脱膜化の英語

硝化させた排水Ｄ_４を第２の脱窒槽37にて脱窒した後、ＭＦ膜槽41で膜分離して１次処理水Ｗ_１とする。例文帳に追加

Nitrified waste water D_4 is denitrified in a second denitrification tank 37, then membrane-separated in an MF membrane tub 41 and turned to primary treated water W_1. - 特許庁

分離膜４は、含水素化合物、含水素化合物の脱水素反応で得られる脱水素化合物、及び水素を含む混合物から脱水素化合物及び水素を共に選択的に透過する無機材料から構成される膜である。例文帳に追加

The separation membrane 4 is a membrane comprising an inorganic material for selectively permeating both of hydrogen and the dehydrogenated compound which is obtained by a dehydrogenation reaction of the hydrogen-containing compound, from a mixture of the hydrogen-containing compound, the dehydrogenated compound and the hydrogen. - 特許庁

半導体素子のゲートマスクである窒化膜を、７５０℃よりも高い、窒化膜から水素を離脱させる温度で成膜する。例文帳に追加

A nitride film, which is a gate mask for the semiconductor device, is formed at 750°C or higher at which hydrogen is removed from the nitride film. - 特許庁

窒化膜１２中に導入された水素ラジカル１４が塩素１３とが結合して塩化水素１５を生成し、塩化水素１５が窒化膜１２から離脱する。例文帳に追加

Hydrogen radicals 14 introduced into the nitride film 12 bond to chlorine 13 to produce hydrogen chloride 15 which leaves the nitride film 12. - 特許庁

多孔質ケイ酸塩膜の脱ヒドロキシル化およびアルキル化のための真空／気相反応器の提供。例文帳に追加

To provide a vacuum/gas phase reactor for dehydroxylating and alkylating a porous silicate film. - 特許庁

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。例文帳に追加

In a transistor including an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation is performed on the oxide semiconductor film through heat treatment and an insulation film including oxygen, preferably a gate insulation film including a region containing oxygen more than the stoichiometric composition ratio is used as a gate insulation film in contact with the oxide semiconductor film, whereby oxygen is supplied from the gate insulation film to the oxide semiconductor film. - 特許庁

また、脱水化または脱水素化処理が施された後に、酸化物絶縁膜が接して形成された酸化物半導体膜を利用することで、閾値の経時変化が抑制され、論理回路の信頼性を高められる。例文帳に追加

In addition, a change in a threshold voltage over time is suppressed and the reliability of a logic circuit can be improved by using an oxide semiconductor film which is formed when an oxide insulating film is in contact thereto after dehydration or dehydrogenation treatment. - 特許庁

気体透過能を有する均質膜と、該均質膜を支持する多孔質支持層とを有する脱気用複合中空糸膜において、酸化防止剤量が０.００５質量％以下であることを特徴とする脱気用複合中空糸膜。例文帳に追加

The degassing hollow fiber membrane includes a homogeneous membrane having gas permeability, and a porous support layer supporting the homogeneous membrane, wherein the amount of an oxidation inhibitor is ≤0.005 mass%. - 特許庁