ゲート直下の英語

シリコン基板１に形成されるトレンチ１ａはゲート電極２のエミッタエリア部２ａの直下のみならずゲート配線部２ｂの直下とボンディングパッド部２ｃの直下にも形成される。例文帳に追加

The trenches 1a formed in the silicon substrate 1 are formed not only just under the emitter area part 2a of the gate electrode 2 but also just under the gate wiring part 2b and just under the bonding pad part 2c. - 特許庁

ゲート間絶縁層１０直下のフローティングゲート８の幅がゲート間絶縁層１０直上のコントロールゲート１１の幅よりも小さい。例文帳に追加

The width of the floating gate 8 right below the gate-to-gate insulating layer 10 is narrower than that of the control gate 11 right above the gate-to-gate insulating layer 10. - 特許庁

サージによる降伏電流がゲート電極直下を流れないようにしてサージ耐量を改善した絶縁ゲート型半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an insulating gate-type semiconductor device where surge quantity resistance is improved so that yield current by surge do not flow just below a gate electrode. - 特許庁

ダミーゲート電極を除去して、ダミーゲート電極の直下に拡散したエクステンション領域９ａ、９ｂの部分を除去する。例文帳に追加

The dummy electrode is removed and a part of the extension regions 9a and 9b which are dispersed directly under the dummy gate electrode is removed. - 特許庁

特に、電荷増倍領域３５は、ゲート酸化膜３９を挟んで、増倍ゲート電極４１の直下に形成されている。例文帳に追加

In particular, the charge multiplication region 35 is formed immediately below the multiplication gate electrode 41 across the gate oxide film 39. - 特許庁

Ｎソース層７及びＰ^＋ボディ層８は、トレンチゲート４０により分断され、トレンチゲート４０直下には設けられていない。例文帳に追加

The N source layers 7 and the P+ body layers 8 are split by the trench gates 40, and not formed immediately under the trench gates 40. - 特許庁

ゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下での電界集中を緩和するために、ドリフト領域とｐ型チャネル領域３の間にゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下を含む近傍に、ｎ^- 型領域１０を形成し、ゲート酸化膜１１直下での空乏化を早める。例文帳に追加

An n--type region 10 is formed near an area comprising a place immediately below a boundary between a gate oxide film 11 and a second gate oxide film 14a between a drift region and a p-type channel region 3 for relaxing field concentration immediately below a boundary between the gate oxide film 11 and the second gate oxide film 14a and depletion immediately below the gate oxide film 11 is accelerated. - 特許庁

その後、第二の熱処理によりフッ素イオンをゲート電極直下の領域に拡散させる。例文帳に追加

Thereafter, fluorine ions are diffused into a region under a gate electrode by a second thermal treatment. - 特許庁