1-12pとは 意味・読み方・使い方

(2) The method of manufacturing the fuel cell electrode, wherein the structure of the electrode is changed in the thickness direction by multiple coating of the electrode material powder 12P and 15P on the film 1 by static electricity.例文帳に追加

（２）静電気による電極材料粉末１２Ｐ、１５Ｐの膜１１上への塗布を複数回実行し、電極の構成を厚さ方向に変化させる燃料電池電極の製造方法。 - 特許庁

The control valve 1 is structured so as to introduce a suction pressure Ps through a passage in a main body part 12p in a position between the lateral hole port 12f and the lateral hole port 12i of the spool housing hole 12a.例文帳に追加

そして、制御弁１は、スプール収容孔１２ａの横穴ポート１２ｆと横穴ポート１２ｉとの間となる位置に、本体部内通路１２ｐを介して吸入圧Ｐｓが導入されるように構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device substrate 10 includes a substrate 1, a plurality of external terminal sections 12p, 12q that are disposed in plane on the substrate 1 and have external terminal surfaces 12pb, 12qb as directed to the substrate 1 side, and a plurality of internal terminal sections 11 that are disposed in plane on the substrate 1 and have internal terminal surfaces 11a as opposed to the substrate 1 side.例文帳に追加

半導体装置用基板１０は、基板１と、基板１上に平面状に配置され、基板１側を向いた外部端子面１２ｐｂ，１２ｑｂを有する複数の外部端子部１２ｐ，１２ｑと、基板１上に平面状に配置され、基板１に対して反対側を向いた内部端子面１１ａを有する複数の内部端子部１１と、を備えている。 - 特許庁

A substrate 10 for a semiconductor device includes a substrate 1, a plurality of external terminal sections 12p and 12q that are disposed in plane on the substrate 1 and have external terminal surfaces 12pb and 12qb directed to the substrate 1 side, and a plurality of internal terminal sections 11 that are disposed in plane on the substrate 1 and have internal terminal surfaces 11a opposed to the substrate 1.例文帳に追加

半導体装置用基板１０は、基板１と、基板１上に平面状に配置され、基板１側を向いた外部端子面１２ｐｂ，１２ｑｂを有する複数の外部端子部１２ｐ，１２ｑと、基板１上に平面状に配置され、基板１に対して反対側を向いた内部端子面１１ａを有する複数の内部端子部１１と、を備えている。 - 特許庁

An SDH(synchronous digital hierarchy) interface unit 110-1 identifies the type of a redundancy configuration and monitors received SDH signals, and if it detects an error, it generates faulty trunk alarms 12w and 12p according to the content of the error.例文帳に追加

ＳＤＨインタフェース部１１０−１は、冗長構成の種別を識別するとともに、受信したＳＤＨ信号を監視してエラーを検出したときはそのエラーの内容に応じた回線障害警報１２ｗ、１２ｐを生成する。 - 特許庁

Thus, the gain of the switched capacitor amplifier circuit 1 is expressed as (Ca+Cx)/(Ca-Cx), where Ca is the static capacitance of the negative feedback capacitors 6p, 6m and Cx is the static capacitance of the positive feedback capacitors 12p, 12m respectively, so as to increase the gain without much increasing the ratio of the static capacitances.例文帳に追加

これにより、スイッチトキャパシタ増幅回路１のゲインは、負帰還用キャパシタ６ｐ・６ｍ並びに正帰還用キャパシタ１２ｐ・１２ｍの静電容量を、Ｃａ、Ｃｘとすると、（Ｃａ＋Ｃ）／（Ｃａ−Ｃｘ）となり、静電容量比を余り増大させることなく、ゲインを増大させることができる。 - 特許庁

An APS(automatic protection switch) control unit 101-1 sets a take-in protection time according to the content of the redundancy configuration, and conducts switchover decision by faulty trunk alarms 12w and 12p taken in based on the take-in protection time and by the switchover information related to SDH signal switchover.例文帳に追加

ＡＰＳ制御部１０１−１は、冗長構成の種別に応じた取り込み保護時間を設定し、取り込み保護時間に基づいて取り込んだ回線障害警報１２ｗ、１２ｐとＳＤＨ信号の切替に関わる切替情報とより切替判定を行う。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 is dipped into an insulating solution 22, thus enabling a withstand voltage inspection in a state where insulating resistance is improved among a probe 11P connected to a gate, a 12P connected to an emitter and an electrode 13C connected to a collector, and a container 21.例文帳に追加

半導体ウェーハ１を絶縁溶液２２中に浸漬することで、ゲートに接続されたプローブ１１Ｐ、エミッタに接続された１２Ｐとコレクタに接続された電極１３Ｃ、容器２１のそれぞれの間での絶縁耐性を向上させた状態で超高圧での耐圧検査を可能とする。 - 特許庁