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積層方位の英語
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英訳・英語 laminated orientation
「積層方位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
単結晶および一方向凝固結晶の母材に積層部を形成する溶接方法において、肉盛溶接部の結晶方位を母材と同一方向になるように積層させる。例文帳に追加
To perform the metal deposition so that the crystal orientation of a deposition portion is in the same direction as a parent material, in a deposition method in which a buildup is formed on a single crystal or directionally solidified crystal parent material. - 特許庁
結晶方位の配向性に優れ高密度の積層体に関し、特に、積層体の機械的強度を向上させつつ熱電性能が向上した熱電半導体材料と製造方法の提供。例文帳に追加
To provide a stacked body excellent in orientation properties of crystal orientation and having high density, and in particular, a thermoelectric semiconductor material which improves mechanical strength and thermoelectric properties of the stacked body, and a method of manufacturing the same. - 特許庁
これにより、センターバー１８がアーム２０、２０を介して、積層体１４の前面位置から上方位置に揺動する。例文帳に追加
Thereby, the center bar 18 swings from the front face position of the laminated body 14 to the upper position through arms 20 and 20. - 特許庁
半導体積層体と、半導体積層体上に設けられたシリコン層と、シリコン層上に設けられた拡散透過層とを備え、シリコン層は面方位｛１００｝の表面を有し、拡散透過層の表面が凹凸を有する光電変換素子と光電変換素子の製造方法である。例文帳に追加
There are provided a photoelectric conversion element comprising: a semiconductor laminated body; a silicon layer provided on the semiconductor laminated body; and a diffused transmission layer provided on the silicon layer, in which the silicon layer includes a surface having a plane direction {100} and a surface of the diffused transmission layer is not level, and a method of manufacturing the same. - 特許庁
積層Ｓの側方近接位置に配備した第１ノズルＡと、第１ノズルＡの後方やや上方位置に配備した第２ノズルＢとから略水平方向にエアを噴射し、複数枚の鋼板Ｐを積層Ｓから浮き上がらせる。例文帳に追加
In this sheet takeout device, air is nearly horizontally jetted from first nozzles A disposed near sides of a stacked layer S and second nozzles B disposed nearly above the first nozzles A in the rear of the first nozzles A to float a plurality of steel sheets P from the stacked layer S. - 特許庁
使用するＳｉ基板を面方位が（００１）で＜０１１＞方向へのオフ角が４°のものとした上で、Ｓｉ上に積層する材料として９０ｎｍ以下のＧａＰ層またはＧａＰを機軸とする２種類のIII−Ｖ族化合物半導体を積層しておき、その上にペロブスカイト系の酸化膜を積層する。例文帳に追加
On the Si wafer for use that has the face orientation of (001) and an off-angle of 4 degrees in the <011> direction, the GaP layer of 90 nm or smaller or two kinds of group III-V compound semiconductors having GaP as a main component is laminated as a material laminated on the Si wafer, and an oxide layer of a perovskite series is laminated thereon. - 特許庁
本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。例文帳に追加
There is provided a base material 1 with a graphene sheet, wherein an epitaxially grown cubical crystal silicon carbide layer 3 and a graphene sheet 4 are sequentially laminated on a silicon substrate 2 whose crystal orientation is (111) surface. - 特許庁
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「積層方位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
GaAs又はInPからなる化合物半導体基板上に光吸収層を積層した半導体赤外線検出素子において、前記化合物半導体基板表面の面方位を(111)A面とした。例文帳に追加
In the semiconductor infrared radiation detecting element, in which a light absorption layer is laminated on a compound semiconductor substrate composed of GaAs or InP, the face orientation of the compound semiconductor substrate surface is set to (111)A plane. - 特許庁
側端面に互いに平行な一対のスリットを形成し、そのスリットに仕切られた部分の電極を折り曲げて、積層電極２の側端面よりも内方位置に電極面を形成する。例文帳に追加
An electrode surface is formed at a position more inside than the side end surface of the laminated electrode 2 by forming a pair of slits in parallel with each other on the side end surface, and bending the electrode in a part partitioned by the slits. - 特許庁
結晶面方位が（１００）面のＳｉ基板１にエッチング処理を施し、（１１１）面を表面露出させて凹陥部１ａを形成し、該凹陥部１ａ上にＩＩＩ族窒化物半導体を積層する。例文帳に追加
An Si substrate 1 whose crystal face orientation is (100) plane is etched to expose (111) plane on a surface for forming a recess 1a on which a group III nitride semiconductor is laminated. - 特許庁
半導体積層体１２０は、シリコンの面方位である｛０１１｝面と平行な面を劈開面１１３に持ち、該劈開面１１３は端面ミラーを構成する。例文帳に追加
The semiconductor laminate 120 has cleavage planes 113 parallel to a plane (011) that is the plane orientation of silicon, and the cleavage planes 113 constitute the end surface mirror. - 特許庁
積層体１００を構成する全結晶粒１１０の結晶方位の配向率を計測すると、Ｃ面が±１０°で９０％以上の配向率をもつことがが確認された。例文帳に追加
Measurement of the orientation rate of the crystal orientation of all the crystal gains 110 forming the stacked body 100 showed that the C surface has an orientation rate of 90% or more at ± 10°. - 特許庁
次に、データ処理部９は、二次元分布データＫ１〜Ｋｎをこの順に積層することにより、結晶方位の三次元分布データＱを構築する。例文帳に追加
Next, a data processing part 9 is used to laminate the two-dimensional distribution data K1-Kn in this order to construct the three-dimensional distribution data Q of the crystal orientation. - 特許庁
結晶方位の揃った良質のシリコン薄膜が形成された積層構造およびそれを用いた薄膜多結晶太陽電池ならびに薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加
To obtain a laminated structure in which the fine thin film of silicon having arranged crystal orientation is formed, a thin-film polycrystalline solar cell using the laminated structure and a thin film transistor. - 特許庁
基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。例文帳に追加
Subsequently, a perovskite oxide thin film oriented to any one of (111), (001), and (110) is obtained by laminating the perovskite oxide thin film on the crystal orientation controlling buffer layer. - 特許庁
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laminated orientation
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