BN-1とは 意味・読み方・使い方

To provide a method of depositing, on a substrate, a metal-containing dielectric film containing a compound of formula (I): (Zr_1-aM^2_a)O_bN_c, wherein 0≤a<1, 0<b≤3, preferably 1.5≤b≤2.5, 0≤c≤1, and M^2 is a metal atom.例文帳に追加

式(I)：(Zr_1-a M^2_a)O_bN_c（ここで、0≦a＜1、0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M^2は金属原子を示す）の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。 - 特許庁

Through arranging the resistors R at the points b1 to bn of respective switches B1 to bn for a switch portion 1, the terminal voltage V in the switch portion 1 is detected through a lower threshold Vth of the bypass detecting circuit.例文帳に追加

スイッチ部１の各スイッチＢ１〜Ｂｎの接点ｂ１〜ｂｎに抵抗Ｒを直列接続し、スイッチ部１の端子間電圧Ｖを、バイパス検出回路１０の下限閾値Ｖthで検定する。 - 特許庁

The outer protection tube 1 is formed in layer structure of the first layer 11 made of ceramics and the second layer 10 made of ceramics added by hot water repellent boron nitride BN so that durability is improved.例文帳に追加

外部保護管１はセラミツクスからなる第１層１１と、撥湯性の窒化硼素BNを添加したセラミツクスからなる第２層１０とからなる積層構造に形成し、耐久性を向上する。 - 特許庁

The outer protection tube 1 is formed in layer structure of the first layer 11 made of ceramics of silicon nitride Si3N4 and the second layer 10 made of ceramics added by hot water repellent boron nitride BN to silicon nitride Si3N4 so that durability is improved.例文帳に追加

外部保護管１は窒化珪素 Si_3N_4に撥湯性の窒化硼素BNを添加したセラミツクスからなる第２層１０と、窒化珪素 Si_3N_4セラミツクスからなる第１層１１との積層構造にし、耐久性を向上する。 - 特許庁

The circuit 18a includes also a determination circuit 30 (RAn, AC#Bn#ROW, C#B#Rn) for determining whether the 2nd address is related with the 1st address or not and a circuit 30 for issuing a control signal to the memory 24.例文帳に追加

メモリ・コントローラ回路は又、第2アドレスが第1アドレスと関係しているかを決定する決定回路（３０、RAn、AC#Bn#ROW、C#B#Rn）と、メモリへ制御信号を発行する回路（３０）を含む。 - 特許庁

Key tables 2-a1-2-bn in which the function modes of keys are described are set, and a key function mode table 1 for specifying each key table 2-a1-2-bn is set based on the operated key and the selected function mode.例文帳に追加

キーの機能モードを記述したキーテーブル２−_a1〜２−_bnを設定し、操作されたキーと選択された機能モードに基づいて、キーテーブル２−_a1〜２−_bnのそれぞれを特定するキー機能モードテーブル１を設定する。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1 +an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ__n)＋ｂ_n・(ｂ_n+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+ bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1+an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ_n)＋ｂ_n・(ｂ_n_+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁