還元半反応の英語

導電性の基体とその上にドット状又はロッド状に形成されたIII−Ｖ族窒化物半導体とを含む光触媒半導体素子及びその作製方法、光触媒酸化還元反応装置及び光電気化学反応実行方法である。例文帳に追加

A production method of the photocatalyst semiconductor element, the photocatalyst oxidation-reduction reaction apparatus and the photoelectrochemical reaction executing method are also provided. - 特許庁

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。例文帳に追加

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction. - 特許庁

４価の白金のオルトメタル化錯体を還元的脱離反応することによって得られた、２価の白金のオルトメタル化錯体を含有する有機半導体層を有することを特徴とする有機半導体素子。例文帳に追加

The organic semiconductor element has an organic semiconductor layer containing a bivalent platinum ortho-metallized complex obtained by applying a reductive elimination reaction to a tetravalent platinum ortho-metallized complex. - 特許庁

孤立電子対を１個以上持つ化合物であり、実質的に酸化還元反応をせず、該化合物を添加することで半導体材料のフラットバンド電位を卑に変化させる化合物を吸着した半導体とする。例文帳に追加

The semiconductor is obtained by absorbing a compound having one or more lone pair of electron, the compound substantially not undergoing oxidation reduction reaction and being added to the semiconductor to vary the flat band potential thereof to a base. - 特許庁

そして、少なくとも半導体１０に光を照射することによって半導体１０に生じた励起電子が基材１２に移動することによって、基材１２が還元触媒反応を呈する。例文帳に追加

The substrate 12 takes on the reduction catalyst reaction by the movement of the excited electron produced in the semiconductor 10 to the substrate 12 at least by the irradiation of light to the semiconductor 10. - 特許庁

金属と酸素が結合した金属酸化膜を還元する性質を有し、かつ、前記金属と非反応の性質を有する還元性ガスと、前記金属を蝕刻する性質を有する反応性ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いて、前記金属酸化膜をエッチングする工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a metal oxide film where metal and oxygen are bonded using the mixture of reducing gas having properties for reducing the metal oxide film and nonreactive to that metal, and reactive gas having properties for etching that metal as the etching gas. - 特許庁

次いで、前記金属酸化物に加熱処理を施し、前記金属酸化物中の酸素の一部を還元反応を通じて離脱させ、前記金属酸化物中に酸素欠陥を生ぜしめて金属酸化物半導体を作製する。例文帳に追加

Subsequently, the metal oxide is subjected to heat treatment to release a part of oxygen in the metal oxide through an oxidation-reduction reaction, and an oxygen defect is generated in the metal oxide, thereby manufacturing the metal oxide semiconductor. - 特許庁

また微細孔を貫通させたことにより、脱臭材周辺に電磁場域を形成して、周辺の自由電子を誘導してさらなる陽電子の還元反応を行うことができ、半永久的な脱臭を可能にする。例文帳に追加

Since the micropores have been made through, an electromagnetic field is formed around the deodorizer, free electrons around the deodorizer are induced to perform further reduction reaction of positrons and semipermanent deodorization is enabled. - 特許庁