AT IIIとは 意味・読み方・使い方

The porous material contains at least -M=O group on the surface of a fine pore, where M is at least one kind selected from Zr(IV), Fe(III), Mn(III-VII), Ti(III or IV), Al(III), Co(III) and Ni(III or IV).例文帳に追加

細孔の表面に−Ｍ＝Ｏ基（Ｍは、Ｚｒ（IV）、Ｆｅ（III）、Ｍｎ（III〜VII）、Ｔｉ（IIIまたはIV）、Ａｌ（III）、Ｃｏ（III）およびＮｉ（IIIまたはIV）から選ばれる少なくとも１種である）を含むことを特徴とする多孔質材。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride capable of obtaining the group III nitride at low temperature and pressure.例文帳に追加

III族窒化物を、低温、低圧において得ることができるIII族窒化物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

(iii) a resolution at a general meeting of members;発音を聞く 例文帳に追加

三　社員総会の決議 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) A resolution made at an Investors' meeting;発音を聞く 例文帳に追加

三　投資主総会の決議 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The particles including the III group metal element include at least one selected from the group consisting of III group metal simple bodies, oxides of the III group metal elements, and hydroxides of the III group metal elements, and the average particle size of the particles including the III group metal element is 50 nm or less.例文帳に追加

III族金属元素を含む粒子は、III族金属の単体、III族金属元素の酸化物およびIII族金属元素の水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種を含み、III族金属元素を含む粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁

To provide a III-V dilute magnetic semiconductor exhibiting ferromagnetism at normal temperature.例文帳に追加

常温で強磁性を示すIII−Ｖ族希薄磁性半導体を提供する。 - 特許庁