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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 脱膜化の意味・解説 > 脱膜化に関連した英語例文

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脱膜化の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 454



例文

温度変着可能なイオン交換例文帳に追加

ION EXCHANGE MEMBRANE DESORBABLE BY TEMPERATURE CHANGE - 特許庁

酸素富およびそれを用いた臭装置例文帳に追加

OXYGEN ENRICHING MEMBRANE AND DEODORIZING APPARATUS USING IT - 特許庁

有機合物水溶液の塩方法、有機合物水溶液の塩装置およびモザイク荷電例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR DEMINERALIZING ORGANIC COMPOUND AQUEOUS SOLUTION, AND CHARGE-MOSAIC MEMBRANE - 特許庁

水素することは、第1層間絶縁のストレスを変させうる。例文帳に追加

Dehydrogenating changes a stress of the first inter-layer insulating film. - 特許庁

例文

半導体素子のゲートマスクである窒を、750℃よりも高い、窒から水素を離させる温度で成する。例文帳に追加

A nitride film, which is a gate mask for the semiconductor device, is formed at 750°C or higher at which hydrogen is removed from the nitride film. - 特許庁


例文

水過程では、ポリアミド酸溶液を水閉環させてポリイミドすることでポリイミド薄を形成する。例文帳に追加

In the dehydration process, the polyamic acid solution is cyclodehydrated and polyimidated to form the polyimide thin-film. - 特許庁

させた排水D_4を第2の窒槽37にて窒した後、MF槽41で分離して1次処理水W_1とする。例文帳に追加

Nitrified waste water D_4 is denitrified in a second denitrification tank 37, then membrane-separated in an MF membrane tub 41 and turned to primary treated water W_1. - 特許庁

12中に導入された水素ラジカル14が塩素13とが結合して塩水素15を生成し、塩水素15が窒12から離する。例文帳に追加

Hydrogen radicals 14 introduced into the nitride film 12 bond to chlorine 13 to produce hydrogen chloride 15 which leaves the nitride film 12. - 特許庁

多孔質ケイ酸塩ヒドロキシルおよびアルキルのための真空/気相反応器の提供。例文帳に追加

To provide a vacuum/gas phase reactor for dehydroxylating and alkylating a porous silicate film. - 特許庁

例文

バイアスパワーを印加して成した窒珪素から離する水素を適正に制御する半導体素子の窒珪素、窒珪素の製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon nitride film of a semiconductor element in which hydrogen desorbed from a silicon nitride film deposited by applying a bias power is controlled properly, and to provide a method and an apparatus for producing the silicon nitride film. - 特許庁

例文

ポリマ中の水酸基処理方法及びそれを用いた光導波路例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING HYDROXYL GROUP IN POLYMER FILM AND OPTICAL WAVEGUIDE BY USING THE SAME - 特許庁

処理された高誘電体からの窒素原子の離を抑制する。例文帳に追加

To control desorption of the nitrogen atom from a nitrided high-dielectric film. - 特許庁

水素された層間絶縁を含む半導体装置も提供される。例文帳に追加

The semiconductor device including a dehydrogenated inter-layer insulating film is also provided. - 特許庁

アモルファス酸シリコン層の水素処理の際に表面が酸されず自然酸が形成されない。例文帳に追加

A naturally oxidized film is not formed because the surface is not oxidized during the dehydrogenation process of the amorphous silicon oxide layer. - 特許庁

細胞することにより、漿および羊を有する胎盤(好ましくはヒト胎盤)から、コラーゲンバイオ繊維を調製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preparing a collagen biofabric from a placental membrane (preferably human placental membrane) having a chorionic and amniotic membrane, by decellularizing the amniotic membrane. - 特許庁

染色された陽極酸を形成している色部の一部を、色剤溶液に浸漬する又は色部に色剤溶液を付着する。例文帳に追加

This decorating method includes the step of immersing one part of a decolorized part which forms one part of a dyed anodic oxide coating, into a solution of a decolorizing agent, or the step of making the decolorized part contact with the solution of the decolorizing agent. - 特許庁

貫通領域欠如型N−アセチルグルコサミンアセチル酵素をコードするDNA例文帳に追加

DNA ENCODING TRANSMEMBRANE DOMAIN-LACKING TYPE N- ACETYLGLUCOSAMINE DEACETYLATION ENZYME - 特許庁

物半導体を含むトランジスタにおいて、酸物半導体に熱処理によるまたは水素を行うとともに、酸物半導体と接するゲート絶縁として、酸素を含む絶縁、好ましくは、学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁を用いることで、該ゲート絶縁から酸物半導体へ酸素を供給する。例文帳に追加

In a transistor including an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation is performed on the oxide semiconductor film through heat treatment and an insulation film including oxygen, preferably a gate insulation film including a region containing oxygen more than the stoichiometric composition ratio is used as a gate insulation film in contact with the oxide semiconductor film, whereby oxygen is supplied from the gate insulation film to the oxide semiconductor film. - 特許庁

耐食性の優れたアルミニウム及び又はマグネシウムを、クロム合物を用いないで得る方法。例文帳に追加

METHOD FOR OBTAINING ALUMINUM AND/OR MAGNESIUM EXCELLENT IN CORROSION RESISTANCE BY REMOVING OXIDE FILM WITHOUT USING CHROMIUM COMPOUND - 特許庁

この離した不純物を排気した後、スパッタにより基板6にフッ物からなる薄を成する。例文帳に追加

After exhausting the removed impurities, the thin film including the fluoride is deposited on the substrate 6 by sputtering. - 特許庁

分離4は、含水素合物、含水素合物の水素反応で得られる水素合物、及び水素を含む混合物から水素合物及び水素を共に選択的に透過する無機材料から構成されるである。例文帳に追加

The separation membrane 4 is a membrane comprising an inorganic material for selectively permeating both of hydrogen and the dehydrogenated compound which is obtained by a dehydrogenation reaction of the hydrogen-containing compound, from a mixture of the hydrogen-containing compound, the dehydrogenated compound and the hydrogen. - 特許庁

光触媒用酸チタン2は減菌、臭、清浄作用に効果を発揮する。例文帳に追加

The titanium oxide layer for photo-catalyst shows the effect on the pasteurization, deodorization and cleanness. - 特許庁

特に、第1層間絶縁水素の後、200MPa以上の引張ストレスを有しうる。例文帳に追加

Particularly, after dehydrogenating the first inter-layer insulating film, a tensile stress of 200 MPa or more is exhibited. - 特許庁

気装置を効率的に洗浄して、経時による圧力損失の上昇、流量低下、気性能の低下やを防止する。例文帳に追加

To provide a method for cleaning a membrane deaerator comprising efficiently cleaning a membrane deaerator and preventing increase in pressure loss, decrease in flow rate, reduction in deaeration performance and membrane deterioration with time. - 特許庁

また、または水素処理が施された後に、酸物絶縁が接して形成された酸物半導体を利用することで、閾値の経時変が抑制され、論理回路の信頼性を高められる。例文帳に追加

In addition, a change in a threshold voltage over time is suppressed and the reliability of a logic circuit can be improved by using an oxide semiconductor film which is formed when an oxide insulating film is in contact thereto after dehydration or dehydrogenation treatment. - 特許庁

物半導体を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理によるまたは水素処理、及び酸素ドープ処理を行う。例文帳に追加

In steps for manufacturing a bottom-gate structure transistor having an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and oxygen doping treatment are performed. - 特許庁

物半導体を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理によるまたは水素処理、及び酸素ドープ処理を行う。例文帳に追加

A manufacturing process of a bottom gate structure transistor having an oxide semiconductor film comprises performing dehydration by heat treatment or a dehydrogenation treatment, and oxygen dope processing. - 特許庁

簡易な設備で含水素合物と水素合物とを分離することが可能な分離を提供する。例文帳に追加

To provide a separation membrane which allows a hydrogen-containing compound to be separated from a dehydrogenated compound in simple equipment. - 特許庁

ペーストの塗布後、泡剤によりペースト11から泡を除去し、かつ11を樹脂の自己硬、熱硬又は光硬の作用により適度の硬めにする。例文帳に追加

After the paste is coated, the foams are removed from the paste membrane by the defoaming agent, then the membrane is self-cured, thermally cured or photo-cured to a proper hardness. - 特許庁

シリコン窒の形成方法は、(イ)表面を終端した水素原子が離しない雰囲気温度にて、シリコン層40の表面を熱酸することによって、シリコン酸42を形成する工程と、(ロ)得られたシリコン酸42を窒処理することによって、シリコン窒42Aを得る工程から成る。例文帳に追加

The formation method includes (1) a step of forming a silicon oxide film 42 by thermally oxidizing a surface of a silicon layer 40 at an atmosphere temperature at which hydrogen atoms terminated on its surface are not detached, and (2) a step of obtaining a silicon nitride oxide film 42A by subjecting the obtained silicon oxide film 42 to a nitriding process. - 特許庁

分離4を備えることにより、水素合物及び水素を共に選択的に透過させて含水素合物、水素合物、及び水素の熱力学平衡をシフトさせ、水素反応を促進させる。例文帳に追加

The thermodynamic equilibrium among the hydrogen-containing compound, the dehydrogenated compound and the hydrogen is shifted by the selective permeation of both of the dehydrogenated compound and the hydrogen through the separation membrane 4 to accelerate the dehydrogenation reaction. - 特許庁

1層目窒21の表面に残存する塩素31とアニールガス32とが反応し、反応生成物33となり1層目窒21から離する。例文帳に追加

Chlorine 31 remaining on the surface of the first layer nitride film 21 reacts on the anneal gas 32 to produce reaction products 33 which leave the first layer nitride film 21. - 特許庁

電解質に欠陥部があると酸素ガスが一方の面へと漏洩して、欠陥部近傍の検知水素して電気抵抗が変する。例文帳に追加

If the electrolyte membrane has a flaw part, the oxygen gas is leaked to one side of the electrolyte membrane and the sensor membrane in the vicinity of the flaw part is dehydrogenated to be changed in its electric resistance. - 特許庁

加工後やアルカリ脂後にも成皮が優れた耐食性,密着性を維持する成処理鋼板を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically-treated steel sheet in which a chemical film maintains excellent corrosion resistance and adhesion even after working and alkali degreasing. - 特許庁

チャネル形成領域を含む半導体層を酸物半導体とする薄トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸物半導体の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理(または水素のための加熱処理)を行う。例文帳に追加

In a manufacturing method of a semiconductor device having the thin film transistor in which a semiconductor layer including a channel formation region is an oxide semiconductor film, heat treatment for improving the purity of the oxide semiconductor film and reducing moisture and the like which are impurities (heat treatment for dehydration or dehydrogenation) is performed. - 特許庁

気体透過能を有する均質と、該均質を支持する多孔質支持層とを有する気用複合中空糸において、酸防止剤量が0.005質量%以下であることを特徴とする気用複合中空糸例文帳に追加

The degassing hollow fiber membrane includes a homogeneous membrane having gas permeability, and a porous support layer supporting the homogeneous membrane, wherein the amount of an oxidation inhibitor is ≤0.005 mass%. - 特許庁

こうしてこの成装置では、ガラス基板上にアモルファスシリコンを形成する工程と、アモルファスシリコン水素工程と、アモルファスシリコンのポリ工程と、を行うことができる。例文帳に追加

Then the film forming apparatus may include a step of forming an amorphous silicon film on the glass substrate, a dehydrogenation step of the amorphous silicon film, and a polycrystalization step of the amorphous silicon film. - 特許庁

また、低温で窒後に成温度より高い温度でアニールを行うことにより窒中の水素を一旦離した後、高温工程を行うことでSi−H結合の影響を抑制できる。例文帳に追加

Alternatively, an influence of the Si-H bond can be suppressed by performing a high-temperature process after once removing hydrogen in the nitride film by effecting film-formation of the nitride film at a low temperature and then annealing at a higher temperature than the film-formation temperature. - 特許庁

接合基材300はシロキサン結合と離基とを含む薄に活性処理を施した接合320を有している。例文帳に追加

A joining base material 300 has a joining film 320 made by applying an activation treatment to a thin film including a siloxane bond and an elimination group. - 特許庁

遠心成型後の無端や硬を遠心成型用の型から容易に型することができる無端ベルト形成方法を提供する。例文帳に追加

To easily demold an endless film or a cured film after centrifugal molding from a centrifugal mold. - 特許庁

これにより、ベース60内の水素原子が気相中へと離し、同60内の炭素原子の活性率が向上する。例文帳に追加

Thus, hydrogen atoms in the base film 60 are desorbed in the gas phase and the activation efficiency of the carbon atoms in the film 60 can be enhanced. - 特許庁

本発明は、気泡を泡して塗欠陥の発生を防止できるだけでなく、泡に伴う粘度変を抑制して塗の厚み変動を防止できる技術を実現する。例文帳に追加

To provide a techique capable of preventing not only the generation of coating film defects by deaerating air bubbles but also the fluctuation of the thickness of the coating film by suppressing the change of viscosity caused by deaeration. - 特許庁

容量素子として良好なリーク電流特性を得る為に、誘電体として成する金属酸中における酸素の欠乏を回避し、成用の液体材料中の有機成分を有効に離する。例文帳に追加

To obtain good leakage current characteristics for a capacitative element by avoiding oxygen deficiency in a metal oxide film formed as a dielectric film, and effectively separating organic components from a film-forming liquid material. - 特許庁

その際、あらかじめ低温シリコン酸Waがガス処理されているので、減圧加熱を施しても低温シリコン酸Waからはほとんどガスが発生しない。例文帳に追加

Degassing treatment is applied to the low-temperature silicon oxide film Wa, which hardly generates gas. - 特許庁

さらに電解質の他方の面に空気極を接合し、検知と空気極との間に電気回路を接続し、検知を水素し、空気極側の空間に供給した酸素ガスをイオンし、加熱された電解質を透過させて検知水素する。例文帳に追加

Further, an air pole is joined to the other side of the electrolyte membrane to connect an electric circuit across the sensor membrane and the air pole; the sensor membrane is hydrogenated; the oxygen gas supplied to the space on the side of the air pole is ionized and transmitted through the heated electrolyte membrane to dehydrogenate the sensor membrane. - 特許庁

さらに電解質の他方の面に空気極を接合し、調光薄と空気極の間に電気回路を接続し、電解質を加熱すると、酸素イオンが電解質を透過して調光薄水素して、調光薄の反射率が変する。例文帳に追加

An air electrode is joined to the other surface of the electrolyte membrane, an electric circuit is connected between the light modulation thin film and the air electrode, and when the electrolyte membrane is heated, an oxygen ion is transmitted through the electrolyte membrane, the light modulation thin film is dehydrogenated, and the reflectance of the light modulation film changes. - 特許庁

溶射の形成された成装置用部品において、成材料が付着し厚しても剥離、落せず、従ってパーティクルを生じ難く、従って成装置のクリーニング間隔の長期間を可能ならしめる成装置用部品およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide parts for a film forming device with a spray-coated film thereon which are free from peeling or drop even when a film forming material is adhered to increase the film thickness therefore free from generation of particles, and capable of increasing the cleaning interval of the film forming device, and also provide a method for manufacture thereof. - 特許庁

離反応によるコーティング形成まで学吸着分子の加水分解を抑制できるコーティングの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method of coating film which suppresses hydrolysis of chemical adsorption molecule until the coating film is formed by an elimination reaction. - 特許庁

有機物含有水をpH4〜6に調整した後、気装置1でガス処理し、その後反応塔2でオゾン酸分解処理する。例文帳に追加

Organic matter-containing water the pH of which is adjusted to 4-6 is subjected to degassing treatment in a degassing treatment apparatus 1 before subjected to ozone oxidizing decomposition treatment in a reaction tower. - 特許庁

例文

シロキサンポリマー(A)と、熱の作用により水またはアルコール反応を生じさせる合物(B)と、を含有してなるシリカ系被形成用組成物である。例文帳に追加

The composition for forming the silica-based film comprises a siloxane polymer (A) and a compound (B) that causes a dehydration or dealcoholation reaction by an action of heat. - 特許庁




  
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