変形単結晶の英語

緻密で均一な、反りや変形のない単結晶育成用原料棒を提供すること、また、前記単結晶育成用原料棒を用いた、緻密で均一な単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a raw rod for growing a single crystal which is dense and uniform and free from warp and deformation and a method of producing a dense and uniform single crystal by using the same. - 特許庁

単結晶引き上げ装置の石英ルツボの変形復元方法及び局所溶損修正方法例文帳に追加

METHOD FOR RESTORING DEFORMATION AND CORRECTING LOCAL EROSION OF QUARTZ CRUCIBLE OF SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE - 特許庁

ヒータの変形を抑制して、熱効率の悪化の無い単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a single crystal, wherein the deformation of a heater is suppressed to prevent deterioration in thermal efficiency. - 特許庁

本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a golden crucible for single crystal growing which is not deformed even when it is used for growing a garnet single crystal by a liquid phase epitaxial (LPE) method. - 特許庁

ＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、スペック外れを生じることなく、結晶変形率の上限値近傍に対応する高速度で結晶育成を行う。例文帳に追加

To grow a single crystal with the CZ method at a high speed without generating off specification by corresponding to vicinity of ceiling value of crystal deformation rate of the crystal. - 特許庁

単結晶１０の変形率と、単結晶１０の最外周から所定距離離れた結晶近傍の特定点における融液温度との関係から、変形率をその上限値近傍に一致させるのに必要な融液温度の目標値Ｔｃを設定する。例文帳に追加

The aimed temperature Tc of fused solution is set necessary to make the deforming rate coincide with the vicinity of the ceiling value, from the relation between the deformation rate of the single crystal 10 and the temperature of the fused solution of a specific point of a vicinity apart by fixed distance away from outermost peripheral part of the single crystal 10. - 特許庁

製造する半導体単結晶の汚染を回避でき、かつ、石英るつぼの突出部の熱変形が少ない半導体単結晶用石英るつぼを提供するとともに、その石英るつぼを用いた半導体単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quartz crucible for a semiconductor single crystal which crucible can avoid contamination of a semiconductor single crystal to be manufactured and undergoes less thermal deformation of its projection part; and a method of manufacturing a semiconductor single crystal using the quartz crucible. - 特許庁

シリコン単結晶引上げ時、ルツボの変形が少なく、シリコンの対流に対して悪影響を与えることがなく、高ＤＦ率を達成できるシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a crucible of quartz glass for pulling a silicon single crystal which is deforms little at the time of pulling the silicon single crystal, without having adverse effect on the convection of silicon. - 特許庁