薄膜光検出器の英語

光スイッチ薄膜１８では、制御光２５が入射されると、各マスクパターンを透過した平行信号光２６を透過すると共にパラレル信号に変換し、光検出器列２４の当該マスクパターンに対応する光検出器により各々検出される。例文帳に追加

When control light 25 is made incident on the optical switch thin film 18, the parallel signal light beams 26 having passed through the respective mask patterns are transmitted and converted into parallel signals and each of them is detected by an optical detector out of an optical detector array 24 corresponding to the mask pattern. - 特許庁

顕微鏡制御部１１は、該薄膜の対物レンズ２からの距離を光軸方向に変化させて、該距離と光検出器７で検出される輝度との関係を示す測定データを取得する。例文帳に追加

A microscope control section 11 changes the distance of the thin film from the objective lens 2 in the direction of the optical axis, and obtains measurement data indicating the relationship between the distance and the intensity detected by the photodetector 7. - 特許庁

次にパルスレーザー光６を照射し、そのときのレーザー反射光４の強度分布の変化を多分割型光検出器５で測定することにより薄膜の位置変動を測定し、その測定結果からそのとき薄膜に生じた加速度を測定する。例文帳に追加

It is then irradiated with a pulse laser light 6 and fluctuation in the intensity distribution of laser reflected light 4 is measured by a multi-split photodetector 5 in order to measure positional fluctuation of the thin film thus measuring an acceleration generated in the thin film. - 特許庁

光源より発した光をレンズにより所定の径を有する平行光線にし、さらに、偏光子により一定の偏光状態にした光を、薄膜試料３の表面に入射した際に発生する反射光を位相子７、検光子８を通過させた後、その光強度を２次元ＣＣＤ光検出器６により検出する。例文帳に追加

A light emitted from a light source is made into parallel rays with the prescribed diameter by a lens and is then made into a definite state of polarized light by a polarizer. - 特許庁

光透過性のインク残量検出部が形成されたインク容器であって、このインク残量検出部の内壁に撥水性又は撥油性薄膜を膜厚を均一となるように成膜できるものを提供する。例文帳に追加

To provide an ink container with an optically transparent remaining ink detection part formed therein, which forms a water repellent or an oil repellent thin film uniformly on the inner wall of the remaining ink detection part. - 特許庁

ガラス基板等からなる絶縁性基板上に非晶質シリコンより成る半導体薄膜を用いたフォトダイオードとＴＦＴ（薄膜トランジスタ）よりなる光電変換素子が複数２次元に形成され、その表面に半導体保護層が形成され、全体として光検出器が構成される。例文帳に追加

A plurality of photoelectric conversion elements, consisting of a photo-diode using a semiconductor thin film made of amorphous silicon and TFT (thin-film transistor), are formed on an insulating substrate made of a glass substrate and the like in two dimensions, and a semiconductor protection layer is formed on the surface thereof, thus forming an optical power detector as a whole. - 特許庁

基板上に下部電極、有機半導体薄膜及び上部電極が順次積層された有機半導体光検出器において、前記光検出器から実際に得られる光電信号の対波長特性（実線）が、前記有機半導体薄膜が有する光吸収率から計算される光電信号強度（点線）の波長特性よりも波長に対する変化がより鋭い特性を有する。例文帳に追加

In the organic semiconductor photodetector where a bottom electrode, an organic semiconductor thin film and a top electrode are sequentially stacked on a substrate, the wavelength characteristics (solid line) of the photoelectric signal actually obtained from the photodetector have steeper rate of change against the wavelength than those (dotted line) of the photoelectric signal intensity which is calculated from the optical absorptivity of the organic semiconductor thin film. - 特許庁

計算機６は、分光器５によって検出された光源１の光強度に用いて光源１の経年変化を検出し、その経年変化に基づいて光源１の較正を行ないながら、測定基板３からの反射光の光強度に基づいて測定基板３の薄膜を解析する。例文帳に追加

A computer 6 calculates the secular change of the light source 1 using the intensity of light of the light source 1 detected by the spectroscope 5 and analyses the thin film of substrate to be measured 3 on the basis of the intensity of light reflected by the substrate to be measured 3, while calibrating the light source 1 on the basis of the secular change. - 特許庁