常誘電体の英語

常誘電性半導体デバイスを形成する為の方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a ferroelectric semiconductor device. - 特許庁

このことにより、異常放電時、誘電体層１１は良導電性となり、異常放電により発生する異常電流は誘電体層１１を比較的、低抵抗で流れることになるため、誘電体層１１が破損することがなくなる。例文帳に追加

By this, because the dielectric layer 11 becomes to have a superior conductivity in the abnormal discharge, the dielectric layer 11 is not damaged as the abnormal current generated by abnormal discharge flows at relatively low resistance in the dielectric layer 1. - 特許庁

高い誘電常数と低い誘電損失を有するBaTiO_3誘電体の製造方法に関するものであり、誘電体製造工程中に焼結工程前に還元性雰囲気で前熱処理を通じてBaTiO_3の平均粒子大きさを小さくすることで高い誘電常数と低い誘電損失を有するBaTiO_3誘電体の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for producing a BaTiO3 dielectric substance having a high dielectric constant and a low dielectric loss by decreasing the average particle size of BaTiO3 through a pretreatment in a reducing atmosphere before a sintering process in a dielectric substance production process in this method for producing the BaTiO3 dielectric substance having the high dielectric constant and a low dielectric loss. - 特許庁

常誘電性半導体デバイス10を形成するための方法は、常誘電性材料前駆物質を用いて酸化物電極34、44上にシード層を堆積するステップと、前記常誘電性材料前駆物質を用いて前記シード層上に常誘電体層３６、４６を堆積するステップにより、提供される。例文帳に追加

The method for forming the ferroelectric semiconductor device 10 comprises the steps of depositing a seed layer on oxide electrodes 34, 44 by use of a ferroelectric material precursor substance, and depositing ferroelectric layers 36, 46 on the seed layer by the use of the ferroelectric material precursor substance. - 特許庁

アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a dielectric material window, the dielectric material window, and a plasma processing apparatus using the dielectric material window which can increase an adhesive force between an antenna and the dielectric material window and also can prevent abnormal electric discharging and stabilize a plasma density distribution according to a magnetic field distribution or a plasma density distribution. - 特許庁

常誘電性を有するとともに、比誘電率が１５０以上で、かつ測定周波数１００Ｈｚ、温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器およびこれを用いた電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric ceramic having paraelectricity, and whose dielectric constant is ≥150 and dielectric loss at 100°C in a measurement frequency of 100 Hz is ≤1%, and to provide an electronic component using the same. - 特許庁

常誘電性を有するとともに、比誘電率が２５０以上で、測定周波数１００Ｈｚ温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器及び電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric ceramic having a paradielectric property, a specific dielectric constant of 250 or higher and a dielectric loss at 100 Hz measuring frequency and 100°C of 1% or less and an electronic component. - 特許庁

常誘電体膜の開口部６０から露出している下部電極膜上から、当該露出している下部電極膜の周囲の常誘電体膜上にわたって、強誘電体膜１０６を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric film 106 is formed from above the lower electrode film exposed from an aperture 60 of the paraelectric film over the paraelectric film in the periphery of the exposed lower electrode film. - 特許庁