「ダブルヘテロ構造」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、前記活性層２２はダブルヘテロ構造の複数の量子井戸層を有するので、活性層２２における発光効率が高められる。例文帳に追加

Further, the active layer 22 has the plurality of quantum well layers having the double heterostructures, the light emission efficiency of the active layer 22 is enhanced. - 特許庁

または、同様のダブルヘテロ接合構造、第２のｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層と、ｐ側電極を具備し、ダブルへテロ接合構造のへき開端面が、無秩序化された層構造である。例文帳に追加

In addition, the semiconductor laser device is provided with the same double hetero-junction structure, a second p-type clad layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode, and the cleavage end face of the double hetero-junction structure has a disordered layer structure. - 特許庁

ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same, in which diffusion of carriers in a double-hetero-structure is suppressed by reducing defects of the double-hetero-structure to uniform an in-plane carrier concentration distribution, thereby manufacturing a light emitting element having small variance in light emission lifetime and a long lifetime. - 特許庁

少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。例文帳に追加

The compound semiconductor substrate has at least the double-hetero-structure having (Al_xGa_1-x)yIn_1-yP (where 0<x<1, 0<y<1) formed on a GaAs substrate, the compound semiconductor substrate having not less than five growth interfaces where layers differing in composition come into contact with each other between the GaAs substrate and double-hetero-structure. - 特許庁

液相エピタキシャル成長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにおいて、サイリスタ現象による不良ウェーハの発生を防ぐこと。例文帳に追加

To prevent the occurrence of defective wafers due to thyristor phenomenon, related to an epitaxial wafer for a light-emitting diode of a single heterostructure or double heterostructure of AlGaAs group manufactured by a liquid- phase epitaxial growth. - 特許庁

ワイドギャップ型酸化物半導体を用いたダブルヘテロ構造型発光素子において、活性層に効率よくキャリアを注入することができ、発光効率を高めることができる構造を有した発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a double heterostructure light-emitting element, using a wide-gap oxide semiconductor and having a structure that can improve the luminous efficiency of an active layer by efficiently injecting carriers into the active layer. - 特許庁

原料費（製造コスト）の低減により、シングロヘテロ構造エピタキシャルウエハと同価格のダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハとその製造方法及び発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer with a double heterostructure having the same cost as that having singal heterospructure, its manufacturing method, and a light-emitting diode by reducing the cost of a new material (manufacturing cost). - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、サファイア基板１０上に、活性層１４をクラッド層１３、１５で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する。例文帳に追加

The gallium nitride compound semiconductor laser is provided with a double hetero-junction structure where an active layer 14 is pinched with clad layers 13 and 15 on a sapphire substrate 10. - 特許庁

ダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル・ウエハ及びチップにおいて、順方向駆動電圧を低く抑えること、及び、ブレークダウン電圧を所定の値以上にすることを両立させる。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer and a chip of a double heterostructure having a breakdown voltage higher than a prescribed value while suppressing a forward drive voltage. - 特許庁

電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。例文帳に追加

The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer. - 特許庁

オフ基板上のAlGaInP系半導体レーザにおいて、パルス成長により活性層周辺のダブルヘテロ構造を結晶成長することにより、点欠陥の導入の少ない高信頼な半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable semiconductor laser in which introduction of spot defect is suppressed by epitaxially growing a double heterostructure on the periphery of an active layer through pulse growth in an AlGaInP based semiconductor laser on an off substrate. - 特許庁

基板１０上にｎ型ＡｌＧａＮ層１２、アンドープＡｌＧａＮ層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８を積層してダブルヘテロ構造とする。例文帳に追加

The GaN compound semiconductor is constituted in a double heterostructure by successively laminating an n-type AlGaN layer 12, an undoped AlGaN layer 16, and a p-type AlGaN layer 18 upon a substrate 10. - 特許庁

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。例文帳に追加

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70. - 特許庁

発光層部１は、ｎ型クラッド層２、調整結晶層３、活性層４及びｐ型クラッド層５が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。例文帳に追加

A light-emitting layer 1 has a double hetero structure in which an n-type clad layer 2, an adjusting crystal layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 are laminated together. - 特許庁

発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ｐ型ＧａＡｓ基板４上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１を順次形成したダブルヘテロ構造をしている。例文帳に追加

The epitaxial wafer for light-emitting diode has a double heterostructure, wherein a p-type GaAlAs clad layer 3, a p-type GaAlAs active layer 2, and an n-type GaAlAs clad layer 1 are formed successively on a p-type GaAs substrate 4. - 特許庁

発光層１２の上にｎ型クラッド層１３と、ｎ型クラッド層１３上にオーミックコンタクト層１４を備え、ダブルヘテロ構造を構成している。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element also includes an n-type clad layer 13 on the light emission layer 12 and an ohmic contact layer 14 on the n-type clad layer 13, and hence has a double-hetero structure. - 特許庁

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element. - 特許庁

本発明は、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造および量子井戸構造のレーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a laser element and a material for solid-solution semiconductor laser element, with which a laser element which oscillates in an infrared region of wavelength 0.4-8 μm and operates near room temperature with variable wavelength, especially a laser element of a lattice matched double heterojunction structure and a quantum well structure is manufactured. - 特許庁

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。例文帳に追加

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device. - 特許庁

活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。例文帳に追加

The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen. - 特許庁

ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same for preventing a carrier from diffusing into a double hetero-structure to uniformize an in-plane carrier concentration distribution, thereby reducing dispersion of light emission life, and manufacturing a long-life light emitting element. - 特許庁

そして、ダブルヘテロ構造積層部６の一定領域Ａを電流注入領域として、その電流注入領域Ａ内で発振させ、その外周部を絶縁化して絶縁領域９にすると共に、その領域に積層部６を構成する金属の金属酸化物８を含有する層に形成されている。例文帳に追加

In this laser, a predetermined region A of the part 6 is formed as a current injection region, oscillated in the region A, its outer periphery is insulated to an insulating region 9, and formed as a layer containing a metal oxide 8 of a metal for constituting the part 6 on the region. - 特許庁

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。例文帳に追加

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板１上にＳｉ基板／金属シリサイド／Ｓｉ薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造４を形成し、Ｈ_2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Ｓｉ単結晶５からなる島状構造が形成すると共に島５と島５の間隙に金属シリサイド６を凝集させる。例文帳に追加

A double hetero epitaxial structure 4 of a Si base plate/metal silicide/Si thin film is formed on a Si monocrystal base plate 1, which is put under heat treatment in H2, so that an island-shaped structure made of Si monocrystals 5 is formed by self-matching regrowth and the metal silicide 6 is made cohered in gaps between an island 5 and an island 5. - 特許庁

発光素子１００は、ＧａＡｓと格子整合するＡｌＧａＩｎＰからなるダブルヘテロ構造を有する発光層部２４と、該発光層部２４の第二主表面側にＨＶＰＥ法により形成された第二の透明半導体層９０と、発光層部２４の第一主表面側に、ＨＶＰＥ法により形成された第一の透明半導体層９１とを有する。例文帳に追加

The light-emitting element 100 comprises the light-emitting layer 24 having a double heterostructure composed of AlGaInP lattice in matching with GaAs, a second transparent semiconductor layer 90 formed on the second main surface side of the light-emitting layer 24 by the HVPE method, and a first transparent semiconductor layer 91 formed on the first main surface side of the section 24 by the HVPE method. - 特許庁

結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。例文帳に追加

The nitride semiconductor field-effect transistor has at its gate a channel comprising a double heterostructure which has an Al_xGa_1-xN layer, a GaN layer, and an Al_yGa_1-yN layer laminated in order in a +c direction of crystal orientation and is depleted by setting (x) and (y) in a relation of x≥y. - 特許庁

上下に二つのキャリア供給層３ａ、３ｂで挟まれたチャネル層５を有するダブルヘテロ構造の電界効果トランジスタにおいて、上側のキャリア供給層３ａのドーピング濃度を下側のキャリア供給層３ｂのドーピング濃度の２〜４倍の範囲内することにより、より高い電子移動度が得られる。例文帳に追加

In the field effect transistor of the double-hetero structure including channel layers 5 sandwiched in the upper and lower portions by a couple of carrier supplying layers 3a, 3b, higher electron mobility can be attained by setting doping concentration of the upper carrier supplying layer 3a to 2 to 4 times the doping concentration of the lower carrier supplying layer 3b. - 特許庁

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。例文帳に追加

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101. - 特許庁

ドライエッチングにより、適当なエッチングガス圧、適当な基板温度の条件下でメサ１１２の形成を行うことで、閃亜鉛鉱型化合物半導体からなる、基板面方位が（００１）から傾斜した基板１０２上に、少なくとも活性層１０４とそれを挟むクラッド層１０３、１０７からなるダブルヘテロ構造を有し、かつ水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサ状のストライプを有し、かつ前記メサのストライプ方向に垂直な断面形状が基板を下にして見たときに左右対称であり、メサ裾にだれが無い半導体レーザを製作できる。例文帳に追加

Also, mesa-shaped stripes for operating light closure to a horizontal direction are formed, and the cross section shapes vertical to the stripe directions of the mesa are made symmetrical when viewed with the substrate below so that a semiconductor laser without any sagging at the mesa fringe can be manufactured. - 特許庁