等時アニールの英語

機械的強度及び誘電率ともに製作目標を達成しつつ、エッチングやアニール時における直交二方向の寸法変化率を略均等に減少させて、所定性能を安定よく確保することができる回路基板を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit board in which a specified performance can be ensured stably by reducing the dimensional variation rate substantially uniformly in two orthogonal directions at the time of etching or annealing while achieving a production target as well as the mechanical strength and permittivity. - 特許庁

成形時間が短く、即ち生産性が良好で、熱処理（アニール処理）を行うことなしに既存の熱可塑性樹脂と同等以上の耐熱性、機械的特性を有する樹脂組成物成型品を製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a resin composition molding which can be molded in a short time, namely, with favorable productivity, and has heat resistance and mechanical characteristics equivalent or superior to those of a conventional thermoplastic resin without being subjected to heat treatment (annealing). - 特許庁

電子線照射等の後に行う水素アニール時に水素が十分にデバイスを構成する半導体のダメージ部分まで到達し、ダメージ回復が行えるようにすると共に、表面電極の劣化を抑制することができるようにする。例文帳に追加

To provide techniques in which hydrogen can sufficiently penetrate to a damaged portion of a semiconductor constituting a device during hydrogen annealing, after electron beam irradiation or the like to lead to damage recovery, and to suppress deterioration of a surface electrode. - 特許庁

アニール処理における温度及び時間等の条件を変化させることにより、初期工程での流路形成基板用ウエハ１１０の変形を調整し、圧電素子を形成する工程での流路形成基板用ウエハ１１０の変形を所望の範囲に誘導（抑制）する。例文帳に追加

Deformation of a wafer 110 for a channel formation substrate is regulated in the initial process by changing the conditions in annealing such as the temperature, time period, or the like, thus guiding or minimizing deformation of the wafer 110 for a channel formation substrate to a desired range in a process for forming a piezoelectric element. - 特許庁

半導体基板側から熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜の２層を積層したゲート絶縁膜を有する半導体装置において、アニール処理時にＣＶＤ酸化膜の内部応力が圧縮応力に変化することによる半導体基板等の歪みを低減する。例文帳に追加

To reduce a distortion of a semiconductor substrate due to the change in the internal stress of a CVD oxide film into a compressive stress, during an annealing process in a semiconductor device that has a gate insulating film, made by laminating a thermally oxidated film and the CVD oxide film from the semiconductor substrate side. - 特許庁

本Ｂｉ_2Ｓｒ_2Ｃａ_2Ｃｕ_3Ｏ_X系超伝導薄膜は、Ｂｉ−２２１２を０〜約１１ｍｏｌ％の範囲で結晶格子毎に混合したものとすることで、経時変化が生じるアニール処理等を行うことなくキャリア濃度を適切なものとし、臨界電流密度Ｊ_cを大きくし、表面抵抗Ｒ_sを低くすることができる。例文帳に追加

In the superconductive thin film of Bi2Sr2Ca2Cu3Ox, the carrier concentration is made suitable without annealing treatment which causes the change with the lapse of time, the critical current density Jc is increased and the surface resistance Rs is lowered by mixing Bi-2212 in an concentration of 0 to about 11 mol.% every crystal lattice. - 特許庁

圧力容器１２と反応容器２０とヒーター手段３２とを有している高圧アニール装置１０において、ヒーター手段３２の不作動により反応容器２０内部の温度が降下し、反応容器２０内部圧力が減圧状態になったときに、反応容器２０内部の圧力変動に応答する圧力センサー５４を用意し、空域３０内部の圧力変動に応答する圧力センサー５６を用意し、これらの圧力センサーをヒーター手段不作動時に直ちに起動する無停電電源５８に接続し、両圧力センサー５４、５６を同期させながら反応容器２０の外側の圧力を下げることにより反応容器内外の圧力を等しい値に保持し破損を防止する。例文帳に追加

These pressure sensors are connected to a power non-failure power supply 58 immediately started when the heater means 32 is not operated and the outside pressure of the reaction container 20 is lowered while synchronizing both pressure sensors 54 and 56 to hold the internal and external pressures of the reaction container 20 to an equal value to prevent the damage of the reaction container 20. - 特許庁