「還元半反応」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体ウェーハＷを反応室２内の還元性雰囲気中で熱処理する半導体ウェーハの熱処理方法であって、前記還元性雰囲気中の熱処理終了後に、前記反応室内に不活性ガスを供給して還元性雰囲気を不活性雰囲気に置換する。例文帳に追加

This method is the heat-treating method of semiconductor wafers W for heat-teating the semiconductor wafers W in the reducing atmosphere within a reaction chamber 2 and after the heat treatment in the reducing atmosphere is finished, inert gas is introduced in the reaction chamber to substitute the reducing atmosphere in an inert atmosphere. - 特許庁

焼結過程での反応を安定化し、高い還元率および高い金属鉄含有率を達成することができる半還元焼結鉱の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing semi-reduced sintered ore where reaction in a sintering stage is stabilized, and a high reduction ratio and a high metal iron content can be attained. - 特許庁

導電性の基体とその上にドット状又はロッド状に形成されたIII−Ｖ族窒化物半導体とを含む光触媒半導体素子及びその作製方法、光触媒酸化還元反応装置及び光電気化学反応実行方法である。例文帳に追加

A production method of the photocatalyst semiconductor element, the photocatalyst oxidation-reduction reaction apparatus and the photoelectrochemical reaction executing method are also provided. - 特許庁

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。例文帳に追加

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction. - 特許庁

４価の白金のオルトメタル化錯体を還元的脱離反応することによって得られた、２価の白金のオルトメタル化錯体を含有する有機半導体層を有することを特徴とする有機半導体素子。例文帳に追加

The organic semiconductor element has an organic semiconductor layer containing a bivalent platinum ortho-metallized complex obtained by applying a reductive elimination reaction to a tetravalent platinum ortho-metallized complex. - 特許庁

孤立電子対を１個以上持つ化合物であり、実質的に酸化還元反応をせず、該化合物を添加することで半導体材料のフラットバンド電位を卑に変化させる化合物を吸着した半導体とする。例文帳に追加

The semiconductor is obtained by absorbing a compound having one or more lone pair of electron, the compound substantially not undergoing oxidation reduction reaction and being added to the semiconductor to vary the flat band potential thereof to a base. - 特許庁

そして、少なくとも半導体１０に光を照射することによって半導体１０に生じた励起電子が基材１２に移動することによって、基材１２が還元触媒反応を呈する。例文帳に追加

The substrate 12 takes on the reduction catalyst reaction by the movement of the excited electron produced in the semiconductor 10 to the substrate 12 at least by the irradiation of light to the semiconductor 10. - 特許庁

金属と酸素が結合した金属酸化膜を還元する性質を有し、かつ、前記金属と非反応の性質を有する還元性ガスと、前記金属を蝕刻する性質を有する反応性ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いて、前記金属酸化膜をエッチングする工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a metal oxide film where metal and oxygen are bonded using the mixture of reducing gas having properties for reducing the metal oxide film and nonreactive to that metal, and reactive gas having properties for etching that metal as the etching gas. - 特許庁

次いで、前記金属酸化物に加熱処理を施し、前記金属酸化物中の酸素の一部を還元反応を通じて離脱させ、前記金属酸化物中に酸素欠陥を生ぜしめて金属酸化物半導体を作製する。例文帳に追加

Subsequently, the metal oxide is subjected to heat treatment to release a part of oxygen in the metal oxide through an oxidation-reduction reaction, and an oxygen defect is generated in the metal oxide, thereby manufacturing the metal oxide semiconductor. - 特許庁

また微細孔を貫通させたことにより、脱臭材周辺に電磁場域を形成して、周辺の自由電子を誘導してさらなる陽電子の還元反応を行うことができ、半永久的な脱臭を可能にする。例文帳に追加

Since the micropores have been made through, an electromagnetic field is formed around the deodorizer, free electrons around the deodorizer are induced to perform further reduction reaction of positrons and semipermanent deodorization is enabled. - 特許庁

孤立電子対を１個以上持つ化合物であり、実質的に酸化還元反応をせず、該化合物を添加することで半導体材料のフラットバンド電位を卑に変化させる化合物を含んだ機能性素子とする。例文帳に追加

The functional element contains a compound having one or more lone pair of electron, the compound substantially not undergoing oxidation reduction reaction and being added to the semiconductor material to vary the flat band potential thereof to a base. - 特許庁

電気化学的酸化反応または還元反応の少なくとも一方の過程でラジカル化合物を生成する有機化合物と、その有機化合物に接して設けられる半導体とを有する光電気化学デバイスにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

To solve above problem by the optoelectrochemical device, including an organic compound producing a radical compound, at least in one process of electrochemical oxidation reaction or deoxidation reaction and a semiconductor provided contacting with the organic compound. - 特許庁

下部電極としてＲｕ膜を形成する際に、Ｒｕ膜を形成するための反応ガスとしての酸素を還元することにより、下部の拡散防止膜が酸化されることを防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor manufacturing method of a semiconductor element which can prevent a lower diffusion preventing film from being oxidized, by reducing oxygen as reaction gas for forming an Ru film at the time of forming the Ru film as a lower electrode. - 特許庁

ケース１２内に不揮発性酸を含むスクラバ物質４０を設けてなるスクラバ８において、前記ケース１２の全部または一部を透明または半透明に形成するとともに、腐食性成分と反応して有色の塩を形成する着色剤と、還元剤とをスクラバ物質４０に含ませてある。例文帳に追加

In the scrubber 8 having the scrubbing matter 40 including a non-volatile acid installed in a case 12, the scrubber 12 is totally or partly formed in transparency or translucency, and the scrubber matter 40 is impregnated with a coloring agent which is caused to react with a corrosive ingredient to form a colored salt and a reducing agent. - 特許庁

さらに、有機膜は、シリコン半導体膜に比べて陽極酸化に耐性があることから、本発明の化学センサは、検出対象が電荷密度の変化を伴わない系であっても酸化還元反応を伴う系であれば観測することができるアンペロメトリック・センサとして構成される。例文帳に追加

Furthermore, since the organic film has resistance to anodic oxidation as compared with a silicon semiconductor film, the chemical sensor is constituted as an amperometric sensor capable of observing the detection target if the system is accompanied by oxidation-reduction reaction, even in the system that is not accompanied by changes in the charge density. - 特許庁

ケース１２内に不揮発性酸を含むスクラバ物質４０を設けてなるスクラバ８において、前記ケース１２の全部または一部を透明または半透明に形成するとともに、腐食性成分と反応して有色の塩を形成する着色剤と、還元剤とをスクラバ物質４０に含ませてある。例文帳に追加

In the scrubber 8 having the scrubbing matter 40 including a nonvolatile acid installed in a case 12, the case 12 is totally or partly formed in transparency or translucency, and the scrubber matter 40 contains a coloring agent which is caused to react with a corrosive ingredient to form a colored salt and a reducing agent. - 特許庁

半導体ナノ多孔質層同士が対向するように配置した間に、電気化学的な酸化反応及び還元反応の少なくとも一方により可逆的に発色又は消色するＥＣ色素を含む電解質層を挟持してなり、パッシブマトリクスパネル構造及びアクティブマトリクスパネル構造のいずれかの構造を有する構造単位を、複数個積層してなるＥＣディスプレイである。例文帳に追加

The electrochromic display is made by holding an electrolyte layer containing an electrochromic dyestuff which reversibly is colored or decolored by at least one of electrochemical oxidation reaction and reduction reaction between semiconductor nono porous layers disposed opposite to each other and is made by laminating plural sheets of structural units having either structure of a passive matrix panel structure and an active matrix panel structure. - 特許庁

III −Ｖ族窒化物半導体は、光触媒酸化還元反応用のIII −Ｖ族窒化物半導体であって、互いに半導体特性の異なる基層およびこの基層に積層された表層を有し、前記基層と前記表層とが接触する界面が形成されることにより、少なくとも表層がキャリア移動促進作用を有することを特徴とする。例文帳に追加

The group III-V nitride semiconductor for use in a photocatalytic oxidation/reduction reaction is characterized by comprising a base layer and a surface layer overlaid thereon each having mutually different semiconductor characteristics forming an interface contacting the base layer and the surface layer, whereby at least the surface layer is made to have a function of accelerating carrier migration. - 特許庁

入光面を有する透明導電層２と対極層５との間に、光を吸収して電子を放出する半導体電極層３と、酸化還元反応により電流を持続させる電解質層４とが隣接して配置された光電変換素子１であって、前記半導体電極層３が、互いに異なる光吸収スペクトルを有する二種以上の酸化チタンから構成されている。例文帳に追加

The semiconductor electrode layer 3 is composed of not less than two kinds of titanium oxide having light absorption spectra different from each other. - 特許庁

より具体的には、半導体層２を有する半導体電極５と、その半導体電極５に接して電気化学的酸化反応または還元反応の少なくとも一方の過程でラジカル化合物を生成する有機化合物層１と、その半導体電極５に対峙する対向電極４と、その有機化合物層１と対向電極４との間に設けられた電解質層６とから構成される光電気化学デバイス１１とする。例文帳に追加

More specifically, the optoelectrochemical device 11 comprises a semiconductor electrode 5, including a semiconductor layer 2, an organic compound layer 1 producing a radical compound at least in one process of electrochemical oxidation reaction or deoxidation reaction making contact with the semiconductor electrode 5, counter electrode 4 facing to the semiconductor electrode 5 and an electrolyte layer 6 provided between the organic compound layer 1 and the counter electrode 4. - 特許庁

多官能アミン成分と多官能酸ハライド成分とを反応させてなるポリアミド系樹脂及び銀塩化合物を含むスキン層を多孔性支持体の表面に形成する工程、及び前記銀塩化合物を還元して前記スキン層中及び／又は表面に金属銀を析出させる工程を含む複合半透膜の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the composite semipermeable membrane includes: a process of forming a skin layer, which contains a polyamide resin produced by making a polyfunctional amine component react with a polyfunctional halide component and a silver salt compound, on the surface of a porous support; and a process of reducing the silver salt compound to precipitate metal silver in the skin layer and/or on the surface of the skin layer. - 特許庁

ナノ粒子及びマトリクス界面の良好な分離及びナノ粒子サイズ狭分布化を実現する手段として、熱処理における酸化及び還元からなる双方向性の反応系を有し、かつ、熱力学的に混ざりにくくナノスケール化された半導体粒子が分散する異種複合材料を新規に提供する。例文帳に追加

To provide a novel heterogeneous composite material as a means for providing a desirous separation in interfaces between nano-particles and a matrix and also providing a narrow distribution of nano-particle sizes, the composite material having a system of bidirectional reaction consisting of oxidation and reduction in a heat-treatment and also having dispersed semiconductor particles which are thermodynamically less likely to mix and nanometer-scaled. - 特許庁

前もって完成または半完成形状に成形されている少なくとも１つのジルコニア物品を用意し、前記物品を形成するジルコニアを部分的に還元し、反応室内に前記物品を配置し、反応室内で、アンモニア、または窒素と水素の混合物、あるいはこのガスとこの混合物との組合せからプラズマを発生させ、物品の平均温度が５００〜９００℃に保たれるように状態を調節しながら、前記物品を少なくとも５分間プラズマ中に保持することを特徴とする。例文帳に追加

The finished or unfinished zirconia formed body which is partially reduced is arranged in a reaction chamber, then treated with plasma which is generated from ammonia or a mixture of nitrogen and hydrogen, at an average temperature of the article of 500-900°C and for at least 5 min. - 特許庁

増感色素が担持された多孔質半導体層を表面に有する電極基材に、電解質層を介して対向配置される色素増感型太陽電池の対極基材４０であって、金属層４１と、金属層４１上に形成される酸化膜層４２と、酸化膜層４２上に形成される炭素含有層４３と、炭素含有層４３上に形成され電解質層に含まれる酸化還元対の反応に対して触媒作用を有する触媒層４４とから構成されることを特徴とする。例文帳に追加

It includes a metal layer 41, an oxide film layer 42 formed on the metal layer 41, a carbon-contained layer 43 formed on the oxide film layer 42, and a catalyst layer 44 which is formed on the carbon-contained layer 43 and includes catalyst action for the reaction of oxidizing/reducing pair contained in the electrolyte layer. - 特許庁