ダブルヘテロ構造の英語

ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same, in which diffusion of carriers in a double-hetero-structure is suppressed by reducing defects of the double-hetero-structure to uniform an in-plane carrier concentration distribution, thereby manufacturing a light emitting element having small variance in light emission lifetime and a long lifetime. - 特許庁

少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。例文帳に追加

The compound semiconductor substrate has at least the double-hetero-structure having (Al_xGa_1-x)yIn_1-yP (where 0<x<1, 0<y<1) formed on a GaAs substrate, the compound semiconductor substrate having not less than five growth interfaces where layers differing in composition come into contact with each other between the GaAs substrate and double-hetero-structure. - 特許庁

液相エピタキシャル成長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにおいて、サイリスタ現象による不良ウェーハの発生を防ぐこと。例文帳に追加

To prevent the occurrence of defective wafers due to thyristor phenomenon, related to an epitaxial wafer for a light-emitting diode of a single heterostructure or double heterostructure of AlGaAs group manufactured by a liquid- phase epitaxial growth. - 特許庁

ワイドギャップ型酸化物半導体を用いたダブルヘテロ構造型発光素子において、活性層に効率よくキャリアを注入することができ、発光効率を高めることができる構造を有した発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a double heterostructure light-emitting element, using a wide-gap oxide semiconductor and having a structure that can improve the luminous efficiency of an active layer by efficiently injecting carriers into the active layer. - 特許庁

原料費（製造コスト）の低減により、シングロヘテロ構造エピタキシャルウエハと同価格のダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハとその製造方法及び発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer with a double heterostructure having the same cost as that having singal heterospructure, its manufacturing method, and a light-emitting diode by reducing the cost of a new material (manufacturing cost). - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、サファイア基板１０上に、活性層１４をクラッド層１３、１５で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する。例文帳に追加

The gallium nitride compound semiconductor laser is provided with a double hetero-junction structure where an active layer 14 is pinched with clad layers 13 and 15 on a sapphire substrate 10. - 特許庁

ダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル・ウエハ及びチップにおいて、順方向駆動電圧を低く抑えること、及び、ブレークダウン電圧を所定の値以上にすることを両立させる。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer and a chip of a double heterostructure having a breakdown voltage higher than a prescribed value while suppressing a forward drive voltage. - 特許庁

電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。例文帳に追加

The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer. - 特許庁