室温注入の英語

室温で製膜され、有機半導体に対して低電圧でホール注入が可能なホール注入電極を開発すること。例文帳に追加

To provide a hole injecting electrode which is deposited in a room temperature and which conducts a hole injection to an organic semiconductor at a low voltage, and also to provide an organic EL element using the electrode. - 特許庁

負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。例文帳に追加

To provide an electron source that works at a room temperature, by using only an injection of current into an n-type diamond semiconductor having a negative electron affinity. - 特許庁

室温において十分に大きな励起子効果が期待できる構造と、この構造を用いた、室温で動作可能な電流注入型の励起子発光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a structure expected to generate a sufficiently great exciton effect at room temperature and a current injection type exciton light emitting device operable at room temperature using the same structure. - 特許庁

室温でイオン注入されたボロンは、イオン注入温度の上昇に従って浅い領域から深い領域のボロンの高濃度化が進むようになる。例文帳に追加

The ion implantation boron at room temperature is enriched from a shallow domain to a deep domain in accordance with the rise of ion implantation temperature. - 特許庁

室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。例文帳に追加

To provide a spin injection electrode structure, a spin conduction element, and a spin conduction device capable of performing spin injecting in a silicon channel layer at room temperature. - 特許庁

ふっ素イオン注入は、パルス周波数１〜２ｋＨｚ、室温にて、注入時間１５０〜４００分、好ましくは３００〜４００分の条件で行われる。例文帳に追加

The fluorine ion implantation is performed at a pulse frequency of 1 to 2 kHz, at room temperature, and at an implantation time of 150 to 400 min, preferably of 300 to 400 min. - 特許庁

活性化率はイオン注入温度４００℃で約２％、５００℃で約５％となり、室温でのイオン注入後に４００℃で１時間の電気炉アニールを行ったときの活性化率約１．８％に比べ高い活性化率が得られるようになる。例文帳に追加

The activation rate becomes about 2% at the ion implantation temperature of 400°C and becomes about 5% at 500°C, so that a higher activation rate can be obtained than the activation rate of about 1.8% when performing electric furnace annealing of one hour at 400°C after the ion implantation at room temperature. - 特許庁