燃料電池用ユニットセルと、その製造方法及び燃料電池システム例文帳に追加

UNIT CELL FOR FUEL CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND FUEL CELL SYSTEM - 特許庁

ユニットセルを利用して機能回路ブロックなどをレイアウトする際に、配線効率の向上を図ることが可能な半導体集積回路のユニットセル、およびユニットセルを使用した配線方法および配線プログラムを提供すること。例文帳に追加

To provide a unit cell of a semiconductor integrated circuit by which wiring efficiency can be improved when the unit cell is used to arrange functional circuit blocks, and to provide a wiring method using the unit cell and a wiring program. - 特許庁

燃料電池用ユニットセルと、その製造方法及び燃料電池システムを提供する。例文帳に追加

To provide a unit cell for a fuel cell, its manufacturing method, and a fuel cell system. - 特許庁

論理ユニットセル内の接続及び論理ユニットセル間の接続を無駄な基本セルを生じることなく容易に行うことができる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device in which the connection in logical unit cells and the connection among the cells can be performed easily without producing any useless basic cell, and a method for manufacturing the device. - 特許庁

該酸素活性化金属錯体は、例えば、ship-in-bottle法によりユニットセル内で合成された金属フタロシアニン錯体、金属サロフェン錯体等であり得る。例文帳に追加

The oxygen-activating metal complex includes a metal phthalocyanine complex and a metal salophen complex synthesized in a unit cell by ship-in-bottle method. - 特許庁

次に、このユニットセル素体１００′の表面にＣｕなどの導電体膜を無電解メッキ方法によって形成する。例文帳に追加

A conductive film such as Cu is then formed on the surface of the unit cell element 100' by an electroless plating method. - 特許庁

ＳＲＡＭユニットセルの境界はアスペクト比が少なくとも３．２となるような第１および第２の一次元寸法を有している。例文帳に追加

A boundary of the SRAM unit cell comprises first and second primary dimensions having an aspect ratio of at least about 3.2. - 特許庁

スペースグループＰ４３２１２と、ａ＝９３．５Å、ｂ＝９３．５Åおよびｃ＝１７５．２Åであるユニットセル寸法を有する、結晶ヒトＭｎｋ−１キナーゼ。例文帳に追加

There is disclosed a crystalline human Mnk-1 kinase having space group P43212 and unit cell dimensions of a=93.5 Å, b=93.5 Å, and c=175.2 Å. - 特許庁

最小加工寸法がフィン幅となるＦｉｎＦＥＴの構造において、極めて制御が困難なリング形状の加工を不要として、加工ばらつきに起因する特性ばらつきの小さなユニットセルを提供する。例文帳に追加

To provide a unit cell that does not require processing of a ring shape the control of which is very difficult, and is small in characteristic variation caused by processing variation in FinFET structure in which the minimum processing dimension corresponds to the fin width. - 特許庁

感光性エポキシ樹脂などの光硬化性樹脂の液面に対して、形成すべき断面パターンの光照射を層毎に繰り返す光造形法によって、ダイヤモンド構造の空気孔を有するユニットセル素体１００′を造形する。例文帳に追加

A unit cell element 100' having an air hole of a diamond structure is formed by a photo-fabrication method, in which the liquid surface of a photo-curable resin such as a photosensitive epoxy resin is repeatedly irradiated with light of a sectional pattern to be formed for each layer. - 特許庁

ユニットセル間を初期絶縁膜で区分しながら、初期絶縁膜の幅を狭くして占有面積比率を低くしても、膜厚検知機能を損なうことなく、かつエピタキシャル成長時間の短縮とその研磨時間を短縮し、かつ研磨後の膜厚精度を高くできる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing a film thickness detecting function from being damaged even when the width of an initial insulating film is narrowed and an occupancy area ratio is lowered while sectioning unit cells by the initial insulating film, shortening the epitaxial growth time, shortening the polishing time, and increasing film thickness accuracy after polishing. - 特許庁