二酸化ケイ素転化膜及びパタ−ン状二酸化ケイ素転化膜の形成方法例文帳に追加

SILICON DIOXIDE CONVERSION FILM AND METHOD OF FORMING PATTERNED SILICON DIOXIDE CONVERSION FILM - 特許庁

低膜応力二酸化ケイ素膜の製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF LOW FILM STRESS SILICON DIOXIDE FILM - 特許庁

二酸化ケイ素薄膜とその製造法例文帳に追加

SILICON DIOXIDE THIN FILM, AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

陽極酸化膜３４は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。例文帳に追加

An anode oxidation film 34 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁

陽極酸化膜３２は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。例文帳に追加

The anodic oxidation film 32 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁

有機成分を含まない高純度の二酸化ケイ素膜を形成するために有用な二酸化ケイ素前駆体および二酸化ケイ素前駆体組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon dioxide precursor and a silicon dioxide precursor composition useful for forming a high purity silicon dioxide film containing no organic component. - 特許庁

第１膜１２１、第３膜１２３、第５膜１２５は二酸化ケイ素からなり、第２膜１２２、第４膜１２４は、酸化窒化ケイ素からなる。例文帳に追加

The first film 121, third film 123 and fifth film 125 are made of silicon dioxide and the second film 122 and fourth film 124 are made of silicon oxide nitride. - 特許庁

第１膜１２１、第３膜１２３、第５膜１２５は二酸化ケイ素からなり、第２膜１２２、第４膜１２４は、ポーラス化された窒化ケイ素からなる。例文帳に追加

The first film 121, third film 123 and fifth film 125 are made of silicon dioxide and the second film 122 and fourth film 124 are made of porous silicon nitride. - 特許庁

この堆積したシリコンを熱酸化することにより、所望の膜厚の二酸化ケイ素SiO_2絶縁膜を得る。例文帳に追加

By thermally oxidizing the deposited silicon, a silicon dioxide SiO_2 insulation film of a desired film thickness is obtained. - 特許庁

シルセスキオキサン樹脂から得られた二酸化ケイ素薄膜の赤外スペクトルを変える方法例文帳に追加

METHOD FOR CHANGING INFRARED SPECTRUM OF SILICON DIOXIDE THIN FILM OBTAINED FROM SYLSESQUIOXANE RESIN - 特許庁

ポリシラザンの酸化硬化により得られる二酸化ケイ素からなる薄膜であるペリクル。例文帳に追加

The pellicle is a thin film comprising silicon dioxide obtained by oxidizing and hardening polysilazane. - 特許庁

次に、アルミナ、あるいは二酸化ケイ素からなる絶縁膜５をスパッタ法により形成する。例文帳に追加

An insulating film 5, consisting of alumina or silicon dioxide, is formed through sputtering method. - 特許庁

二酸化ケイ素膜およびトレンチアイソレーションの形成方法ならびにそのための組成物例文帳に追加

FORMING METHOD OF SILICON DIOXIDE FILM AND TRENCH ISOLATION, AND COMPOSITION FOR THEM - 特許庁

二酸化ケイ素の成長速度の減小は、結果として、ウェーハ上に自己平坦化学膜を形成する。例文帳に追加

Decrease of the growth rate of silicon dioxide results in a formed self-planarized chemical film on a wafer. - 特許庁

赤外反射率を変えることのできる二酸化ケイ素薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon dioxide thin film which is variable in IR reflectivity. - 特許庁

例えば二酸化ケイ素の膜厚が１．２μｍでもクラックが入るようなことはない。例文帳に追加

There is no generation of crack even in a thick silicon dioxide film having a thickness of e.g. 1.2 μm. - 特許庁

この方法は、種々の状況において二酸化ケイ素の薄膜を形成するために使用され得る。例文帳に追加

This method can be used to form silicon dioxide films in various situations. - 特許庁

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。例文帳に追加

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature. - 特許庁

該薄膜層（膜厚１００〜１５００Å程度）は酸化ケイ素（例えば二酸化ケイ素）をターゲットとしてスパッタリング法にて好ましく形成される。例文帳に追加

The membrane layer (thickness: about 100-1,500 Å) is preferably formed by a sputtering method using silicon oxide (e.g.; silicon dioxide) as a target. - 特許庁

二酸化ケイ素膜を研磨する用途、特にシリコン基板又はポリシリコン膜上に設けられた二酸化ケイ素膜を研磨する用途に適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition suitable for use to polish a silicon dioxide film, particularly for use to polish a silicon dioxide film formed on a silicon substrate or a polysilicon film, and to provide a polishing method by means of such a polishing composition. - 特許庁

凹凸パターン１２を有する金型１の表面１１に二酸化ケイ素の膜１３を形成する成膜工程と、前記二酸化ケイ素の膜１３の表面にシランカップリング剤を塗布する離型剤形成工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method includes a film-forming process for forming a film 13 of silicon dioxide on the surface 11 of a die 1 having an irregular pattern 12, and a mold releasing agent formation process for applying a silane coupling agent to the surface of the film 13 of silicon dioxide. - 特許庁

基体にポリシラザン溶液を塗布し、化学的処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方法において、次の（Ａ）〜（Ｄ）の各工程が順次行なわれることを特徴とする厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。例文帳に追加

A polysilazane solution is applied to a substrate and subjected to a chemical treatment to obtain a thick silicon dioxide coating film. - 特許庁

表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるシャロー・トレンチ・アイソレーション構造。例文帳に追加

This shallow trench isolation structure is structured such that a groove structure on a surface thereof is buried by a silicon dioxide film, and the silicon dioxide film is localized on the front surface side of a substrate, and is provided with vacancies 3 in bottom parts of grooves. - 特許庁

本発明の治具１０の製造方法は、基材１１と、基材１１上に二酸化ケイ素膜１２を介して設けられた高分子膜１３とを備え、基材１１の一方の面１１ａに、物理蒸着法により二酸化ケイ素膜１２を形成する工程Ａと、二酸化ケイ素膜１２上に、蒸着重合法により高分子膜１３を形成する工程Ｂとを有することを特徴とする。例文帳に追加

The present method for manufacturing the tool 10, equipped with a base material 11 and a polymer membrane 13 provided on the base material 11 through a silicon dioxide membrane 12, comprises a step A of forming the silicon dioxide membrane 12 on one side 11a of the base material 11 by a physical vapor deposition method; and a step B of forming the polymer membrane 13 on the silicon dioxide membrane 12 by a vapor deposition polymerization method. - 特許庁

本発明の一実施形態によれば、単層膜と基板との間に、二酸化ケイ素からなる膜（２）を成膜している。例文帳に追加

As an implementation of this invention, the single layer film and the substrate is interleaved with a film (2) consisting of silicon-dioxide. - 特許庁

得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。例文帳に追加

The obtained silicon dioxide film shows good electrical and mechanical film characteristics in the application of forming a thin film transistor. - 特許庁

得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。例文帳に追加

The obtained silicon dioxide film is excellent in electrical and mechanical film properties for the application of forming thin film transistors. - 特許庁

それから、シロキサン膜は焼結処理されて、電子放出源の表面上に二酸化ケイ素膜が形成される。例文帳に追加

Then, the siloxane film is sintered to form a silicon dioxide film on a surface of the electron emission source. - 特許庁

特に、ペルヒドロポリシラザンを水蒸気に曝して得られる、膜の厚さが０．０１〜５０μｍの二酸化ケイ素の薄膜であるペリクル。例文帳に追加

The pellicle is particularly a thin film of silicon dioxide having 0.01-50 μm film thickness obtained by exposing perhydropolysilazane to steam. - 特許庁

この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。例文帳に追加

By the method of producing a silicon dioxide film, isolation structures, such as various insulation films, can be formed. - 特許庁

ポリシラザン塗膜からより高純度の二酸化ケイ素膜を簡単にして迅速に得るための新規な手段の提供。例文帳に追加

To provide a novel means for simply and quickly obtaining a more high-purity silicon dioxide film from a polysilazan coat. - 特許庁

高周波加熱炉５に設置される磁製るつぼ１の成形方法において、二酸化ケイ素の粉末を二酸化ケイ素の融点より低い温度で焼成して磁製るつぼ本体２を形成した後、この磁製るつぼ本体２を二酸化ケイ素の融点より高い温度で一定時間加熱処理して、磁製るつぼ本体２を覆う被覆膜３を生成するようにしている。例文帳に追加

The method of forming the ceramic crucible to be installed in a high frequency heating furnace 5 comprises: forming a ceramic crucible body 2 by firing a silicon dioxide powder at a temperature lower than the melting point of silicon dioxide, and then heat treating the ceramic crucible body 2 at a temperature higher than the melting point of silicon dioxide in order to form a film 3 covering the ceramic crucible body 2. - 特許庁

ここで、紫外線反射膜は、酸化タンタル層と二酸化ケイ素層とにより形成されていることが好ましい。例文帳に追加

Here, the ultraviolet reflecting film is preferably to be formed of a tantalum oxide layer and a silicon dioxide layer. - 特許庁

純度の高い二酸化ケイ素とする硬質薄膜を形成して、さらに反射防止機能を持たせた透明樹脂板を提供すること。例文帳に追加

To provide a transparent resin plate having an antireflection function by forming a hard thin film comprising high-purity silicon dioxide. - 特許庁

この二酸化ケイ素SiO_2絶縁膜の上に、ゲート電極をデポジションしてパターニングし、かつ、ソースドレイン形成をする。例文帳に追加

A gate electrode is deposited and patterned on the silicon dioxide SiO_2 insulation film, and a source and a drain are formed. - 特許庁

プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for the deposition of a silicon dioxide film of high quality onto a substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition and TEOS. - 特許庁

プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for depositing a silicon dioxide film of high quality on a substrate by using a plasma enhanced chemical vapor phase growth and TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate). - 特許庁

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。例文帳に追加

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions. - 特許庁

基材表面にコートされている二酸化ケイ素乃至二酸化ケイ素誘導体を主成分とした表面コート用薄膜であって、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を含む添加剤が分散乃至溶解されていることを特徴とする表面コート用薄膜。例文帳に追加

The surface coating thin film is constituted by applying silicon dioxide or a silicon dioxide derivative to the surface of a substrate as a main component and characterized in that an additive containing polyvinyl pyrrolidone(PVP) is dispersed or dissolved. - 特許庁

基板表面に、二酸化ケイ素微粒子と、ポリマーと、界面活性剤と、分散媒とを含む二酸化ケイ素分散液を塗布し、次いでポリシラザン組成物を塗布した後、加熱して絶縁膜を形成させる、絶縁膜の形成方法。例文帳に追加

In the method for forming an insulating film, a silicon dioxide dispersion containing silicon dioxide particulates, a polymer, a surfactant, and a dispersion medium is applied to a substrate surface, and a polysilazane composition is then applied to the substrate surface, and thereafter an insulating film is formed by heating. - 特許庁

内燃機関用のピストンリングにおいて、少なくとも一側面に固体潤滑材を分散させた耐熱性材料からなる皮膜を有し、耐熱性材料がポリアミドイミド−二酸化ケイ素ハイブリッド材料及びポリイミド−二酸化ケイ素ハイブリッド材料の少なくとも一種からなる。例文帳に追加

The film made of the heat resistant material at least on one side surface of which the solid lubricant is dispersed is provided on the piston ring for an internal combustion engine, and the heat resistant material is formed of at least one kind of a polyamide-imide silicon dioxide hybrid material and a polyimide silicon dioxide hybrid material. - 特許庁

ガラスなどよりなる基板１１の上に窒化ケイ素膜１２および二酸化ケイ素膜１３を介してメモリトランジスタ２０と選択トランジスタ３０とが形成されている。例文帳に追加

A memory transistor 20 and a selection transistor 30 are formed on a substrate 11 composed of glass, etc., through a silicon nitride film 12 and a silicon dioxide film 13. - 特許庁

半導体産業及び関連産業において用いるのに適した二酸化ケイ素膜及び酸窒化ケイ素膜の新しい化学気相成長法を提供する。例文帳に追加

To provide a new chemical phase growth method for forming a silicon dioxide film and a silicon nitrooxide film, which is suitable for use in semiconductor industries and industries related to the semiconductor industries. - 特許庁

剥離するのが困難な窒化チタン膜を二酸化ケイ素および窒化ケイ素被覆された表面から除去するのに用いることができる新規なエッチング剤を提供する。例文帳に追加

To provide a new etchant that can be used to remove a titanium nitride film difficult to be removed from a surface coated with a silicon dioxide and a silicon nitride. - 特許庁