表面パッシベーション法の英語

熱酸化法のような高温プロセスを用いず、低温で熱酸化法と同程度の表面パッシベーション特性をもつ太陽電池の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a solar cell which does not use a high-temperature process, such as thermal oxidation, and has the same surface passivation characteristic as thermal oxidation at low temperature. - 特許庁

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it. - 特許庁

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer. - 特許庁

ペーストの印刷時にパッシベーション層の表面に傷がつくことを有効に防止することが可能な印刷マスク及びフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a printing mask and a flip chip-type IC, by which the surface of a passivation layer can effectively be prevented from being damaged at the time of printing paste. - 特許庁

ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。例文帳に追加

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10. - 特許庁

オーバーコート層の表面上の突起などを低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機ＥＬ層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL display capable of preventing the occurrence of display defects caused by diffusion of residual gas and moisture to an organic EL layer, because coverage failure of a passivation layer is improved by reducing protrusions on the surface of an overcoat layer, and also provide its manufacturing method. - 特許庁

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。例文帳に追加

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method. - 特許庁

また、ｐ型半導体層を有する半導体基体１を準備する基体準備工程と、前記ｐ型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、前記プラズマに曝した前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子１０の製造方法。例文帳に追加

A method of manufacturing the solar cell element 10 has a substrate preparation step for preparing a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, a surface treatment step for exposing the surface of the p-type semiconductor layer to plasma which is formed by using gas containing nitrogen atoms, and a layer formation step for forming a passivation layer 7 on the p-type semiconductor layer exposed to the plasma. - 特許庁