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サージ順電流の英語
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英訳・英語 surge forward current
「サージ順電流」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
ガードリングを有するSiCショットキーダイオードにおいて、順サージ電流耐量を向上させるための電極構造と形成方法を与える.例文帳に追加
To provide an electrode structure for an SiC Schottky diode having a guard ring for improving a forward surge breakdown voltage and its manufacturing method. - 特許庁
本発明の実施形態は、サージ耐量が高く、順方向の電流密度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having high surge resistance and allowing improvement of forward current density. - 特許庁
LEDは過大電流、逆電圧、静電気、サージ電流、熱などに弱い上に順電圧(Vf)に個体差がありばらつきも大きいという回路設計上の制約を抱えている。例文帳に追加
To solve a problem wherein an LED has weak points on excessive current, reverse voltage, static electricity, surge current, and heat, and has restrictions on a circuit design such as individual differences and a wide range of variations in forward voltage (Vf). - 特許庁
順方向サージ耐圧と順方向降下電圧VFとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流IRが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。例文帳に追加
To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR. - 特許庁
逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high. - 特許庁
比較的短いプロセスで、順電圧(VF)特性や尖頭サージ電流(IFS)特性の劣化のない半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for manufacturing the semiconductor device having no deterioration of forward voltage (VF) characteristics and peak surge current (IFS) characteristics in a comparatively short process. - 特許庁
コンバータダイオード等において、順電圧VFを低く保ったまま、逆回復電流の減衰率di/dtに対する耐量を雷サージに耐え得る程度に十分に高くすること。例文帳に追加
To sufficently enhance resistance enough to withstand lightning surge against the damping factor di/dt of reverse recovery current in a converter diode or the like while forward voltage VF is being kept low. - 特許庁
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「サージ順電流」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
ワイドギャップ半導体からなる半導体素子を用いた半導体装置において、簡単な構成で定格サージ順電流を大きくできる半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which uses a semiconductor element made of a wide-gap semiconductor, in which a rated surge forward current can be increased with a simple structure. - 特許庁
コンバータダイオード等において、順電圧VFを低く保ったまま、逆回復電流の減衰率di/dtに対する耐量を雷サージに耐え得る程度に十分に高くすること。例文帳に追加
To sufficiently increase capability of an attenuation factor di/dt of a reverse recovery current to a degree capable of withstanding a lightning surge with keeping a forward voltage VF low in a converter diode and the like. - 特許庁
LEDは過大電流、逆電圧、静電気、サージ電流、熱などに弱い上に順電圧(Vf)に個体差がありばらつきも大きいという回路設計上の制約を解決し、安価でかつ電力効率が高く長寿命なLED照明回路を提供する。例文帳に追加
To provide an LED lighting circuit which can solve circuit design restriction that an LED is susceptible to an excessive current, a reverse voltage, static electricity, a surge current, heat and the like and a forward voltage (Vf) has an individual difference with large deviations, and which is inexpensive and highly efficient in power with a long life. - 特許庁
SOI構造を有する半導体装置において、大電流を流すことのできるPN接合ダイオードを提供し、さらに入出力端子に設けた保護回路にサージ電圧が印加された際に、ダイオードが順方向動作のみを行い、素子の劣化を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having an SOI structure capable of preventing the deterioration of elements by providing pn junction diode with large currents applicable thereto, and making a diode perform only a forward operation when a surge voltage is impressed to protecting circuits arranged at input/output terminals. - 特許庁
入出力パッドI/Oに接地端子GNDに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドI/OからP^+拡散層PD1−NウェルNW1の順方向ダイオードを経由してNチャネルMOSトランジスタNMOSのブレークダウン電流Itrigが流れる。例文帳に追加
When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1. - 特許庁
逆流阻止用ダイオード6の逆回復電流を低減するためのインダクタにより、スイッチ素子3のオフ時に発生するサージエネルギーを、スイッチ素子3に並列接続されたキャリアライフタイムの長い電荷蓄積型ダイオード9の順方向導通を通してコンデンサ10に一旦蓄え、その逆方向導通期間に前記サージエネルギーを負荷に戻すことを特徴とする力率改善型電源回路。例文帳に追加
This power factor improving power supply circuit once stores surge energy generated at a switch element 3 off time in a capacitor 10 through the forward conduction of a charge storage type diode 9 having a long carrier lifetime, connected in parallel with the switch element 3 by an inductor for reducing the reverse recovery current of the reverse-current blocking diode 6, and returns the surge energy to a load during its reverse conduction period. - 特許庁
本発明によれば、ガードリング4を有するSiCショットキーダイオードにおいて、ガードリング4に電気的接続をとる第2の電極層6としてショットキー電極層5とは別の材料を用いることによって、ガードリング4に対するオーミック性を確保することにより、整流性能を劣化させることなく、順サージ電流に対する耐量を向上させることができ、信頼性の高いSiCショットキーダイオードを得ることができる。例文帳に追加
This SiC Schottky diode is equipped with a guard ring 4, and a second electrode layer 6 electrically connected to the guard ring 4 and formed of a material different from that of the Schottky electrode layer 5 so as to secure an ohmic contact with the guard ring 4, so that the forward surge breakdown voltage of the SiC Schottky diode is increased without deteriorating its rectifying performance and the reliability is improved. - 特許庁
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