「逆電界」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

上部クラッド層２８は、方向１３の分極電界を有する第１電界層２８６と、逆方向１４の分極電界を有する第２電界層２８５とを含む。例文帳に追加

The upper clad layer 28 includes a first electric field layer 286 having a polarization electric field in a direction 13 and a second electric field layer 285 having a polarization electric filed in an opposite direction 14. - 特許庁

第２の電界印加手段は制御手段に接続されており、その出力電界の極性を任意に変えられる（逆転される）ようになっている。例文帳に追加

The 2nd electric field applying means is connected to a control means and the polarity of its output electric field can optionally be changed (inverted). - 特許庁

第１および第２電界効果トランジスタQ1，Q2のゲートに印加する電圧は逆になる。例文帳に追加

Voltage applied to the gates of the first and the second field effects transistors Q1 and Q2 are reversed each other. - 特許庁

ドライブトランスTr1により電界効果トランジスタQ2とはオン、オフを逆にして電界効果トランジスタQ1を駆動し、電界効果トランジスタQ1，Q2を交互に、オン、オフする。例文帳に追加

The transistor Q1 is driven to reverse its turn-on or -off with respect to the transistor Q2 by a drive transformer Tr1 so as to turn on or off the transistors Q1, Q2 alternately. - 特許庁

逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。例文帳に追加

At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed. - 特許庁

２次転写を行う時には、第２の電界印加手段にトナーと逆極性の転写電界を印加して静電引力による２次転写を行い、２次転写時以外の時には、第２の電界印加手段は出力オフ、又はトナーと同極性の電界を印加する。例文帳に追加

In the case of performing the secondary transfer, a transfer electric field having the opposite polarity from toner is applied to the 2nd electric field applying means and the secondary transfer by electrostatic attraction is carried out; when the secondary transfer is not performed, the 2nd electric field applying means generates no output or applies an electric field having the same polarity with the toner. - 特許庁

物体（１８）により放出され第１の検出器（１９）の孔を通過した電子の一部は、逆電界格子（３６）により偏向され、第２の検出器（２１）により検出されないように、逆電界格子（３６）に電圧が印加される。例文帳に追加

A part of electrons which is emitted by the object (18) and passed through the hole of the first detector (19), is deflected by the reverse field grid (36), and a voltage is applied to the reverse field grid (36) to prevent the second detector (21) from detecting the deflected electrons. - 特許庁

ショットキバリアダイオード１１に逆バイアスが印加される場合、第１の導電部１９ａからの電界と第２の導電部１９ｂからの電界との重ね合わせにより、ショットキ接合２３のエッジ付近の電界強度を小さくなる。例文帳に追加

When a reverse bias is applied to the Schottky barrier diode 11, strength of an electric field near an edge of the Schottky junction 23 becomes low by overlap of an electric field from the first conductive portion 19a and an electric field from the second conductive portion 19b. - 特許庁

金属面への入射電界は逆相で反射されるため、近傍アンテナの特性を劣化させるが、ハイインピーダンス面への入射電界は、同相で反射されるため、近傍のアンテナの放射電界は、同相でアンテナへ戻り、アンテナ特性を劣化させない。例文帳に追加

An incident electric field into the surface of a metal is reflected with a reverse phase whereby the characteristics of a neighbored antenna are deteriorated, however, the incident electric field into the high impedance surface is reflected with the same phase whereby the radiation electric field of the neighbored antenna is returned to the antenna with the same phase and, therefore, the characteristics of antenna will not be deteriorated. - 特許庁

本発明の課題は、電界の印加による分子の立体配座の可逆的な変化に基づく原理により電界応答機能を有する分子膜誘電体デバイスを提供することにある。例文帳に追加

To provide a molecular film dielectric device having a field response function according to a principle based on the reversible variation of the conformation of a molecule caused by the application of a field. - 特許庁

これにより、強誘電体６は、第１の電極対によって電界が印加された部分と、第２の電極対によって電界が印加された部分とで、互いに逆向きに分極する。例文帳に追加

The ferroelectric 6 is polarized to opposite directions by a part where an electric field is impressed by the first pair of electrodes and a part where the electric field is impressed by the second pair of electrodes. - 特許庁

第１電界効果トランジスタＦ１のボディダイオードを介した直流電源Ｅ１への電流の逆流が、第２電界効果トランジスタＦ２のボディダイオードによって阻止される。例文帳に追加

A reverse current to the DC supply E1 through the body diode of the first field effect transistor F1 is blocked by the body diode of the second field effect transistor F2. - 特許庁

ノズル１の液体吐出口３側を除く周囲を、被塗布材３３とは逆極性の電圧を印加したときに発生する静電界を遮蔽する樹脂製の静電界遮蔽カバー５を設けた。例文帳に追加

Further, there is provided therein a resin electrostatic field shielding cover 5 for shielding the electrostatic field generated when the voltage whose polarity is reverse to the material to be coated 33 is applied so that the periphery except the liquid discharge opening 3 of the nozzle 1 is enclosed. - 特許庁

共振回路８Ａ，８Ｂは、変調用電極５による印加電界の方向と、変調用電極６による印加電界の方向とが反対方向になるように、変調用電極５，６に逆相の変調信号を印加する。例文帳に追加

Resonating circuits 8A, 8B apply the modulation signal of a reverse phase on the modulation electrodes 5, 6 so that a direction of an applying electric field due to the modulation electrode 5 and a direction of an applying electric field due to the modulation electrode 6 are reverse directions. - 特許庁

各伸縮部４ａ，４ｂは、印加される電界に垂直な方向に伸縮性を有しており、各伸縮部４ａ，４ｂの両面に電極３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを形成して、隣り合う伸縮部４ａ，４ｂには互いに逆相の電界を印加する。例文帳に追加

Each section 4a, 4b has expansion/shrinkage performance in a direction perpendicular to an electric field to be applied, electrodes 3a, 3b, 3c and 3d are formed on both surfaces of each of the sections 4a, 4b, and mutually reverse electric fields are applied to the adjacent sections 4a, 4b. - 特許庁

第２吐出電極１９に所定の電圧を印加すると、第２吐出電極からは、第１吐出電極１８の下面から発生する反発電界と逆向きの電界が発生する。例文帳に追加

When a predetermined voltage is applied to the second ejection electrode 19, the second ejection electrode generates an electric field reversely to a repulsion electric field being generated from the lower surface of the first ejection electrode 18. - 特許庁

さらに、電圧阻止能力と同等の逆バイアス電圧設定時に空乏層にかかる電界がシリコン最大電界強度以下になるように、Ｎ^-層１０１の不純物濃度（比抵抗）を設定している。例文帳に追加

The impurity concentration (specific resistance) of the N- layer 101 is set, so that electric field on the depletion layer becomes not more than silicon maximum electric field intensity at setting of inverse bias voltage which is similar to voltage inhibition ability. - 特許庁

逆方向電圧印加時には実際の接合部が臨界電界に達する以前に、第１埋め込み領域によって第１の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を向上させることができる。例文帳に追加

In applying a reverse voltage, an electric field of a horizontal direction is pinched off at the first depth by the first embedding region before an actual joining portion reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be improved. - 特許庁

タンデム電界吸収型変調器を使用する高速ＯＴＤＭ信号の同時逆多重化とクロック回復例文帳に追加

SIMULTANEOUS DEMULTIPLEXING AND CLOCK RECOVERY OF HIGH- SPEED OTDM SIGNAL USING TANDEM ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR - 特許庁

埋込み層もまた、ＬＤＤラテラルダイオードの電界を減少し、カソード−アノード間の逆再生特性を改良する。例文帳に追加

The buried layer can also reduce the electric field in a LDD lateral diode and improves cathode-to-anode reversed-recovery characteristics. - 特許庁

バス電極の逆テーパー発生を減らすことができる有機電界発光素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic electroluminescence element capable of reducing ocurrence of an inverse taper of a bus electrode and its manufacturing method. - 特許庁

冷却後、この状態は固定されるので、電界の方向を変えることにより、記録及び消去を可逆的に行うことが可能となる。例文帳に追加

After cooling, this state is fixed and, therefore, the recording and erasing can be reversibly performed by changing the direction of the electrical field. - 特許庁

当該分子スイッチは、電界の適用により、第１状態から第２状態へと可逆的に切り替わり得るよう構成し得る。例文帳に追加

The bistable molecular switch can be configured, such that the application of an electric field reversibly switches the molecular switch from the first state to the second state. - 特許庁

時間階調法における各発光期間の間に該有機エレクトロルミネッセンス素子に逆方向電界を印加する期間を含む。例文帳に追加

This driving method of electrooptic device includes a period for impressing an inverse direction electric field to the organic electroluminescence element during each light emission period in the time gradation method. - 特許庁

表示装置において画素を駆動する時に隣り合う画素同士で掛かる電界の向きが逆方向にならないようにする。例文帳に追加

To prevent directions of electric fields of adjacent pixels from being opposite to each other when driving pixels in a display device. - 特許庁

絶縁破壊電界強度が高く、逆回復電流が回路に流れない半導体モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor module which has high dielectric breakdown electric field strength and is free of a flow of reverse recovery current to a circuit. - 特許庁

供給用電界搬送基板は、担持位置にて、現像剤担持面の移動方向とは逆方向に現像剤を搬送する。例文帳に追加

An electric field carrying substrate for supply carries developer in a reverse direction to the moving direction of a developer bearing surface in a bearing position. - 特許庁

リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field effect transistor having less leak current and high breakdown voltage in a reverse direction, and capable of switching at a high speed and low loss. - 特許庁

逆方向の電界緩和効果を低下させることなく、低オン抵抗化を図り、順方向のオン電圧を低減することで損失を低減する。例文帳に追加

To lower ON resistance without lowering a field relaxing effect in the reverse direction and to reduce the loss by reducing an ON voltage in the forward direction. - 特許庁

逆方向の電界が印加された場合には透明基板の内壁から容易に離反でき、応答速度が速い表示用粒子を提供する。例文帳に追加

To provide particles for display which are easily separated from an inside wall of a transparent substrate in the case that an electric field in a reverse direction is applied, and have a high response speed. - 特許庁

ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する電界の向きを逆転させて、正孔を発光領域側に引き込む。例文帳に追加

The direction of an electric field generating on a boundary GaN/AlGaN on p side is reversed to bring in positive holes to the side of the light emission area. - 特許庁

アモルファスシリコンを用いる逆スタガ型のＴＦＴにおいて、ＴＦＴの電界効果移動度を向上させる。例文帳に追加

To improve the field effect mobility of a TFT in a reversely-staggered type TFT using amorphous silicon. - 特許庁

インダクタL1，L2とコンデンサC3との共振周波数により電界効果トランジスタQ1，Q2をそれぞれオン、オフが逆になるように、オン、オフする。例文帳に追加

Field effect transistors Q1, Q2 are individually switched on and off so that each has reverse ON or OFF by a resonant frequency of inductors L1, L2 and a capacitor C3. - 特許庁

逆流防止用の電界効果トランジスタの負荷等のショート等による過電流による破壊を防止することを目的とする。例文帳に追加

To prevent a damage to a load, etc., of a back-flow preventing field effect transistor by an overcurrent due to a short circuit, etc, of the load. - 特許庁

アンテナ２，３に互いに逆相の電界を励振させているときに当該アンテナ２，３の合成電界によるダイバーシチアンテナ装置１の指向方向（ｙ方向）の基板中心線Ｏｎを逆相側指向方向基板中心線とする。例文帳に追加

A board center line On in the directive direction (y direction) of the diversity antenna system 1 by the composite electric field of the antennas 2, 3 is selected to be an opposite-phase side directive direction board center line when an opposite-phase electric field is excited in the antennas 2, 3. - 特許庁

透明電極１７に発生する逆極性の鏡像による電界の作用と感光体３内部に発生する逆極性の鏡像による電界の作用とが合わさって、キャリアに対して拘束力として働き、キャリアが水平方向に拡散することを抑制する。例文帳に追加

The dispersing of the carrier in a horizontal direction is controlled by having an effect of an electric field due to a mirror image of the reverse polarity that is generated in the transparent electrode 17 and an effect of an electric field due to a mirror image of the reverse polarity that is generated inside the photoreceptor 3 work together as a binding force for the carrier. - 特許庁

フローティング電極を用いる逆回転ドメイン防止構造を採用した場合に、逆回転ドメインの発生を確実に防止することができる横電界方式の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an in-plane switching type liquid crystal display device which surely prevents occurrence of a reverse rotation domain when employing a reverse rotation domain prevention structure using floating electrodes. - 特許庁

逆に、発振周波数が高周波側に外れている場合には、工程Ｓ１０で、圧電体基板の分極方向と逆方向の電界を振動電極間に発生させる。例文帳に追加

Conversely, when the oscillation frequency is deviated to the high frequency side, in a process S10, an electric field opposite to the polarizing direction of the piezoelectric substrate is generated between the vibrating electrodes. - 特許庁

電界効果トランジスタQ1がオンしても、還流ダイオードD1の逆回復時間が０．４μＳ以下のため、還流ダイオードD1に逆極性の電圧が印加される時間は短い。例文帳に追加

When the FET the FET transistor Q1 turn on, the reverse recovery time of the diode D1 is at most 0.4 μs, so that a period when a voltage reverse polarity is applied to the diode D1 is short. - 特許庁

電界吸収型光変調器が、良好な逆耐圧特性を有し、低い逆バイアス電圧で高い消光比を示す光集積デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical integrated device in which an electric field absorption type optical modulator has a good reverse breakdown voltage characteristic and a high extinction ratio at a low reverse bias voltage. - 特許庁

逆相側の給電部７_２，７_３がスイッチ回路６の切り換え動作により外部の高周波回路１４に接続しているときには、マイクロストリップパッチアンテナ２，３には互いに逆相の水平偏波の電界が励起する。例文帳に追加

While inverse phase side feeding parts 7_2, 7_3 are connected to an external high frequency circuit 14 by a switching operation of a switch circuit 6, horizontally polarized electric fields of mutually inverse phases are excited in the microstrip patch antennas 2, 3. - 特許庁

データ駆動部の複雑度を減少させ、逆多重化に起因して生じる画像の固定パターンを除去できる有機電界発光表示装置及び逆多重化装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL display device and a demultiplexer where complexity of a data driver is reduced and a stationary pattern due to demultiplexing is reduced or eliminated. - 特許庁

圧電体(30)の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性は電界に対して偏っており、電極対（33,26）に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、可動部がベース基板(10)から離れる方向に変位する。例文帳に追加

Polarization (Pr)-electric field (E) hysteresis characteristics of the piezoelectric body (30) are biased with respect to an electric field, and by application of a voltage in an opposite direction to the drive voltage to the pair of electrodes (33, 26), the movable part is displaced in a direction away from the base substrate (10). - 特許庁

接地電極３０は、電界印加電極２０との対向面（上面）と、その逆側の被処理体Ｗと対向すべき面（下面）と、電界印加電極対向面（上面）から被処理体対向面（下面）へ至る処理ガス吹き出し口３０ａとを有している。例文帳に追加

The ground electrode 30 has an opposing face (upper face) to the field application electrode 20, a face to be opposed to the treatment object W on the reverse side, and a treatment gas discharge port 30a going from the opposing face (upper face) of the field application electrode to the treatment object opposing face (bottom face). - 特許庁

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。例文帳に追加

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33. - 特許庁