隆導の英語

エッジガーターと呼ばれる前記した隆起部の発生を回避する半導体ウェハの製造方法例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer, where a protuberance which is called an edge garter can be restrained from being generated. - 特許庁

隆起部を有しかつ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which has a projecting part and improves reliability. - 特許庁

従来型浴槽入浴時 身体背面、隆起部 背もたれ隆起部に接体に於いて 隆起部背もたれの 熱伝導 熱伝達発生により 体温の熱損失発生 これ等要因と成り不快感が発生するこの不快感を解消してリラクセーションする事を目的とする。例文帳に追加

To resolve discomfort and promote relaxation because heat loss of body temperature occurs by heat conduction and heat transmission occurrence of a bulge part backrest and these cause discomfort in a contact body with a body back side, the bulge part, and the backrest bulge part when a user bathes in a conventional bath tub. - 特許庁

中間クラッド層の隆起を無くして平坦化し、第２凸型コア導波路の光導波特性を向上させる。例文帳に追加

To improve the optical waveguide characteristic of a second projected type core waveguide by eliminating a rise of an intermediate clad layer to make the layer flat. - 特許庁

1934年（昭和9年）には文部省に法隆寺国宝保存事業部が設置され、法隆寺伽藍のいわゆる「昭和大修理」が国の主導で進められることとなった。例文帳に追加

In 1934, Horyuji kokuho hozonjigyobu (National treasure in Horyu-ji Temple Preservation Division) was established in the Ministry of Education and Japanese government led 'Showa Daishuri' (major repair in the Showa period) project of the buildings of the Horyu-ji Temple.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

絶縁基板３上の主電極は、半導体素子２のアノード（またはエミッタ）電極２ａに対する接続部として周囲の部分６ｂから隆起している隆起部６ａを備える。例文帳に追加

The main electrode on the insulating substrate 3 has a bump part 6a swelling from a peripheral part 6b as a connection part for an anode (or emitter) electrode 2a of the semiconductor element 2. - 特許庁

高周波誘導コイル１０に交流を通電して、融液をローレンツ力により隆起させ、隆起した融液の頂点付近に種結晶基板３を接触させると共に、融液を電磁攪拌する。例文帳に追加

The melt is lifted by the Lorentz force by applying alternating current to a high frequency induction coil 10, the seed crystal substrate 3 is brought into contact with around the apex of the lifted melt and also the melt is electromagnetically stirred. - 特許庁

半導体ウェハ(W) の表面又は裏面に、ウェハ面から一部が隆起する隆起部を有するドットマーク(M′) を所要数形成したのち、ウェハ表面に絶縁膜(IF)を形成する。例文帳に追加

After a required number of dot marks(M') with a rising part whose part rises from a wafer surface are formed in a front or a rear of a semiconductor wafer(W), an insulation film(IF) is formed in a wafer surface. - 特許庁