A DZとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 (材木を荒削りするための)手斧(ておの)、手斧(ちような)
A DZの |
「A DZ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 68件
Then, the magnetic field gradient dB/dz is made steep in the neighborhood of the boundary of the auxiliary superconducting coils 13 and 14, so that a magnetic field B.dB/dz can be strengthened.例文帳に追加
これにより補助超電導コイル13と14の境目付近で磁場勾配dB/dz をきつくして磁気力場B・dB/dz を強化する。 - 特許庁
The time Tm gets shorter along with the m/z difference DZ getting smaller since a voltage stabilization time gets shorter along therewith.例文帳に追加
m/z差DZが小さいほど電源の電圧安定化時間が短いため時間Tmも短い。 - 特許庁
For example, when decoded results are all zero, a signal DZ=0 is outputted and in the case except all zero, a signal DZ=1 is outputted.例文帳に追加
例えば、復号結果がオールゼロであればDZ=0、オールゼロ以外の場合にはDZ=1のように出力する。 - 特許庁
The plug also satisfies Dz>D2, when the largest outer diameter of a surface facing the gasket 60 is defined as Dz, in the overhang portion 54.例文帳に追加
また、張出部54において、ガスケット60を向く側の面の最大外径をDzとしたときに、Dz>D2を満たす。 - 特許庁
A Zener current Iz flowing to the Zener diode Dz is adjusted by the variable resistor Rv1.例文帳に追加
可変抵抗Rv1により、ツェナーダイオードDzに流れるツェナー電流Izを調整する。 - 特許庁
The point Q is located radially inside the largest outer diameter Dz of a seat face 55 of the overhang portion 54.例文帳に追加
さらに点Qは、張出部54の座面55の最大外径Dzよりも径方向内側に位置する。 - 特許庁
An m/z difference calculation part 43 calculates a difference DZ between a scanning start m/z and a scanning finish m/z, and a scanning interval time determining part 45 determines a scanning interval time Tm, referring to a pre-prepared table 44.例文帳に追加
一方、m/z差算出43がスキャン開始m/zと終了m/zとの差DZを算出し、予め作成されたテーブル44を参照してスキャン間時間決定部45がスキャン間時間Tmを決める。 - 特許庁
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「A DZ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 68件
The approximate formula uses a formula that a progression obtained by expanding the Maclaurin's series related to a differential function f(dZ)=1/(Z+dZ) is cut at an absolute term and a primary term.例文帳に追加
前記近似式は、例えば微分可能関数f(dZ)=1/(Z+dZ)に関するマクローリン級数展開による級数を定数項と1次の項で打ち切った計算式を適用したものである。 - 特許庁
By this removing process of the DZ layer, the silicon wafer 30 can be obtained having the DZ layer exposed on a first surface 31 and the BMD layer exposed on the second surface.例文帳に追加
以上のようなDZ層の除去工程によって、第1面31にDZ層が露出するとともに、第2面にBMD層が露出した本発明のシリコンウェーハ30が形成される - 特許庁
To provide an adhesive rubber composition suitable for adhesion of a rubber and a wire cord using a vulcanization accelerator substituted for conventional DZ as a vulcanization accelerator.例文帳に追加
加硫促進剤として従来のDZに代る加硫促進剤を用いたゴムとワイヤーコードの接着に適した接着性ゴム組成物の開発。 - 特許庁
A DZ at a sufficient depth from the surface to the inside of a wafer is combined with high gettering effect in the bulk region of the wafer.例文帳に追加
ウェーハの表面から内側に十分な深さのDZがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁
The pressurization potential of a charge pump circuit is clamped by yield voltage of a zener diode DZ.例文帳に追加
チャージポンプ回路の昇圧電位をツェナーダイオードDZの降伏電圧でクランプするようにした。 - 特許庁
This device has an insulated gate field effect Tr (MOSFET) 100, a BiPT 210, and a Zener diode DZ 220.例文帳に追加
本装置は絶縁ゲート電界効果Tr(MOSFET)100、BiPT210及びツェナーダイオードDZ220を有する。 - 特許庁
To provide a silicon wafer which has a DZ (Denuded Zone) layer with extremely few crystal defects and excels in strength characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
結晶欠陥の極めて少ないDZ層を備えつつ、強度特性に優れたシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a logic unit 2 and the memory 3 on a silicon substrate 1 which satisfies <BMD>≥1.0×108 [pieces/ cm3] and Log10(<BMD>)/(WDZ)≥0.2.例文帳に追加
<BMD>≧1.×10^8 [個/cm^3 ]、Log_10(<BMD>)/(W_DZ)≧0.2を満たすシリコン基板1上にロジック部2およびメモリ部3を形成する。 - 特許庁
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