「積層方位」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

使用するＳｉ基板を面方位が（００１）で＜０１１＞方向へのオフ角が４°のものとした上で、Ｓｉ上に積層する材料として９０ｎｍ以下のＧａＰ層またはＧａＰを機軸とする２種類のIII−Ｖ族化合物半導体を積層しておき、その上にペロブスカイト系の酸化膜を積層する。例文帳に追加

On the Si wafer for use that has the face orientation of (001) and an off-angle of 4 degrees in the <011> direction, the GaP layer of 90 nm or smaller or two kinds of group III-V compound semiconductors having GaP as a main component is laminated as a material laminated on the Si wafer, and an oxide layer of a perovskite series is laminated thereon. - 特許庁

本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。例文帳に追加

There is provided a base material 1 with a graphene sheet, wherein an epitaxially grown cubical crystal silicon carbide layer 3 and a graphene sheet 4 are sequentially laminated on a silicon substrate 2 whose crystal orientation is (111) surface. - 特許庁

GaAs又はInPからなる化合物半導体基板上に光吸収層を積層した半導体赤外線検出素子において、前記化合物半導体基板表面の面方位を(111)A面とした。例文帳に追加

In the semiconductor infrared radiation detecting element, in which a light absorption layer is laminated on a compound semiconductor substrate composed of GaAs or InP, the face orientation of the compound semiconductor substrate surface is set to (111)A plane. - 特許庁

側端面に互いに平行な一対のスリットを形成し、そのスリットに仕切られた部分の電極を折り曲げて、積層電極２の側端面よりも内方位置に電極面を形成する。例文帳に追加

An electrode surface is formed at a position more inside than the side end surface of the laminated electrode 2 by forming a pair of slits in parallel with each other on the side end surface, and bending the electrode in a part partitioned by the slits. - 特許庁

結晶面方位が（１００）面のＳｉ基板１にエッチング処理を施し、（１１１）面を表面露出させて凹陥部１ａを形成し、該凹陥部１ａ上にＩＩＩ族窒化物半導体を積層する。例文帳に追加

An Si substrate 1 whose crystal face orientation is (100) plane is etched to expose (111) plane on a surface for forming a recess 1a on which a group III nitride semiconductor is laminated. - 特許庁

半導体積層体１２０は、シリコンの面方位である｛０１１｝面と平行な面を劈開面１１３に持ち、該劈開面１１３は端面ミラーを構成する。例文帳に追加

The semiconductor laminate 120 has cleavage planes 113 parallel to a plane (011) that is the plane orientation of silicon, and the cleavage planes 113 constitute the end surface mirror. - 特許庁

積層体１００を構成する全結晶粒１１０の結晶方位の配向率を計測すると、Ｃ面が±１０°で９０％以上の配向率をもつことがが確認された。例文帳に追加

Measurement of the orientation rate of the crystal orientation of all the crystal gains 110 forming the stacked body 100 showed that the C surface has an orientation rate of 90% or more at ± 10°. - 特許庁

次に、データ処理部９は、二次元分布データＫ１〜Ｋｎをこの順に積層することにより、結晶方位の三次元分布データＱを構築する。例文帳に追加

Next, a data processing part 9 is used to laminate the two-dimensional distribution data K1-Kn in this order to construct the three-dimensional distribution data Q of the crystal orientation. - 特許庁

結晶方位の揃った良質のシリコン薄膜が形成された積層構造およびそれを用いた薄膜多結晶太陽電池ならびに薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To obtain a laminated structure in which the fine thin film of silicon having arranged crystal orientation is formed, a thin-film polycrystalline solar cell using the laminated structure and a thin film transistor. - 特許庁

基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。例文帳に追加

Subsequently, a perovskite oxide thin film oriented to any one of (111), (001), and (110) is obtained by laminating the perovskite oxide thin film on the crystal orientation controlling buffer layer. - 特許庁

異なる結晶面方位を有する半導体層が積層された半導体基板を用いて、基板表面に異なる結晶面方位を有する領域を作成する場合に、結晶欠陥の発生を抑制することを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate for suppressing the generation of any crystal defect in the case of creating a region having different crystal plane orientation on the substrate surface by using a semiconductor substrate where a semiconductor layer having the different crystal plane orientation is laminated. - 特許庁

積層体はスペーサ２０８ａ〜２０８ｆ上に載置され、その際、外方位置決め部２０４ａ〜２０４ｃの外方係合部２１０ａ〜２１０ｃが凸部対同士の間の凹部に係合するとともに、内方位置決め部２０６の内方係合部２１２ａ〜２１２ｃが凹部と係合する。例文帳に追加

The laminate is placed on the spacers 208a-208f, and on that occasion, the outer engagement sections 210a-210c of the outer positioning sections 204a-204c are engaged in recesses between a pair of projections, and the inner engagement sections 212a-212c of the inner positioning section 206 are engaged in the recesses. - 特許庁

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。例文帳に追加

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side. - 特許庁

ルチル構造の結晶質基板、又は導電性または半導電性のスピネル構造結晶質基板を用いて、その基板上にペロブスカイト含有層状化合物がその化合物の層状の積層方向が基板面と平行になる方位でエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

A rutile-structure crystalline substrate or a conductive or semiconductive spinel-structure crystalline substrate is employed, and a perovskite-containing laminar compound is epitaxially grown on the substrate as the direction of lamination of the laminar compound is oriented in parallel with the surface of the substrate. - 特許庁

半導体レーザ装置は、主面の面方位が（１−１００）である基板１１と、基板１１の上に形成され、ストライプ状の光導波路を有する半導体積層体１２と、基板１１における出射端面の少なくとも一部に形成された複数の錘状突起部１３とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor laser device includes a substrate 11 of whose main surface the plane orientation is (1-100); a semiconductor laminate 12 formed on the substrate 11, which includes a stripe-shaped optical waveguide; and a plurality of pyramidal protrusions 13 formed at least at a portion of outgoing edge surface in the substrate 11. - 特許庁

非接触式ＩＣカードは、ＩＣチップ３を貫通する大きさの穴部を有する中間層基材シート７を積層し、更に前記ＩＣチップ上方位置に、内部が空洞である断面形状を有する補強部材９を載置して構成する。例文帳に追加

The noncontact IC card comprises an IC chip 3, an intermediate layer base material sheet 7 laminated thereon, which has a hole part of a size passing through the IC chip 3, and a reinforcement member 9 having a hollowed sectional shape placed on a position above the IC chip. - 特許庁

本発明の半導体装置１０は、ＧａＳｂ基板１の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷ３を有し、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor device 10 of the present invention includes MQW 3 in which (InAs/GaSb) is repeatedly laminated on a GaSb substrate 1 and a plane direction of the GaSb substrate is (100) with an off angle within a range from 0.1° to 10° in a direction A (111). - 特許庁

遊技機１Ａの裏面右上部に電源基板18Ａを設け、電源基板18Ａに積層する形で、遊技枠情報端子基板19Ａと遊技盤情報端子基板20Ａを配置し、電源基板18Ａと並ぶ最側方位置に貸球ユニット接続基板22を設ける。例文帳に追加

A power supply substrate 18A is provided at the right upper section of the back face of the game machine 1A, a game frame information terminal substrate 19A and a game board information terminal substrate 20A are laminated on the power supply substrate 18A, and a rental ball unit connecting substrate 22 is provided at the most side position in parallel with the power supply substrate 18A. - 特許庁

低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面１１ａの結晶面方位を（１１１）ジャスト面とした基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12 formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another is provided on a low- resistance silicon substrate 11 one main surface 11a of which is oriented in the (111) crystal plane. - 特許庁

窒化物半導体レーザ装置は、主面の面方位が｛１００｝面であるシリコンからなる基板１０１と、該基板１０１の上に形成され、それぞれがIII-Ｖ族窒化物からなり、多重量子井戸活性層１０７を含む複数の半導体層により構成された半導体積層体１２０とを有している。例文帳に追加

The nitride semiconductor laser device has: a substrate 101 composed of silicon whose principal plane orientation is a (100) plane; and a semiconductor laminate 120 formed on the substrate 101 and constituted of a plurality of semiconductor layers each composed of a nitride of groups III-V, which include a multiple quantum well active layer 107. - 特許庁

半導体基板１の主表面上に半導体素子を形成する位置（角度）を高精度に制御するために（位置合わせを精密に行なえるようにするために）、半導体基板１の主表面上における結晶方位を正確に示す目印として用いるための積層欠陥２が備えられている。例文帳に追加

In order to control a position (angle) for forming the semiconductor element on the principal surface of the semiconductor substrate 1 with high precision (to precisely perform positioning), the semiconductor substrate includes a stacking fault 2 to be used as a mark for correctly indicating crystal orientation on the principal surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

おもて面の面方位を（０００−１）面とする半導体基板１上に、エピタキシャル成長法によってｎ^-ドリフト領域２、ｐベース領域３およびｎ^+ソース領域４をこの順に積層した炭化珪素半導体を形成する。例文帳に追加

A silicon carbide semiconductor is formed, wherein an n^- drift region 2, a p-base region 3 and an n^+ source region 4 are laminated in this order by an epitaxial growth method on a semiconductor substrate 1 containing a plane orientation of a front surface as a (000-1) plane. - 特許庁

主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ及び上部半導体ＤＢＲを含む複数の半導体層が積層されている。例文帳に追加

On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked. - 特許庁

基材フィルム層１３と、一方向のみに易引裂性を有する直線カットフィルム層１５と、シーラントフィルム層１９とを順次積層してなり、前記基材フィルム層１３の分子配向に関する物性値として、その誘電率の最大値と最小値との差Δεを０．３以下とし、誘電率の最大値方位角を−４０°以上＋４０°以下とすることを特徴とするフィルムシート１１を提供する。例文帳に追加

As a physical property in relation to the molecular orientation of the base film layer 13, the difference Δε between the maximum and minimum of its dielectric constant is made 0.3 or below, and the maximum azimuth angle of the dielectric constant is -40 to +40°. - 特許庁

レーザ透過性樹脂部品と、レーザ非透過性樹脂部品を上下にサンドイッチ状に積層し、その材質の異なる樹脂部品間の接合面部分の側方位置にレーザ照射装置のレーザ照射ヘッドを配置し、このレーザ照射ヘッドより前記接合面の端部に向けてレーザ光を照射する。例文帳に追加

This method is to laminate the laser-transmitting resin component and the laser-nontransmitting resin part over each other vertically in a sandwich form and expose a laser beam to the end part of a joint area between the resin parts of different materials by a laser exposing head of a laser exposing device arranged at a position to the side of the joint area part. - 特許庁

液晶表示装置における視認性の視角変化による低下を広範囲の方位で防止でき、品質に優れる大面積物も容易に安定して形成できる光学フィルムの製造方法、及び広視野角の積層偏光板、広い視角範囲でコントラストや白黒表示等の視認性に優れる液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical film preventing visibility in a liquid crystal display device from lowering due to viewing angle variation in a wide range of directions and easily and stably forming large area goods with excellent quality, a laminated polarizing plate with wide viewing angle and the liquid crystal display device with excellent contrast and visibility such as a black and white display in a wide viewing angle range. - 特許庁

結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。例文帳に追加

The nitride semiconductor field-effect transistor has at its gate a channel comprising a double heterostructure which has an Al_xGa_1-xN layer, a GaN layer, and an Al_yGa_1-yN layer laminated in order in a +c direction of crystal orientation and is depleted by setting (x) and (y) in a relation of x≥y. - 特許庁

屈折率の入射偏光方位依存性が互いに異なる２つの領域を順次積層した構造を有し照明光を回折させる偏光選択性ホログラム光学素子３と、偏光選択性ホログラム光学素子３により回折された照明光の偏光状態を変調する反射型空間光変調素子１０とを備える。例文帳に追加

A polarization selective hologram optical element 3 which has structure where two areas different in the incident polarization orientation dependency of refractive indexes are successively laminated and illumination light is refracted and a reflection-type space optical modulation element 10 modulating the polarized state of illumination light refracted by the polarization selective hologram optical element 3 are arranged. - 特許庁

樹脂層間に接着剤を注入して両者を接着することで樹脂積層体を得るに際し、接着剤注入ノズルの下方位置の表皮材部分が損傷することを抑制しつつ両樹脂層間に接着剤を充填し、且つ上記表皮材部分の表面側に窪みが生じることを抑制する。例文帳に追加

To fill the space between two resin layers with an adhesive while preventing a skin material part at a position below an adhesive injecting nozzle from being damaged, and prevent dents from generating on the surface side of the skin material part, when obtaining a resin laminate by bonding two resin layers by injecting an adhesive between the resin layers. - 特許庁