ｐｎ接合の英語

A source and the first silicon film constitute a high concentration impurity pn junction via a thin silicon oxide film to become an Esaki diode exhibiting the negative differentiating resistor.例文帳に追加

ソースと第一の多結晶シリコン膜は、薄いシリコン酸化膜を介した高濃度不純物pn接合を構成しており、負性微分抵抗を示すエサキ・ダイオードとなる。 - 特許庁

A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。 - 特許庁

To provide technique for reducing forward resistance by making good use of a pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on part of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for reducing forward resistance by utilizing an included pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on a portion of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

Subsequently, pn junctions on Fig. 6(a)-6(c) are formed using this zinc oxide thin film, thus obtaining a light-emitting element and a light-receiving element at low raw material cost and production cost with high yield.例文帳に追加

次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図６(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。 - 特許庁

To get the manufacture which can provide a high-performance thermoelectric converting element industrially efficiently, by enhancing the figure of merit in the thermoelectric conversion of the pn junction thermoelectric converting element consisting of each kind of thermoelectric converting material.例文帳に追加

各種熱電変換材料からなるPN接合熱電変換素子の熱電変換性能指数を向上させ、工業的に効率よく高性能の熱電変換素子を提供できる製造方法。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁