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スパッタレートの英語
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英訳・英語 sputter rate
「スパッタレート」を含む例文一覧
該当件数 : 21件
異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide an indium target capable of achieving a high sputtering rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and to provide a method for production thereof. - 特許庁
異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを達成することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide an indium target capable of achieving a high sputtering rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and to provide a method for production thereof. - 特許庁
ターゲット5のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第1のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第2のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。例文帳に追加
The scan film deposition is carried out while the gas flow rate of the first gas with a low sputtering rate is always increased, and the gas flow rate of the second gas with a high sputtering rate is always reduced correspondingly to the secular change of the target shape caused by the erosion of the target 5, thus a film thickness change is prevented. - 特許庁
第2上電極82の第2のスパッタレートが、第1上電極81の第1のスパッタレートと比較して小さいので、第2上電極82上に形成された保護膜100の一部をスパッタによって取り除く際に、第1上電極81のみからなる上電極80と比較して、第2上電極82がスパッタされにくく、第2上電極82の膜厚のバラツキを少なくできる。例文帳に追加
A second sputter rate of a second upper electrode 82 is smaller than a first sputter rate of a first upper electrode 81, so when a part of a protective film 100 formed on the second upper electrode 82 is removed by sputtering, the second upper electrode 82 is less sputtered than the upper electrode 80 composed of only the first upper electrode 81, thereby reducing variance in film thickness of the second upper electrode 82. - 特許庁
ターゲットの周縁領域に形成される絶縁膜の影響を受けずに、高いスパッタレートを維持したまま薄膜形成ができる反応性スパッタリング方法を提供する。例文帳に追加
To provide a reactive sputtering method capable of performing athin film formation while keeping a high sputter rate without being affected by an insulating film formed on the peripheral area of a target. - 特許庁
ここではAl層143の成膜は、ホール13のカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで短時間に達成する(図1(a))。例文帳に追加
In that case, deposition of an Al layer 143 is attained in a short time by sputtering power which gave priority to sputtering rate over coverage of the hole 13 (fig (a)). - 特許庁
スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度(スパッタレート)が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes. - 特許庁
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「スパッタレート」を含む例文一覧
該当件数 : 21件
シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加
To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate. - 特許庁
このスキャン成膜中に、スパッタガスとしてスパッタレートの異なる2種類のガスを用いて、2つのガスのガス流量を第1、第2のマスフローコントローラ4a、4bによってそれぞれ制御する。例文帳に追加
During the scan film deposition, using two kinds of gases with different sputtering rates as sputtering gases, the gas flow rates of the two gases are controlled by first and second mass flow controllers 4a, 4b, respectively. - 特許庁
高いPTFが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film which can obtain high PTF to improve a sputter rate, and can also eliminate the risk when handling the raw material powder, and to provide a method for manufacturing the sputtering target. - 特許庁
これにより、ターゲット32の表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。例文帳に追加
As a result, it is possible to reduce the deposit of an etching reactant on the surface of the target 32, quickly obtain the stable sputtering rate, and efficiently form a protective film, and the productivity is improve. - 特許庁
異常放電を防止してスパッタレートを安定させ、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、安定した金属酸化物の薄膜からメタル膜への遷移を防止すること。例文帳に追加
To stabilize a sputtering rate by preventing abnormal discharge, to suppress the formation of particles caused by abnormal discharge, and to prevent the transition of stable thin films of metal oxide into metal films. - 特許庁
被処理基板Sに、Li等を含有する高揮発性膜を形成する場合に、当該膜へのダメージを防止しつつ、高いスパッタレートが得られ、高い量産性が達成できるスパッタリング方法を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering method which can provide a high sputtering rate and achieve high mass-productivity when forming a film containing a highly volatile substance such as Li on a substrate S to be treated, while preventing the film from being damaged. - 特許庁
この構成により、試料4に対するイオンビームの入射角は一定となるので、スパッタ領域全域にわたってスパッタレートが一定となり、もってスパッタ領域全域にわたって試料表面からの深さ方向における高精度な組成分析を行うことが可能となる。例文帳に追加
By this constitution, the angle of incidence of the ion beam with reference to the sample 4 becomes constant, a sputtering rate becomes constant over the whole sputtering region, and the composition in the depth direction from the surface of the sample can be analyzed with high accuracy over the whole sputtering region. - 特許庁
保護膜に必要な(a)イオン衝突に強いこと(=低スパッタレート)、(b)二次電子放出度が高いこと(=低電圧特性であること)、(c)電荷を蓄積できる十分な絶縁性があること(=位相差の特性が良好なこと)、を具備するプラズマディスプレイパネル用保護膜を提供する。例文帳に追加
To provide a protective film for a plasma display panel, having such characteristics required for a protective film that (a) the film is strong against ion collisions (=a low sputter rate), (b) the film has a high secondary electron emission rate (=low voltage characteristics), and (c) the film has sufficient insulation properties to store charges (=excellent phase difference characteristics). - 特許庁
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