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ターンオン特性の英語
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英訳・英語 turn on characteristic
「ターンオン特性」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
ターンオン特性がより高速で、導通時の損失がより小さいIGBTを提供する。例文帳に追加
To provide an IGBT with a higher-speed turn-on property and smaller loss during the time of conduction. - 特許庁
HBTの電流利得特性を損なわず、ターンオン電圧の小さいHBTの構造を得る。例文帳に追加
To obtain an HBT structure with smaller turn-on voltage without deteriorating a current gain characteristic of the HBT. - 特許庁
フローティング構造のMOSトランジスタの利点であるオン抵抗と耐圧の良好なトレードオフ特性を維持しつつ、素子のターンオン時におけるターンオン特性やスイッチング損失も改善する。例文帳に追加
To maintain the good tradeoff property of on-resistance and breakdown voltage which are the advantage of MOS transistors of floating construction, at the same time, to improve also turn-on property and switching loss in the time of turn-on of an element. - 特許庁
ターンオン時に問題となるダイオードの逆回復電流低減等の特性について所望の特性を得られるようにする。例文帳に追加
To provide a desired characteristic of a characteristic such as a reverse recovery current of a diode, which becomes a problem during turn-on. - 特許庁
ターンオン特性を損なわずに、素子のターンオフ特性を改善できる絶縁ゲート型半導体素子を提供すること。例文帳に追加
To provide an insulated gate type semiconductor element enabling improvement of the turn-off characteristics thereof without impairing turn-on characteristics. - 特許庁
逆阻止ダイオードを不要にし、ダイオード損失を低減すること、逆回復特性を低減すること、さらにはセルフターンオンを抑制する。例文帳に追加
To reduce the diode loss by eliminating the need for a reverse blocking diode, and to reduce the reverse recovery characteristics while suppressing self turn-on. - 特許庁
順方向電圧の特性及びターンオン電圧の特性のような発光素子自体の特性を向上させ、入力電圧を減少させ発光素子の効率を増加させながら、低電圧動作で発光素子の信頼性が増加する半導体発光素子及びその製造方法が提案される。例文帳に追加
The semiconductor light emitting element which itself has improved property such as forward voltage property and turn-on voltage property, whose efficiency is increased with a reduction of input voltage, and whose reliability is also increased with low voltage operation, and its manufacturing method are provided. - 特許庁
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「ターンオン特性」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
比較的低いターンオン・スレショルドと比較的低い漏れ電流特性とを有する改良されたショットキ・ダイオード構造をコストを上昇させずに提供すること。例文帳に追加
To provide an improved Schottky diode structure with no increased cost, which comprises a relatively low turn-on threshold and relatively low leakage current characteristics. - 特許庁
本発明によるディスプレイ装置は、光源のターンオン/ターンオフ動作時に電流応答速度を改善して、ディスプレイ特性が向上されたディスプレイ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a display device in which display properties are improved by improving current response speed at turn-on/turn-off operation of a light source. - 特許庁
ターンオン電流を増加させ、ターンオフ電流を最小化して、電気的な特性が向上した複数のスイッチング素子を含む信号駆動素子を含む表示装置を提供する。例文帳に追加
To provide a display apparatus comprising a signal driving element including two or more switching elements improved in electric characteristics by increasing turn-on current and minimizing turn-off current. - 特許庁
駆動電力の増大や、特性の不安定化、短寿命化を最小限に抑えながら、ターンオン時間を短縮させることができる電圧駆動型半導体スイッチ素子の駆動回路を提供する。例文帳に追加
To provide a drive circuit of a voltage-driven semiconductor switching device which can reduce a turn-on time while an increase in driving power, instabilization of characteristics, and the reduction of an operation life are suppressed to minimum. - 特許庁
このため、サージ電圧が印加されてターンオンする初期段階において、異なる2以上の局所領域がオン状態となり、電流集中を緩和することができるので、雷サージ特性を大幅に向上させることができる。例文帳に追加
Therefore, since two or more different local regions are turned on for mitigating concentration of current in the initial stage for turning on with application of a surge voltage, the lightening surge characteristic can be improved remarkably. - 特許庁
トレンチIGBTにおいて、低いオン電圧を保ちつつ、スイッチング損失を低くし、ターンオン特性を改善し、かつ高い耐圧を得る半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein switching loss is lowered, turn-on characteristic is improved, and higher dielectric strength is obtained while lower on-voltage is kept in the trench IGBT. - 特許庁
本発明はスナバコイル、クランプダイオード、クランプコンデンサ、メインスイッチ及び補助スイッチを備えるスイッチングセルを用いて、スイッチのターンオン及びターンオフ特性及び整流器の逆回復特性により生じるPWMコンバータのスイッチング損失を概ね低減する。例文帳に追加
In this method, a switching cell with a snubber coil, a clamp diode, a clamp capacitor, and main and auxiliary switches is used, and the switching loss of a PWM converter caused by the turn-on and turn-off characteristics of the switch and the inverse recovery ones of a rectifier is nearly reduced. - 特許庁
ゲート信号制御回路内で設定しないでもデッドタイムをゲートドライブ回路内で調整でき、デッドタイムの値をターンオフ、ターンオンの特性が変化した場合にも適正な値とすることができ、電源効率を向上させることのできるゲートドライブ回路を提供する。例文帳に追加
To provide a gate drive circuit that adjusts a dead time in the gate drive circuit even if the dead time is not set in a gate signal control circuit, and sets a value of the dead time to a proper value even if turn-off/turn-on characteristics are changed, thereby improving the efficiency of power supply. - 特許庁
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turn on characteristic
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