of the sekkan-ke) in each generation.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

炭化珪素半導体装置１の製造方法は、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程と、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域３中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。例文帳に追加

Fabrication process of the silicon carbide semiconductor device 1 comprises a step for forming a trench 11 in the major surface 2b of the epitaxial growth layer 2, a step for forming the silicon carbide semiconductor region 3 selectively in the trench 11 by epitaxial growth, and a step performing heat treatment for activating impurities in the silicon carbide semiconductor region 3. - 特許庁

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０^16から１×１０^20ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。例文帳に追加

This hexagonal boron nitride structure includes an insulating substrate 11 and a single crystal hexagonal boron nitride 12 formed on the insulating substrate and contains silicon, magnesium, beryllium or sulfur as an impurity with its doping concentration in the range from 1×10^16 to 1×10^20 cm^-3. - 特許庁

本ロボット１のハンド２においては、ガラス基板３に向けて空気を供給しガラス基板３を浮上させるフォーク２２に配置された空気穴６と、ガラス基板３の位置決めを行う左右のフォーク２３に配置された爪１９と、ガラス基板３をハンド２上に固定する為の左右のフォーク２３に配置された滑り止め部５及び／又は吸着パッド４と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The hand 2 of a robot 1 has air holes 6 disposed in forks 22 for supplying air toward the glass substrate 3 to lift the glass substrate 3; claws 19 arranged at right and left forks 23 for positioning the glass substrate 3; non-slip parts 5 and/or suction pads 4 arranged at the right and left forks 23 to fix the glass substrate 3 on the hand 2. - 特許庁

埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。例文帳に追加

The embedded layer 15 is made of a non-doped semiconductor material, a p-type semiconductor material with lower p-type impurity concentration than the p-type semiconductor layer 5 or an n-type semiconductor material with n-type impurity concentration of 1×10^17 cm^-3 or less. - 特許庁

この発明は、フレーム１のスルーホール３の開口端３に予めフラックス４を塗布し、半田ボール９を半田ボール移載機７によってフラックス塗布状態のスルーホール３に移載することを特徴とするBGA型半導体の端子形成方法を提供せんとするものである。例文帳に追加

The method for forming the terminal of a BGA type semiconductor comprises the steps for coating the open end 3 of a through-hole 3 in a frame 1 in advance with flux 4, and transferring a solder ball 9 to the through- hole 3, coated with flax by means of a solder ball transfer machine 7. - 特許庁

基板上にｎ型不純物を含有する酸化亜鉛を製膜してなり、該酸化亜鉛が、膜厚１〜４μｍ、且つ表面抵抗０．４〜３Ω／□であり、周波数３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける電磁波遮蔽性がマイナス３０ｄＢ以下であることを特徴とする透明電磁遮蔽膜である。例文帳に追加

The transparent electromagnetic shielding film has a zinc oxide film containing n-type impurities formed on a substrate and the zinc oxide film has a 1 to 4 μm film thickness and a 0.4 to 3 Ω/square surface resistance and also has an electromagnetic shielding performance of minus 30 dB or lower in a frequency range of 300 MHz to 3 GHz. - 特許庁

網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第１の不純物濃度を有する半導体からなる支持体２１と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度を有する半導体層３と、前記半導体層３に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device is equipped with a support 21, which has two or more recesses formed through reticulate projections provided on its rear side and is formed of semiconductor having first impurity concentration, a semiconductor layer 3 which is formed on the surface of the support 21 opposite to its rear side and has a second impurity concentration lower than the first impurity concentration, and a semiconductor element formed on the semiconductor layer 3. - 特許庁

半導体基板１の一方の表面上に絶縁膜３を介して多結晶シリコン層５を形成した後、不純物元素の拡散を調整する不純物元素を含まない第１の酸化膜６を形成し、次いで、不純物元素を含む第２の酸化膜７を形成したことを特徴とする多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。例文帳に追加

After the polycrystalline silicon layer 5 is formed via an insulation film 3 on one surface of a semiconductor substrate 1, a first oxide film 6, which does not comprise an impurity element adjusting the diffusion of an impurity element, is formed and then a second oxide film 7 comprising an impurity element is formed. - 特許庁

黒鉛粒子および触媒金属等の不純物の混入を抑制するとともに、安定して再現性よく基板から１０ｍｍ以上の高さに成長し、かつ０．０８ｇ／ｃｍ^3以上の嵩密度を有するＣＮＦ集合体の安定した製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a stable method for producing a CNF (carbon nanofiber) aggregate suppressing a mixture of impurities such as graphite particles and catalyst metal, stably growing up to a height equal to or more than 10 mm from a substrate, with excellent reproducibility, and having a bulk density equal to or more than 0.08 g/cm^3. - 特許庁

次に、開リミットスイッチＬＳ２がオフ状態からオン状態に変化するまで駆動軸を開方向へ動作させ（矢印（３））、その時のポテンショメータの出力値を第２の調整値として記憶する。例文帳に追加

Then, the driving shaft is operated in the opening direction until a closed limit switch LS2 is changed from an OFF-state into an ON-state (Arrowmark 3), and an output value for the potentiometer at this time is stored as a second adjusted value. - 特許庁

鐘の表面に鋳出された長文の銘文は、文人の橘広相（たちばなのひろみ）が詞を、菅原是善（道真の父）が銘を作り、歌人で能書家でもあった藤原敏行が字を書いたもので、当代一流の文化人3人が関わっていることから、古来「三絶の鐘」と称されている。例文帳に追加

This bell has long been referred to as 'Sanzetsu no Kane' (lit. Bell of Three Crafts) as the long inscription cast on the bell consolidates the work of 3 major cultural figures, with the words being those of author TACHIBANA no Hiromi inscribed by SUGAWARA no Koreyoshi (father of Michizane) and written by poet and calligrapher SUGAWARA no Toshiyuki.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その象徴が永祚(日本)元年（989年）3月に予定されていた一条天皇の春日大社（藤原氏の氏社）行幸が、陰陽頭賀茂光栄の勘文を受けた円融法皇の命令で延期の宣旨が出された。例文帳に追加

The case of the imperial visit of the Emperor Ichijo to Kasuga-taisha Shrine (guardian god of the Fujiwara clan) planned for March 989 was symbolic to such situations where a senji to postpone the imperial visit was issued based on the order by the Cloistered Emperor Enyu, who received a kanmon (report) from Onmyo no kami (the head of Onmyoryo, or Bureau of Divination), KAMO no Mitsuyoshi.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。例文帳に追加

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1. - 特許庁

ソース領域７の下部に表面シリコン層３と同じ導電型で不純物濃度の高いリークストッパ層１３を形成することを特徴とする半導体装置およびその製造方法を使用する。例文帳に追加

In this semiconductor device and its manufacturing method, a leakage blocking layer 13 which has the same conductivity as the surface silicon layer 3 and high impurity concentration is formed below a source region 7. - 特許庁

かかる焼結体の中でも、不純物量が１０００ｐｐｍ以下である焼結体、波長０．５μｍ〜１μｍの光線による直線透過率が７５％以上である焼結体、３点曲げ強度が８００ＭＰａ以上である焼結体、またはビッカース硬度が１９ＧＰａ以上である焼結体が好ましい。例文帳に追加

A sintered compact having ≤1,000 ppm impurities, a sintered compact having ≥75% linear transmittance in 0.5-1 μm wave length, a sintered compact having ≥800 MPa 3 point bending strength or a sintered compact having ≥19 GPa Vickers hardness is preferable in the sintered compact. - 特許庁

半導体基板ＳＢの主面上には転送ゲート電極３および１３が間隔を開けて配設され、転送ゲート電極３のゲート長方向の側面外方のＰ型ウエル領域１の表面内には、表面不純物領域７が配設され、表面不純物領域７よりも深くＰＤ領域６が配設されている。例文帳に追加

Transfer gate electrodes 3, 13 are disposed on the principal surface of a semiconductor substrate SB spaced apart from each other, and a surface impurity region 7 is disposed in the surface of a p-type well region 1 located on the outer surface of the transfer gate electrode 3 in the direction of the gate length thereof, and further a PD region 6 is disposed deeper than the surface impurity region 7. - 特許庁

質量％でＣ：０．１〜０．３％、Ｓｉ：０．０１〜０．４％、Ｍｎ：０．６〜３％、Ａｌ：０．０１〜０．１％を含有し、残部が鉄及び不可避的不純物である鋼の表面にＡｌを主成分とする金属被覆を有することを特徴とする自動車排気系用Ａｌ系めっき鋼板。例文帳に追加

The Al-based plated steel sheet is obtained by providing the surface of steel comprising, by mass, 0.1 to 0.3% C, 0.01 to 0.4% Si, 0.6 to 3% Mn and 0.01 to 0.1% Al, and the balance iron with inevitable impurities with a metal coating essentially consisting of Al. - 特許庁