内部成長率の英語

そして、Ｇｅの組成率が高くバンドギャップの小さなＳｉ_1-xＧｅ_xで構成される内部ベースの中央部３５を、コレクタ２７側からエミッタ４４側の方向にＧｅ組成率を低下させながら成長させる。例文帳に追加

Then, the center part 35 of the internal base constituted of Si_1-xGe_x for which the Ge composition rate is high and the band gap is small is grown while lowering the Ge composition rate in a direction from the side of a collector 27 to the side of an emitter 44. - 特許庁

砥石内部での錆の発生・成長を抑制して寿命を延長すると共に、ＥＬＩＤ待機時間の短縮、研削加工能率の向上および被加工材の表面粗さの改善が可能な鋳鉄ボンド砥石を提供する。例文帳に追加

To provide a cast iron bond grinding wheel capable of extending longevity by restraining growth of rust inside of the grinding wheel, shortening ELID stand-by time, improving grinding work performance and improving surface roughness of a workpiece. - 特許庁

自己接合エピタキシャル成長技術によりエピタキシャルパラメータ誤差のもたらす孔の発生を防止でき、欠陥密度を減らし、エピタキシャル層の品質を高め、これにより内部量子効率を向上する。例文帳に追加

It is possible to prevent the occurrence of holes caused by the epitaxial parameter error by the self-bonding epitaxial growth technique, thereby reducing the defect density, improving the quality of the epitaxial layer, and improving the inner quantum efficiency. - 特許庁

本発明は、オレフィン類製造プロセスのオイルクエンチ塔内の気相部における汚れの成長を効率的に防止する汚れ防止方法を提供することを目的とし、詳しくはオイルクエンチ塔内部の気相部にある棚段や塔壁、特に棚段の裏側に発生する汚れの成長を効率的に防止する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a stain-preventing method which efficiently prevents growth of a stain in an gas phase part in an oil quenching column in a manufacturing process for olefins and, for more details, to provide a method which efficiently prevents growth of a stain which occurs on a rack and a wall of the column in the gas phase part in the oil quenching column, particularly on a rear side of the rack. - 特許庁

本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element, a semiconductor device, a semiconductor wafer, and a method of growing semiconductor crystal such that warpage of a substrate is suppressed and an influence of interface reflection is reduced to achieve high light extraction efficiency and high internal light emission efficiency. - 特許庁

ＧａＰ厚膜の成長を伴う発光素子において、従来のバルク型活性層の長寿命、低抵抗という利点を維持しつつ、多重活性層型発光素子の持つ高い発光効率（特に内部量子効率）を両立させた発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting element ensuring high emission efficiency (especially inside quantum efficiency) of a multi active layer version light-emitting element, while maintaining advantages of longevity and low resistance of a conventional bulk version active layer in the light-emitting element accompanied by the growth of a GaP thick film. - 特許庁

積層型電子部品において、内部電極の露出端に析出しためっき析出物を成長させて外部電極を形成するにあたり、バッチ処理の適用を可能にするとともに、外部電極となるべきめっき膜の特定の箇所への能率的な形成を可能とする。例文帳に追加

To make batch processing applicable when an external electrode is formed by growing a plating deposition deposited at the exposed end of an internal electrode in a stacked electronic component, and to form an external electrode to be a plating film efficiently at a specific position. - 特許庁

外部電極１６として、各内部電極５の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体２の少なくとも端面１２上に成長させてなるもので、Ｐ含有率が９重量％以上のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層１８をまず形成する。例文帳に追加

Plating deposit deposited starting from an exposed end of each internal electrode 5 is grown, as an external electrode 16, at least on an end face 12 of a component body 2, and a first plating layer 18 consisting of an Ni-P plating film having a percentage content of P equal to or higher than 9 wt% is formed at first. - 特許庁