重原子効果の英語

Ｉｎ又はＺｎを含むアモルファス酸化物膜のチャネル層１１を有する電界効果型トランジスタであって、アモルファス酸化物膜が１０^１６／ｃｍ^３以上１０^２０／ｃｍ^３以下の水素原子又は重水素原子を含有していることを特徴とする。例文帳に追加

The field effect transistor has a channel layer 11 of an amorphous oxide film containing In or Zn and the amorphous oxide film contains at least 10^16 /cm^3 to at most 10^20 /cm^3 hydrogen or deuteron atoms. - 特許庁

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material. - 特許庁

本発明の放射線遮蔽材は、中性子遮蔽効果の大きい水素元素含有率の高い多孔質ゼオライト、2、6、8、14、20、28、50、82、126個の中性子または陽子を含むイオン交換性元素（但し水素を加えニッケルと鉛は除く）、高エネルギー中性子線及びガンマ線に高い遮蔽効果を示す原子番号40以上の重金属と、熱中性子吸収材を組み合わせてなるものである。例文帳に追加

The radiation shield material is constituted by combining porous zeolite with a high hydrogen element content having large neutron shielding effect, ion exchange elements (adding hydrogen and excluding nickel and lead) containing 2, 6, 8, 14, 20, 28, 50, 82, 126 neutrons or protons, heavy metals over atomic number of 40 exhibiting high shielding effect to high energy neutron beam and gamma ray and thermal neutron absorber. - 特許庁

2011 年 3 月の福島第一原子力発電所の悲劇的な事故にもかかわらず、ＡＰＥＣ地域は平和的原子力エネルギーの安全かつ確実な利用の重要性と、地域におけるエネルギーミックスを多様化し、増大するエネルギー需要を満たし、温室効果ガスの排出を削減する可能性を認識している。例文帳に追加

The APEC region recognizes the importance of the safe and secure uses of peaceful nuclear energy, and its potential in diversifying our energy mix, meeting the growing energy demand, and in reducing greenhouse gas emissions in the region despite the tragic accident at the Fukushima Daiichi Nuclear Power Station in March 2011. - 経済産業省

上記構成によって、接着前のSiウェーハはミクロに見れば高さが3nm程度の多原子層ステップがお互い平行に存在し、重ね合わせた界面でこのステップがナノメートルサイズの微細なガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に界面で発生するガスがウェーハ外に効果的に抜ける。例文帳に追加

With this configuration, multi-atom layer step of about 3 nm in height are present in parallel each other in the Si wafer before bonding in micro size, and the step acts as a minute degassing hole in nanometer size at the stacked interface, so the gas generated at the interface in thermal process for raising adhesiveness is released effectively outside a wafer. - 特許庁