中性ラジカルの英語

磁性の有無は、π共役型有機分子に対する電気化学的な酸化によるイオンラジカルの生成と、還元による中性閉殻種への変換を行うことにより実現する。例文帳に追加

The presence/ absence of magnetism is realized by generating ion radicals by electrochemically oxidizing π-conjugated organic molecules and converting the radical into closed shell radicals through reduction. - 特許庁

真空紫外光を用いたＣＶＤ半導体製造装置において、成膜の原料に真空紫外光１１を照射すると、原料が光分解し、中性ラジカル・プラスイオン・電子が発生する。例文帳に追加

When a film-forming raw material is irradiated with vacuum ultraviolet lays 11 in a CVD semiconductor-manufacturing device using vacuum ultraviolet rays, the raw material is photolyzed, and neutral radicals, positive ions and, electrons are generated. - 特許庁

活物質の電極反応を利用する電池において、少なくとも一つの活物質として中性炭素ラジカル化合物を含有することを特徴とする電池１。例文帳に追加

In the battery using an electrode reaction of an active material, a neutral carbon radical compound is contained at least as one active material. - 特許庁

中性ラジカルは電荷を帯びていないので、マイナスバイアスと無関係に基板２上に膜が生成されるため、従来の無バイアス方式と比較して、実験値で、２倍の生成レート向上を実現している。例文帳に追加

Since a neutral radical is not charged, the film is formed on the substrate 2 regardless of the negative bias, thus achieving double generation rate, in experimental values, in comparison with a conventional non-bias system. - 特許庁

第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。例文帳に追加

To provide a neutral-beam-utilizing atomic layer vapor deposition apparatus wherein a workpiece is irradiated with a neutral beam formed by neutralizing a radical flux, i.e., an ion beam, generated by converting a second gas into a plasma, and to provide an atomic layer vapor deposition method utilizing the apparatus. - 特許庁

（Ａ）エチレン性不飽和結合を側鎖に有する非アクリル系のバインダーポリマーと、（Ｂ）電荷的に中性であり、光または熱によりラジカルを発生する化合物と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、を含有することを特徴とする。例文帳に追加

The polymerizable composition comprises: (A) a non-acrylic binder polymer having an ethylenically unsaturated bond on a side chain; (B) a neutrally charged compound capable of generating a radical under light or heat; and (C) a compound having an ethylenically unsaturated bond. - 特許庁

電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。例文帳に追加

A manufacturing method of the electron emitting element comprises a process to prepare beforehand a substrate having an insulating or a semi-conductive layer, and a process to expose the layer in an atmosphere including a neutral radical containing hydrogen. - 特許庁

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。例文帳に追加

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate. - 特許庁