移動界面法の英語

製造方法は、溶湯と凝固部分の界面相対移動速度を２０ｍｍ／分以上の条件下で連続鋳造する。例文帳に追加

In its manufacturing method, continuous molding is performed under the condition in which an interface relative movement speed between melt and solidified portion is 20 mm/min or faster. - 特許庁

誘電体層と基板との界面に位置する反転電荷キャリアの移動度を、迅速で安価に測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of measuring the mobility of inverted charge carrier at the interface between a dielectric layer and a substrate rapidly, at low cost. - 特許庁

格子に対して斜行した固液界面であっても、また固液界面が移動する場合であっても、格子に依存しない、高精度な壁粘性応力の計算方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-accuracy method for calculating a wall viscosity stress, not depending on a lattice even if a solid-liquid interface is oblique to the lattice and moves. - 特許庁

移動界面電気泳動法によるゼータ電位測定に用いることが出来て、明瞭な界面を容易に形成させることができる、構造が簡単で、小型で携帯も可能であり、操作が簡便な簡易型電気泳動式ゼータ電位計を提供する。例文帳に追加

To provide a small-sized portable simplified electrophoretic type zeta electrometer of simple structure used in zeta potential measurement by a moving interface electrophoretic method, capable of forming easily a clear interface, and simplified in an operation. - 特許庁

半導体基板と絶縁層との界面を含んだ界面近傍での電荷の蓄積や移動が抑制された半導体装置、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which accumulation and movement, etc. of charges at the neighborhood of an interface including the interface between a semiconductor substrate and an insulating layer are suppressed, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

攪拌搬送ロール側から移動境界面を越えて現像ロール側に移動した現像剤粒子に関して個々の粒子としての物性に変換し、個別要素法により計算する（Ｓ２３２−ＮＯ，Ｓ２３６，Ｓ２３８）。例文帳に追加

For the developer particle moved from the agitating carrying roll side to a developing roll side over the moving boundary surface, physical properties thereof are converted to those as an individual particle, and calculation by individual element method is performed (S232-NO, S236 and S238). - 特許庁

この方法によれば、Ｓｉ原子の変位によりキャリアの移動度が向上するため、ＳｉＯＮ膜３のＳｉ基板１との界面近傍の窒素濃度が高くても、十分なキャリアの移動度が得られる。例文帳に追加

According to this method, since the mobility of carriers is improved by the displacements of the Si atoms, an enough mobility of the carriers can be obtained even when the concentration of nitrogen present in the vicinity of the interface between the SiON film 3 and the Si substrate 1 is made high. - 特許庁

シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance. - 特許庁