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常誘電相の英語

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英訳・英語 paraelectric phase


JST科学技術用語日英対訳辞書での「常誘電相」の英訳

常誘電相


「常誘電相」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

誘電体磁器は、BaTiO_3 を主体とし、誘電体磁器粒子1が強誘電のコア2と、このコア2を囲んで形成され、BaTiO_3 にMgと希土類元素が拡散した誘電のシェル3とを有する。例文帳に追加

This porcelain of dielectrics consists mainly of BaTiO3 forming particles 1 of porcelain of dielectrics constituted by a core 2 of ferroelectric phase and a shell 3 of paraelectric phase surrounding the core 2 and where Mg and rare earth elements are diffused in BaTiO3. - 特許庁

特定の結晶配向を有する強誘電体膜が成膜でき、成膜温度あるいはキュリー温度よりも高温で熱処理して一旦常誘電相とする処理を行うことにより、結晶構造を変えることなく強誘電転移され、各ドメインの自発分極方位が揃った強誘電体膜を得ることができる。例文帳に追加

Thus, the ferroelectric film having a specific crystal orientation can be formed, phase transited to a ferroelectric phase without changing the crystal structure by heat treating at a higher temperature than the film forming temperature or the Curie temperature and treating once to a paraelectric phase, and the ferroelectric film in which spontaneous polarization bearing of each domain can be obtained. - 特許庁

各信号保持部12は、互いに接続され、実効容量の異なる強誘電体キャパシタ1及び誘電体キャパシタ2と、2つのキャパシタの間に設けられた中間ノード9と、強誘電体キャパシタ1に接続された電圧供給部とを備えている。例文帳に追加

Each signal maintaining part 12 is connected with each other, and is equipped with a ferroelectric substance capacitor 1 and a paraelectric substance capacitor 2 with different effective capacities, an intermediate node 9 installed between two capacitors, and a voltage supply part connected with the ferroelectric substance capacitor 1. - 特許庁

器は、誘電体伝送線路層102と強誘電体伝送線路層105とを接地導体107を介して積層し、両層の伝送線路は前記接地導体107を貫通するスルーホール108により接続する。例文帳に追加

A phase-shifter has lamination of a paraelectrics transmission line layer 102 and a ferroelectric transmission line layer 105 via an earth conductor 107, and the transmission line of both layers is connected by a through-hole 108, which penetrates the earth conductor 107. - 特許庁

上記誘電体としては、ペロブスカイト型結晶構造を主結晶とするものであることが好ましい。例文帳に追加

As the ferroelectrics, the one with a perovskite crystal structure as a principal crystalline phase is preferable. - 特許庁

誘電性液晶にジグザグ欠陥が発生した液晶セルを、強誘電性液晶がスメクティックCからスメクティックA転移する直前の温度まで加熱し、その加熱温度を一定時間保持した後、加熱温度を温まで徐々に低下させる。例文帳に追加

A liquid crystal cell wherein a zigzag defect occurs in the ferroelectric liquid crystal is heated up to a temperature almost reaching the temperature which causes phase transition of the ferroelectric liquid crystal from a smectic C phase to a smectic A phase, and this heating temperature is kept for a certain time and then is gradually reduced to a normal temperature. - 特許庁

例文

チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体、周辺部分を誘電としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつDCバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。例文帳に追加

The laminated ceramic capacitor having a large capacitance and excellent DC bias characteristics is obtained by using a ceramic dielectric composed of calcium titanate-based crystal grains in each of which the central portion is in a semiconductor phase and the peripheral portion is in a paraelectric phase. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「常誘電相」の英訳

常誘電相


「常誘電相」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

そして誘電膜420は、バルク状態において温で出現する第1と、バルク状態において第1より高温で出現する第2と、を含んでいる。例文帳に追加

A dielectric film 420 comprises a first phase which appears in a normal temperature in a bulk state, and a second phase which appears in a higher temperature than the first phase in a bulk state. - 特許庁

常誘電相と強誘電との間で転移を起こすKTN材料を備える光スイッチ10は、交流駆動回路17と、交流駆動回路17に電気的に接続され、位変調用電極13と位変調用電極14とに挟まれ、コア12を含む、動作領域の近傍に配置された、加熱用電極15および16とを備える。例文帳に追加

An optical switch 10 having a KTN (KTaNbO) material which induces phase transition between a paraelectric phase and a ferroelectric phase includes an AC driving circuit 17 and heating electrodes 15, 16 electrically connected to the AC driving circuit 17 and disposed near an operational region which is interposed between a phase modulation electrode 13 and a phase modulation electrode 14 and which includes a core 12. - 特許庁

電気光学効果を持つ電気光学材料からなる光部品を含む光素子の制御方法において、前記電気光学材料が強誘電転移温度を含む誘電性を示す温度範囲で動作させる光素子の制御方法と、温度制御手段を含む光素子を提供する。例文帳に追加

In a control method of optical element including optical components that are made of electro-optical materials having electro-optical effects, a control method of optical element in which the electro-optical materials are made to run within a temperature range showing paraelectricity including a ferroelectric phase transition temperature, and an optical element including temperature control means are provided. - 特許庁

誘電・強誘電転移温度付近で大きな電気光学効果を有する材料からなる電気光学素子を有する光デバイスにおいて、電源が遮断されたときにもシステムが安定に動作し、駆動電気回路の熱的分離を不要にし、より低消費電力で高速の動作を実現する。例文帳に追加

To provide an optical device which includes an electrooptical element comprising a material having a large electrooptical effect in the vicinity of paraelectric/ferroelectric phase transition temperature, which enables a system to stably operate even when a power source is interrupted, thermal separation of a driving electric circuits is made unnecessray and high speed operation is achieved with lower power consumption. - 特許庁

のXRDでは困難なビスマス層状構造強誘電体材料の、簡便に、短時間に、微小領域を,多でも検出することができ、しかもその多の定量化も可能である評価方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an evaluating method capable of easily detecting, even in multiple phases, the microscopic area of a bismuth layered structural ferroelectric material which is difficult to detect by normal XRD(x-ray diffraction), and also capable of quantitatively determining its multiple phases. - 特許庁

マトリックス液晶ディスプレイとしては、大きい正の誘電異方性、広いネマティック、比較的低い複屈折率、非に高い比抵抗および良好なUV、および熱的安定性および低い蒸気圧を有する媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a medium having large positive dielectric anisotropy, broad nematic phase, relatively low double refraction factor, very high resistivi ty, good UV and thermal stability and low vapor pressure as a matrix liquid crystal display. - 特許庁

小さな自己静電容量および小さな互静電容量の接合されたワイヤ41を有する半導体デバイスが、非に小さな誘電率を実効的に有する泡入りポリマ45でワイヤを被覆することによって得られる。例文帳に追加

The bonding wires 41 with small self-capacitance and small coupling capacitance for the semiconductor device can be obtained by sheathing wires with a foamed polymer 45 having a very small dielectric constant effectively. - 特許庁

例文

配向膜を形成していないTFT基板10と対向電極20との間に、温でネマチックを示し、誘電率異方性が負の液晶30と封入する。例文帳に追加

A liquid crystal 30 having a nematic phase at normal temperature and having negative dielectric anisotropy is encapsulated between a TFT substrate 10 having no alignment layer formed thereon and a counter substrate 20. - 特許庁

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