逆電界の英語

第１および第２電界効果トランジスタQ1，Q2のゲートに印加する電圧は逆になる。例文帳に追加

Voltage applied to the gates of the first and the second field effects transistors Q1 and Q2 are reversed each other. - 特許庁

ドライブトランスTr1により電界効果トランジスタQ2とはオン、オフを逆にして電界効果トランジスタQ1を駆動し、電界効果トランジスタQ1，Q2を交互に、オン、オフする。例文帳に追加

The transistor Q1 is driven to reverse its turn-on or -off with respect to the transistor Q2 by a drive transformer Tr1 so as to turn on or off the transistors Q1, Q2 alternately. - 特許庁

逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。例文帳に追加

At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed. - 特許庁

２次転写を行う時には、第２の電界印加手段にトナーと逆極性の転写電界を印加して静電引力による２次転写を行い、２次転写時以外の時には、第２の電界印加手段は出力オフ、又はトナーと同極性の電界を印加する。例文帳に追加

In the case of performing the secondary transfer, a transfer electric field having the opposite polarity from toner is applied to the 2nd electric field applying means and the secondary transfer by electrostatic attraction is carried out; when the secondary transfer is not performed, the 2nd electric field applying means generates no output or applies an electric field having the same polarity with the toner. - 特許庁

物体（１８）により放出され第１の検出器（１９）の孔を通過した電子の一部は、逆電界格子（３６）により偏向され、第２の検出器（２１）により検出されないように、逆電界格子（３６）に電圧が印加される。例文帳に追加

A part of electrons which is emitted by the object (18) and passed through the hole of the first detector (19), is deflected by the reverse field grid (36), and a voltage is applied to the reverse field grid (36) to prevent the second detector (21) from detecting the deflected electrons. - 特許庁

ショットキバリアダイオード１１に逆バイアスが印加される場合、第１の導電部１９ａからの電界と第２の導電部１９ｂからの電界との重ね合わせにより、ショットキ接合２３のエッジ付近の電界強度を小さくなる。例文帳に追加

When a reverse bias is applied to the Schottky barrier diode 11, strength of an electric field near an edge of the Schottky junction 23 becomes low by overlap of an electric field from the first conductive portion 19a and an electric field from the second conductive portion 19b. - 特許庁

金属面への入射電界は逆相で反射されるため、近傍アンテナの特性を劣化させるが、ハイインピーダンス面への入射電界は、同相で反射されるため、近傍のアンテナの放射電界は、同相でアンテナへ戻り、アンテナ特性を劣化させない。例文帳に追加

An incident electric field into the surface of a metal is reflected with a reverse phase whereby the characteristics of a neighbored antenna are deteriorated, however, the incident electric field into the high impedance surface is reflected with the same phase whereby the radiation electric field of the neighbored antenna is returned to the antenna with the same phase and, therefore, the characteristics of antenna will not be deteriorated. - 特許庁

本発明の課題は、電界の印加による分子の立体配座の可逆的な変化に基づく原理により電界応答機能を有する分子膜誘電体デバイスを提供することにある。例文帳に追加

To provide a molecular film dielectric device having a field response function according to a principle based on the reversible variation of the conformation of a molecule caused by the application of a field. - 特許庁