| 意味 | 例文 (23件) |
AG2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「AG2」の意味 |
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AG2
| human | 遺伝子名 | AG2 |
| 同義語（エイリアス） | anterior gradient 2 homolog (Xenopus laevis); GOB-4; AGR2; HAG-2; Secreted cement gland protein XAG-2 homolog; Anterior gradient protein 2 homolog precursor; anterior gradient 2 (Xenepus laevis) homolog; XAG-2; HPC8; AG-2 protein; hAG-2; UNQ515/PRO1030 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O95994 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:10551 | |
| その他のDBのID | HGNC:328 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「AG2」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
Assist gate electrodes AG1 and AG2 of the assist gate transistor are electrically independent.例文帳に追加
アシストゲートトランジスタのアシストゲート電極ＡＧ１，ＡＧ２は、電気的に独立である。 - 特許庁
In this case, it is indicated by U={A_1, A_2, A_3, A_4}, AG1={A_1, A_2, A_3}, AG2={A_2, A_3, A_4}: (1).例文帳に追加
Ｕ＝｛Ａ_１ ，Ａ_２ ，Ａ_３ ，Ａ_４ ｝，ＡＧ１＝｛Ａ_１ ，Ａ_２ ，Ａ_３ ｝，ＡＧ２＝｛Ａ_２ ，Ａ_３ ，Ａ_４ ｝． …（１） - 特許庁
Thus, in the artist map 1 after the editing, the artist AT4 is included in artist groups AG2 and AG3, and the artist AT4 has links with the artists AT2, AT3 and AT5.例文帳に追加
これにより、編集後のアーティストリンクマップ１において、アーティストAT4は、アーティストグループAG2とアーティストグループAG3に含まれることになり、アーティストAT4は、アーティストAT2、アーティストAT3、およびアーティストAT5とつながりを持つことになる。 - 特許庁
By contacting nitric acid solution containing Ag2+ with U, Pu and Np having adhered to a filter in a reaction tank 1, these elements are solved in the nitric acid solution by the Ag2+ effects.例文帳に追加
反応槽１内でＡｇ^2+を含む硝酸溶液とフィルタに付着したＵ，Ｐｕ及びＮｐとを接触させて、Ａｇ^2+の作用によりこれら元素を硝酸溶液に溶解させる。 - 特許庁
On side walls on both sides of the memory gate electrode MG, auxiliary gate electrodes AG1, AG2 are formed via silicon oxide films OX3.例文帳に追加
そして、このメモリゲート電極ＭＧの両側の側壁に酸化シリコン膜ＯＸ３を介して補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２が形成されている。 - 特許庁
To provide a processing method for radioactive waste using electrolyte containing Ag2+ which can reduce the amount of spent ion exchanger material.例文帳に追加
使用済イオン交換物質の量を低減できる、Ａｇ^2+を含む電解液を用いた放射性廃棄物の処理方法を提供する。 - 特許庁
Next, the polysilazane is removed and a TEOS oxide film 12 is formed in conditions of poor embedding property, to thereby form gaps AG1, AG2.例文帳に追加
この後、ポリシラザンを除去し、埋め込み性の悪い条件でＴＥＯＳ酸化膜１２を形成することで、空隙部ＡＧ１、ＡＧ２を形成する。 - 特許庁
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「AG2」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
In an anode chamber 6 wherein an anode 8 of the main electrolysis tank 2 is placed, the Ag+ contained in the nitric acid solution is oxidized to Ag2+.例文帳に追加
主電解槽２の陽極８が設置された陽極室６内で、硝酸溶液に含まれるＡｇ^+ をＡｇ^2+に酸化させる。 - 特許庁
In wring operation to a memory cell which is thus constituted, a negative voltage is applied to auxiliary gate electrodes AG1, AG2 of an non-selected cell.例文帳に追加
このように構成されているメモリセルの書き込み動作時において、非選択セルの補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２に負電圧を印加する。 - 特許庁
In a cathode chamber 7 wherein a cathode 9 of the main electrolysis tank 2 is placed, the Ag2+ in nitric acid solution containing the solved elements is reduced to Ag+.例文帳に追加
主電解槽２の陰極９が設置された陰極室７内で、溶解された元素を含む硝酸溶液中のＡｇ^2+をＡｇ^+ に還元する。 - 特許庁
Ag+ at the irradiation spot is transformed to Ag2+ and Ag0, and thus the light-emitting center emitting fluorescent light by ultraviolet rays, is formed.例文帳に追加
照射位置にあるＡg^+はＡg^2+およびＡg^0に変換されて、紫外線により蛍光を発する発光中心が形成される。 - 特許庁
Therefore, the transistors P1, P2, N3, and N4 are turned off without fail during the duration, in which they should be turned off, in relation to the voltages of terminals AG1 and AG2.例文帳に追加
したがって、各トランジスタＰ１、Ｐ２、Ｎ３、Ｎ４は、端子ＡＧ１、ＡＧ２の電圧との関係でオフになるべき期間で、必ずオフする。 - 特許庁
In an artist link map ALM 1 before editing, an Artist AT4 included in an artist group AG3, and having a link with only an artist AT5 is added to an artist group AG2 including artists AT2 and AT3.例文帳に追加
編集前のアーティストリンクマップALM１において、アーティストグループAG3に含まれるため、アーティストAT5とだけつながりを持っているアーティストAT4を、アーティストAT2、およびアーティストAT3が含まれるアーティストグループAG2に追加する編集を行う。 - 特許庁
A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加
補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２の直下にある半導体基板１Ｓ内には浅いｎ型低濃度不純物拡散領域ＥＸ１が形成されている。 - 特許庁
As removal amount of Ag2+ by the ion exchanger material can be drastically reduced, the life of ion exchanger material is extended and thus the generation amount of spent ion exchanger material is drastically reduced.例文帳に追加
イオン交換物質によるＡｇ^2+の除去量を著しく低減できるので、イオン交換物質の寿命が延びて使用済イオン交換物質の発生量が著しく減少する。 - 特許庁
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