四元化合物の英語

四塩化ジルコニウムとアルコールまたはアミンを反応させた後蒸留することにより、チタニウム元素の含有量が１ｐｐｍ以下である薄膜形成用プレカーサとして有用な高純度有機ジルコニウム化合物を得ることができる。例文帳に追加

The high-purity organozirconium compound useful as a precursor for forming a thin film, which has ≤1ppm content of titanium element is obtained by reacting zirconium tetrachloride with an alcohol and performing a distillation. - 特許庁

さらに磨き組成物およびルテニウムを含む基材の化学的で機械的な磨き方法、以下を含む磨き組成物を与える：(a)+４の酸化状態より上にルテニウムを酸化する酸化剤、(b)ポリマー型金属イオン封鎖剤、金属キレート剤、有機チオール、四酸化ルテニウム還元する化合物、ラクトンからなる群から選択された磨き追加物、およびヒドロキシカルボニル化合物。例文帳に追加

The invention further provides a polishing composition and a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising ruthenium, the polishing composition comprising (a) an oxidizing agent that oxidizes ruthenium upper than +4 oxidation state, (b) a polishing additive selected from the group consisting of polymer-type sequestering agent, metal chelating agent, organic thiols, compounds that reduce ruthenium tetraoxide, and lactones, and a-hydroxycarbonyl compounds. - 特許庁

硝酸銀溶液と還元剤溶液とを、（Ａ）エチレンジアミン四酢酸および／またはその塩、（Ｂ）カルボン酸、カルボン酸金属塩、カルボン酸無水物およびカルボン酸アミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物、および（Ｃ）銅化合物の存在下で反応させることを特徴とする、高結晶性フレーク状銀粉末の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing the high crystalline flaky silver powder, silver nitrate solution is allowed to react with a reducing agent solution in the presence of (A) ethylenediaminetetraacetic acid and/or its salt, (B) at least one kind of compound selected from a group consisting of a carboxylic acid, a carboxylic acid metal salt, a carboxylic acid anhydride and a carboxylic amide, and (C) a copper compound. - 特許庁

硝酸銀溶液と還元剤溶液とを、（Ａ）エチレンジアミン四酢酸および／またはその塩、および（Ｂ）カルボン酸、カルボン酸金属塩、カルボン酸無水物およびカルボン酸アミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物の存在下で反応させるフレーク状銀粉末の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing the flaky silver powder, silver nitrate solution and reducing agent solution are reacted under presence of (A) ethylenediamine tetraacetic acid and/or its salt and (B) at least one kind of compound selected from carboxylic acid, carboxylic acid metal salt, carboxylic acid anhidride and carboxylic amid. - 特許庁

有機溶媒として下記一般式（１）で表される鎖状スルホンと、酸化還元性の電解質としてハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物およびハロゲン分子を含有する色素増感太陽電池において、ハロゲン化合物が、スピロ型第四級アンモニウムカチオンを含有することを特徴とする色素増感太陽電池用電解液である。例文帳に追加

In the electrolytic solution for dye-sensitized solar cell containing a chain sulfone represented by a general formula (1) as an organic solvent, and a halogen compound having a counterion of halogen ion and halogen molecules as redox electrolyte, the halogen compound contains a spiro type quarternary ammonium cation. - 特許庁

支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン化銀粒子、還元剤及びヒドラジン誘導体及び／または四級オニウム塩化合物を含有する熱現像感光材料において、該支持体の厚みｈｐと露光波長の極大波長ｈｒの比ｈｐ／ｈｒが、１４０≦ｈｐ／ｈｒ≦１９０であることを特徴とする熱現像感光材料。例文帳に追加

The heat-developable photosensitive material contains organic silver grains and photosensitive silver halide grains and a reducing agent and a hydrazine derivative and/or quarternary onium salt compound on a support, and a ratio of the support thickness hp to the maximum wavelength hr of exposure wavelengths satisfies the following expression; 140≤hp/hr≤190, and it is preferred that the maximum wavelength is 700-1200 nm. - 特許庁

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object. - 特許庁