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面間磁気抵抗の英語
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面間磁気抵抗
「面間磁気抵抗」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
基準素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、磁気抵抗素子の低抵抗状態の抵抗と高抵抗状態の抵抗との間の抵抗を有し、第1の方向と直交する第2の方向に長い平面形状を有する。例文帳に追加
The reference element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance between the resistance in the low resistance state and the resistance in the high resistance state of the magnetoresistive element, and has a planar shape elongated in a second direction perpendicular to the first direction. - 特許庁
面積抵抗(RA)を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率(MR比)を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界(Hin)の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加
To provide a magnetoresistance effect element capable of reducing an interlayer coupling magnetic field (Hin) between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, without making the sheet resistivity (RA) increase, while keeping a magnetoresistance effect rate (MR ratio) to be not less than a predetermined value. - 特許庁
磁気再生ヘッド10は、下部磁気シールド層4と、上部磁気シールド層2と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜30と、磁気抵抗効果膜の浮上面とは反対側の面に接するように配された素子高さ方向リフィル膜6と、磁気抵抗効果膜30の側壁面に配置されたトラック幅方向のリフィル膜1とを有する。例文帳に追加
The magnetoresistive film 30 is a tunneling magnetoresistive film including a free layer 36, an insulating barrier layer 34, and a fixed layer 32. - 特許庁
第1配線からの磁界を第1、第2磁気抵抗素子に効果的に印加するための第1磁気回路は、第1配線の側面に延在し、且つ第1、第2磁気抵抗素子の間に切り欠き部を有する。例文帳に追加
A first magnetic circuit for effectively applying a magnetic field from the first wiring to the second magnetoresistive element is extended on the side of the first wiring, and has a notch between the first and second magnetoresistive elements. - 特許庁
基板上に保磁力の異なる第1磁性層と第2磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子によって解決される。例文帳に追加
In a magnetoresistance device wherein a first magnetic layer and a second magnetic layer both having different coercive forces are laminated on a substrate, between which layers a non-magnetic layer is laminated, a cross sectional configuration of the magnetoresistance device is a trapezoid. - 特許庁
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造プロセスにおいて、イオンミリング等のウエハ表面に帯電が生じる工程で発生する磁気抵抗効果膜5と下部シールド膜3間の静電破壊を防止する磁気ヘッドの構造及び製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a structure of a magnetic head which prevents electrostatic destruction between a magneto resistance effect film 5 and a lower-part shield film 3 caused in a process, in which a wafer takes an electrical charge, such as an ion milling and so on in the manufacturing process of a magneto resis tance effective type magnetic head, and also provide its manufacturing method. - 特許庁
データアシスト線7は、2つの磁気抵抗効果素子3で一本のデータアシスト線を共有する態様で、一方向に互いに隣接する2つの磁気抵抗効果素子3,3a,3bの間に平面的に位置するように形成されている。例文帳に追加
The data assist line 7 is formed between two magnetoresistive elements 3,3a and 3,3b which are adjacent to each other in one direction in plane view so that the one data assist line is shared by the two magnetoresistive elements 3. - 特許庁
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「面間磁気抵抗」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
本発明は、磁気抵抗センサの製造方法において、磁気抵抗センサの最大限の電子正反射と、下部構造体との間における高品質の安定な界面との最適な組合せを達成する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a magnetoresistance sensor, which can attain optimum combination with the maximum electronic regular reflection of the magnetoresistance sensor and high quality stable interface between a sensor structure body and a lower structure body. - 特許庁
スピンバルブ型磁気抵抗効果膜と縦バイアスシード層との間に、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の一対の端面に隣接し、1nm以上10nm以下の厚みとなるように非磁性下地層を形成するようにした。例文帳に追加
Between a spin valve type magneto-resistance effect film and a vertical bias shield layer, a nonmagnetic substrate layer is formed adjacently to a pair of end surfaces of the spin valve type magneto-resistance effect film so as to have a thickness of 1 to 10 nm. - 特許庁
磁気作業体14,14・・が等間隔で配置される固定子2の内面側で、磁気作業体14,14の間に、磁気作業体14と磁気抵抗が等価となる補助磁性体17,17・・を配置した。例文帳に追加
Auxiliary magnetic bodies 17, having magnetic resistance equivalent to magnetic working bodies 14 are disposed between the magnetic working bodies 14, 14 on an inner face side of a stator 2 where the magnetic working bodies 14, are disposed at equal intervals. - 特許庁
磁気抵抗素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、自由磁化層の磁化方向によって低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗が変化し、第1の方向に長い平面形状を有する。例文帳に追加
The magnetoresistive element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance which changes between a low resistance state and a high resistance state depending on the magnetization direction of the free magnetization layer, and has a planar shape elongated in a first direction. - 特許庁
そしてこの磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体摺動面が摩耗するに伴って、上記導電体が摩耗し、当該導電体の抵抗値が変化するようになされており、上記一対の端子間の抵抗値を検出することにより、磁気記録媒体摺動面の摩耗量を検知できるようになされている。例文帳に追加
Then, the head 1 is made, so that the conductor is worn out as the sliding surface with the magnetic recording medium is worn out and the resistance value of the conductor is reduced and it is made so as to be able to detect the worn out quantity of the sliding surface with magnetic recording medium. - 特許庁
上下磁気シールド層1,2と磁気抵抗効果膜10の間に、媒体対向面付近にのみ電極3,4を配置し、感知電流を磁気抵抗効果膜10の媒体対向面近傍に局在して通電させることによって、実効的な磁気的スペーシングを小さくし、高分解能で読み滲みが小さい磁気再生ヘッドを実現することができる。例文帳に追加
Between upper/lower magnetic shield layers 1, 2 and a magnetoresistance effect film 10, electrodes 3 and 4 are disposed only near a medium facing surface to locally supply a minimum sensation current to the vicinity of the medium facing surface of the magnetoresistance effect film 10, thereby reducing effective magnetic spacing to realize the magnetic reproduction head having the high resolution and reduced reading blur. - 特許庁
磁気抵抗効果素子を接続したフレキシブルプリント基板の導通パターン上、端子上、及びその基盤裏面を10^6Ω以上10^9Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆われていることより、静電気による静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および静電気以外による外部からの電磁波による破壊を防止する。例文帳に追加
The magnetic head assembly is covered with magnetic coating material having surface resistivity ≥10^6Ω and ≤10^9Ω on a continuity pattern and a terminal of a flexible printed circuit board connected to a magnetoresistive effect element, and on a rear face of the circuit board. - 特許庁
本発明の磁気抵抗効果素子は、多層構造を有する磁気抵抗効果膜から形成した感磁部の両側面に磁気抵抗効果膜に対して磁区制御を行う永久磁石を配置し、感磁部の側面と永久磁石との間に絶縁性の硬磁性材料から成る所定厚さの膜を形成するよう構成する。例文帳に追加
The magnetoresistive element is composed so that a permanent magnet to apply magnetic domain control to a magnetoresistive film is disposed on both sides of a magnetism sensing part formed from the magnetoresistive film having a multilayered structure, and a film having a prescribed thickness, which is made of an insulating hard magnetic material, is formed between the side of the magnetism sensing part and the permanent magnet. - 特許庁
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