「A DZ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The point Q is located radially inside the largest outer diameter Dz of a seat face 55 of the overhang portion 54.例文帳に追加

さらに点Ｑは、張出部５４の座面５５の最大外径Ｄｚよりも径方向内側に位置する。 - 特許庁

An m/z difference calculation part 43 calculates a difference DZ between a scanning start m/z and a scanning finish m/z, and a scanning interval time determining part 45 determines a scanning interval time Tm, referring to a pre-prepared table 44.例文帳に追加

一方、m/z差算出４３がスキャン開始m/zと終了m/zとの差DZを算出し、予め作成されたテーブル４４を参照してスキャン間時間決定部４５がスキャン間時間Tmを決める。 - 特許庁

The approximate formula uses a formula that a progression obtained by expanding the Maclaurin's series related to a differential function f(dZ)=1/(Z+dZ) is cut at an absolute term and a primary term.例文帳に追加

前記近似式は、例えば微分可能関数ｆ（ｄＺ）＝１/（Ｚ＋ｄＺ）に関するマクローリン級数展開による級数を定数項と１次の項で打ち切った計算式を適用したものである。 - 特許庁

By this removing process of the DZ layer, the silicon wafer 30 can be obtained having the DZ layer exposed on a first surface 31 and the BMD layer exposed on the second surface.例文帳に追加

以上のようなＤＺ層の除去工程によって、第１面３１にＤＺ層が露出するとともに、第２面にＢＭＤ層が露出した本発明のシリコンウェーハ３０が形成される - 特許庁

To provide an adhesive rubber composition suitable for adhesion of a rubber and a wire cord using a vulcanization accelerator substituted for conventional DZ as a vulcanization accelerator.例文帳に追加

加硫促進剤として従来のＤＺに代る加硫促進剤を用いたゴムとワイヤーコードの接着に適した接着性ゴム組成物の開発。 - 特許庁

A DZ at a sufficient depth from the surface to the inside of a wafer is combined with high gettering effect in the bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁

The pressurization potential of a charge pump circuit is clamped by yield voltage of a zener diode DZ.例文帳に追加

チャージポンプ回路の昇圧電位をツェナーダイオードＤＺの降伏電圧でクランプするようにした。 - 特許庁

This device has an insulated gate field effect Tr (MOSFET) 100, a BiPT 210, and a Zener diode DZ 220.例文帳に追加

本装置は絶縁ゲート電界効果Ｔｒ（ＭＯＳＦＥＴ）１００、ＢｉＰＴ２１０及びツェナーダイオードＤＺ２２０を有する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which has a DZ (Denuded Zone) layer with extremely few crystal defects and excels in strength characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

結晶欠陥の極めて少ないＤＺ層を備えつつ、強度特性に優れたシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a logic unit 2 and the memory 3 on a silicon substrate 1 which satisfies <BMD>≥1.0×108 [pieces/ cm3] and Log10(<BMD>)/(WDZ)≥0.2.例文帳に追加

＜ＢＭＤ＞≧１．×１０^8 ［個／ｃｍ^3 ］、Ｌｏｇ_10（＜ＢＭＤ＞）／（Ｗ_DZ）≧０．２を満たすシリコン基板１上にロジック部２およびメモリ部３を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which has a DZ layer with extremely few crystal defects and excels in strength characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

結晶欠陥の極めて少ないＤＺ層を備えつつ、強度特性に優れたシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method results in a focus-versus alignment shift sensitivity about 50 times higher (typically dX, Y/dZ=20) than the present LVT.例文帳に追加

本発明による方法は、現在のＬＶＴより約５０倍（通常ｄＸ,Ｙ／ｄＺ＝２０）高い焦点対アライメントシフト感度をもたらす。 - 特許庁

Furthermore, a gettering site 13, comprising BMD, or the like, is provided in the bulk part farther inside than the DZ layer.例文帳に追加

また、このＤＺ層より内部のバルク部にＢＭＤ等から成るゲッタリングサイト１３が設けられる。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

The signal line 120A is arranged in an overlap region DZ overlapping the projection 24T in a Z direction.例文帳に追加

信号線１２０Ａは、Ｚ方向において凸部２４Ｔと重なり合う重複領域ＤＺに配置されている。 - 特許庁

In the all zero detection part 17, a signal DZ clearly specifying that all the pieces of data are zero is outputted.例文帳に追加

オールゼロ検出部１７では、全てのデータが０であることを明示する信号ＤＺを出力する。 - 特許庁

To provide a method of heat treatment which increases a BMD density and also can expand a DZ layer width at the same time, and a silicon wafer having the wider DZ layer width compared with the conventional one, in spite of having a high BMD density.例文帳に追加

ＢＭＤ密度を増加させると同時に、ＤＺ層幅をも拡張することのできる熱処理方法を提供し、高ＢＭＤ密度を有するにもかかわらず、従来に比べて広いＤＺ層幅を有するシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To achieve a silicon wafer having the optimum DZ width and oxygen deposit density for a device to contribute to enhanced performance of the device by enabling to control the DZ width and the oxygen deposit density separately in a silicon wafer processing method and equipment for carrying out the same.例文帳に追加

シリコンウェーハの処理方法及び該方法を実施する装置に関し、ＤＺ幅と酸素析出物密度をそれぞれ別個に制御することを可能にして、デバイスにとって最適のＤＺ幅と最適の酸素析出物密度とをもつシリコンウェーハを実現させ、デバイスの高性能化に寄与しようとする。 - 特許庁

At the time when coordinate point data Dx, Dy and Dz are separate greatly from the spherical coordinates Ga, a virtual origin I1 being separate by the radius Ra from both of the two coordinate point data Dx and Dy, and a virtual origin I2 being separate by the radius Ra from both of the two coordinate point data Dy and Dz, are found.例文帳に追加

座標点データＤｘ，Ｄｙ，Ｄｚが球面座標Ｇａから大きく離れたときに、２つの座標点データＤｘ，Ｄｙの双方から半径Ｒａ離れた仮想原点Ｉ１と、２つの座標点データＤｙ，Ｄｚの双方から半径Ｒａ離れた仮想原点Ｉ２を求める。 - 特許庁

When re-quantization is performed after quantization based on predetermined dead zone and quantizing step, first re-quantizing means 73 defines dz+h×qs where h is an integer larger than zero, dz is the predetermined dead zone and qs is the predetermined quantizing step as a new dead zone and quantizes the value of image data whose absolute value is less than the new dead zone to zero.例文帳に追加

所定のデッドゾーンおよび量子化ステップに基づく量子化を行った後に再量子化を行うときに、第１の再量子化手段７３は、ｈを０以上の整数とし、所定のデッドゾーンをｄｚとし、所定の量子化ステップをｑｓとすると、ｄｚ＋ｈ・ｑｓを新たなデッドゾーンに定め、絶対値がその新たなデッドゾーン以下である画像データの値を０に量子化する。 - 特許庁

Furthermore, as a circuit for controlling an output voltage, the power supply includes: a diode D1; a capacitor C1; resistors R1, R2 for setting the output voltages; a Zener diode Dz; a variable resistor Rv1; and a transistor Q2.例文帳に追加

また、出力電圧を制御する回路として、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１、出力電圧を設定する抵抗Ｒ１、Ｒ２、ツェナーダイオードＤｚ、可変抵抗Ｒｖ１、及びトランジスタＱ２を備える。 - 特許庁

To form a deposition layer of high density in the vicinity of a surface and a rear, and obtain a DZ layer in which oxygen deposit is extremely little in a silicon wafer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコンウェーハ及びその製造方法において、表裏面近傍に高密度の析出層を形成し、一方、極めて酸素析出物が少ないＤＺ層を得ること。 - 特許庁

To provide a method of forming a DZ layer on the surface of a wafer to promote an oxygen deposit formation inside when thermal treatment is performed by using a defectless wafer of low oxygen concentration.例文帳に追加

低酸素濃度の無欠陥ウェーハを用いて熱処理する際に、ウェーハ表面にＤＺ層を形成し、内部での酸素析出物形成を促進する熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of stably producing an annealed wafer having a DZ layer of not less than 10 μm capable of easily producing a substrate in which a whole area is an OSF region.例文帳に追加

全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which is a low-oxygen silicon wafer, has a DZ layer of an uniform thickness on a surface layer, and has an IG layer inside the wafer.例文帳に追加

低酸素シリコンウェーハで、表層に厚さが均一なＤＺ層を有し、ウェーハ内部にＩＧ層を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A voltage detector 10 detects the states of a first high potential voltage VND and a second high potential voltage VUP and generates first and second detection signals DZ and DX.例文帳に追加

電圧検知部１０は、第１の高電位電圧ＶＮＤと第２の高電位電圧ＶＵＰとの状態を検知して第１検知信号ＤＺと第２検知信号ＤＸを出力する。 - 特許庁

Further, the content of storage in a RAM for integrated control can be changed by acquiring or erasing special information according to the mode of operation of a presentation button in a secret increase/reduction possible period DZ (respective demonstration executing periods Da and Db).例文帳に追加

さらに、奥義増減可能時期ＤＺ（各デモ実行中Ｄａ,Ｄｂ）では、演出用ボタンの操作態様に応じて、特別情報を獲得及び消去することで、統括制御用ＲＡＭの記憶内容を変化可能にした。 - 特許庁

The second surface 33 of a wafer material 30a where a device will not be formed is mirror-polished to remove the DZ layer 32 on the second surface side and expose a BMD layer 34 on the second surface side.例文帳に追加

ウェーハ素材３０ａのうち、デバイスを形成しない第２面３３に鏡面研磨を行い、第２面側のＤＺ層３２を除去し、第２面側にＢＭＤ層３４を露出させる。 - 特許庁

Next, a dI/dZ-Z curve indicating a relationship between the distance from the objective lens to the object to be inspected and a change of the fluorescent intensity is formed on the basis of the I-Z curve.例文帳に追加

次に、Ｉ−Ｚカーブから、対物レンズと被検物の間の距離と、蛍光強度変化との関係を示すｄＩ／ｄＺ−Ｚカーブを作成する。 - 特許庁

A difference "d" between the distance from the objective lens to the object to be inspected giving a maximum value of the change of the fluorescent intensity and the distance from the objective lens to the object to be inspected giving a minimum value of the change of the fluorescent intensity, is obtained, on the basis of the dI/dZ-Z curve.例文帳に追加

ｄＩ／ｄＺ−Ｚカーブから、蛍光強度変化の最大値を与える対物レンズと被検物の間の距離と、蛍光強度変化の最小値を与える対物レンズと被検物の間の距離との差ｄを求める。 - 特許庁

A switching element 9u is inserted between the output terminal of one phase of three-phase power generator coils Lu to Lw and its corresponding input terminal of a rectifier circuit comprising diodes Du to Dw and Dx to Dz.例文帳に追加

３相発電コイルＬｕ〜Ｌｗの１相の出力端子と、ダイオードＤｕ〜Ｄｗ及びＤｘ〜Ｄｚからなる整流回路の対応する入力端子との間にスイッチ素子９ｕを挿入する。 - 特許庁

A condition D10 of measurement operation and a condition D20 of image pickup operation are recorded as output data together with appearance information DZ and DG acquired by the measurement and the two-dimensional image pickup of the three-dimensional shape of an object Q.例文帳に追加

対象物Ｑに対する３次元形状の測定および２次元撮影で得られた外観情報ＤＺ，ＤＧとともに、測定動作条件Ｄ１０および撮影動作条件Ｄ２０を出力データとして記録する。 - 特許庁

A face material is laminated on at least one face of a polyolefin resin foam sheet in which mean value of aspect ratios Dz/Dx of air bubbles existing inside is 1.1-5 and whose compression elasticity is 10 kgf/cm2 or larger.例文帳に追加

内在する気泡のアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値が１．１〜５で、圧縮弾性率が１０ｋｇｆ／ｃｍ^2 以上であるポリオレフィン系樹脂発泡体シートの少なくとも片面に面材が積層されている。 - 特許庁

A first logic unit 20 generates a first control signal S1 that is in accordance with an input signal Sin or having an L level in response to the input signal Sin and the first detection signal DZ.例文帳に追加

第１論理部２０は、入力信号Ｓｉｎと第１検知信号ＤＺとに基づいて、入力信号Ｓｉｎに応じた第１の制御信号Ｓ１、又はＬレベルの第１の制御信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁

An annealed wafer or epitaxial wafer having a DZ (Denuded Zone) layer with reduced grown-in defect and BMD (Bulk Micro Defect) of COPs (Crystal Oriented Particles) etc. is subjected to a rapid temperature raising/falling heat treatment in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ＣＯＰ等のグローンイン欠陥およびＢＭＤが低減したＤＺ層を有するアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハに、酸素ガス雰囲気における急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

Thus, by conducting the oxygen deposition nucleus formation process, such a silicon wafer 38 can be obtained that has the DZ layer 35 covering the surface and contains in an inner part the BMD layer 37 containing the oxygen deposition nuclei in high concentration.例文帳に追加

以上のような酸素析出核形成工程を経て、表面はＤＺ層３５に覆われ、内部に高密度に酸素析出核を含むＢＭＤ層３７を有する本発明のシリコンウェーハ３８を得ることができる。 - 特許庁

The measurement data DZ and the image data DG are corresponded to each other based on the condition D10 of measurement operation and the condition D20 of image pickup operation in a data processor in which the appearance information is input.例文帳に追加

外観情報が入力されるデータ処理装置において、測定動作条件Ｄ１０および撮影動作条件Ｄ２０に基づいて、測定データＤＺと画像データＤＧとの対応づけを行うようにする。 - 特許庁

Thereby, the oxygen in the surface layer of the wafer is diffused from the wafer surface to the outside, the oxygen- precipitation core is stabilized (more than a critical core), and the DZ layer is produced.例文帳に追加

よってウェーハ表層の酸素がウェーハ表面から外方拡散され、酸素析出核が安定化（臨界核以上）し、ＤＺ層１１が現出する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method for a silicon wafer by RTP that can suppress slipping by forming a BMD at a high concentration in a bulk while forming a DZ layer by eliminating COP in a wafer surface layer.例文帳に追加

ウェーハ表層においては、ＣＯＰを消滅させてＤＺ層を形成すると同時に、バルク中においては、ＢＭＤを高密度で形成し、スリップの発生を抑制することができるＲＴＰによるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a silicon single crystal wafer having a DZ layer formed in the surface layer thereof, being excellent in device characteristics and sufficiently forming an oxygen deposit functioning as a gettering site in a bulk area can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

ウエーハ表層にＤＺ層が形成されてデバイス特性が優れていると同時に、ゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物をバルク領域内に十分に形成できるシリコン単結晶ウエーハを安価に製造することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for heat treating at quickly rising/falling temperature for stably obtaining a wafer having little oxygen deposit therein while having the high concentration oxygen deposits to become a gettering source adjacent to a DZ formed in a sufficient thickness on the surface.例文帳に追加

表面には十分な厚さのＤＺが形成され、このＤＺに近接してゲッタリング源となる高密度の酸素析出物が生じ、かつ内部には酸素析出物が少ないウェーハを安定して得るための急速昇降温熱処理方法を提供する。 - 特許庁

In this shape measuring device, a rotation error around a driving shaft in the X-direction of an optical cutting probe 22 is detected, based on a difference of each Y-coordinate of each center position of a reference sphere 31 determined by twice measuring processings performed separately at a prescribed interval dz in the Z-direction.例文帳に追加

Ｚ方向に所定の間隔ｄｚ離れて行われる２回の測定処理で求められる基準球３１の中心位置のＹ座標の差分に基づいて、光切断プローブ２２のＸ方向の駆動軸周りの回転誤差を検出する。 - 特許庁

Diodes Du-Dw and Dx-Dz that make up a converter circuit that converts an AC output of a magnet alternator into a DC output and supplies it to a battery and thyristors Thu-Thw are mounted on heat sinks Hu-Hw.例文帳に追加

磁石式交流発電機の交流出力を直流出力に変換してバッテリに供給するコンバータ回路を構成するダイオードＤｕないしＤｗ及びＤｘないしＤｚと、サイリスタＴhuないしＴhwとをヒートシンクＨｕないしＨｗに取り付ける。 - 特許庁

The function of a distance relay is included in information control terminals 8 with a DZ, which are respectively provided to both ends of the electric line, as a reserve protecting device which detects the electricity amount of the plurality of terminals of the electric line and transmits it to the processing unit 3, and performs backup of a main protecting device.例文帳に追加

送電線の両端にそれぞれ設けられたＤＺ付情報制御端末８に後備保護装置として距離継電器の機能を包含させて送電線の前記複数の端子の電気量を検出して前記演算処理装置３に伝送すると共に主保護装置のバックアップを行う。 - 特許庁

In the developing device 40 of an electrophotographic printing machine, toner particles supplied from a mixing chamber 46 are moved by the toner donor roll 42 to the developing zone DZ to develop a latent image on the photosensitive surface 14 of a belt 12 as an image holding and carrying member.例文帳に追加

静電写真印刷機の現像装置４０において、トナードナーロール４２は、混合チャンバ４６から供給されるトナー粒子を現像領域ＤＺ内に移動させ、画像保持運搬部材であるベルト１２の感光表面１４の潜像を現像する。 - 特許庁