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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > BN-1に関連した英語例文

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BN-1の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 55



例文

The investigator device 10 increments 1 to a bn corresponding to the sbc and decrements 1 from the bn corresponding to the ebc.例文帳に追加

調査者装置10は、sbcに対応するbnに1を加算、ebcに対応するbnから1を減算する。 - 特許庁

0.90≤Cn/(An+Bn)<1.0 (1), 0≤Bn/An≤0.05 (2).例文帳に追加

0.90≦Cn/(An+Bn)<1.0 ・・・・・・・・・・・・・(1)0≦Bn/An≦0.05 ・・・・・・・・・・・・(2)によって実現される。 - 特許庁

The investigator device adds 1 to bn corresponding to the sbc and subtracts 1 from bn corresponding to the ebc.例文帳に追加

調査者装置は、sbcに対応するbnに1を加算、ebcに対応するbnから1を減算する。 - 特許庁

The abrasion- resistant coating includes at least one type of ultrafine compound selected from a group containing B4DC, BN, TiB2, TiB, TiC, WC, SiC, SiNX (X=0.5 to 1.33), and Al2O3.例文帳に追加

耐摩耗性被膜中には、B_4C、BN、TiB_2、TiB、TiC、WC、SiC、SiN_X(X=0.5〜1.33)およびAl_20_3をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。 - 特許庁

例文

The abrasion- resistant coating includes at least one type of ultrafine compound selected from a group containing B4C, BN, TiB2, TiB, TiC, WC, SiC, SiNX (X=0.5 to 1.33), andAl2O3.例文帳に追加

耐摩耗性被膜中には、B_4C、BN、TiB_2、TiB、TiC、WC、SiC、SiN_X(X=0.5〜1.33)およびAl_20_3をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。 - 特許庁


例文

A molybdenum/boron nitride (Mo/BN) multilayer film or a molybdenum/silicon oxide (Mo/SiO_2)multilayer film is deposited on a laminar diffraction grating substrate 1 or a diffraction grating substrate having a brazed grating groove on the surface by using molybdenum (Mo) 2 and boron nitride (BN) 3 or Mo 2 and silicon oxide (SiO_2) 3 as a film depositing material.例文帳に追加

ラミナー型回折格子基板1、またはブレーズド型の格子溝を表面に有する回折格子基板に、モリブデン(Mo)2と窒化ホウ素(BN)3、またはMo2と酸化ケイ素(SiO_2)3を成膜材料として用いた、Mo/BN多層膜、またはMo/SiO_2多層膜を成膜する。 - 特許庁

A file backup system 1 is provided with servers A1 and A2 and personal computers B1 to Bn.例文帳に追加

ファイルバックアップシステム1は、サーバA1、A2と、パーソナルコンピュータB1〜Bnとを具備する。 - 特許庁

To provide a method of depositing, on a substrate, a metal-containing dielectric film containing a compound of formula (I): (Zr_1-aM^2_a)O_bN_c, wherein 0≤a<1, 0<b≤3, preferably 1.5≤b≤2.5, 0≤c≤1, and M^2 is a metal atom.例文帳に追加

式(I):(Zr_1-a M^2_a)O_bN_c(ここで、0≦a<1、0<b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M^2は金属原子を示す)の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。 - 特許庁

Through arranging the resistors R at the points b1 to bn of respective switches B1 to bn for a switch portion 1, the terminal voltage V in the switch portion 1 is detected through a lower threshold Vth of the bypass detecting circuit.例文帳に追加

スイッチ部1の各スイッチB1〜Bnの接点b1〜bnに抵抗Rを直列接続し、スイッチ部1の端子間電圧Vを、バイパス検出回路10の下限閾値Vthで検定する。 - 特許庁

例文

The outer protection tube 1 is formed in layer structure of the first layer 11 made of ceramics and the second layer 10 made of ceramics added by hot water repellent boron nitride BN so that durability is improved.例文帳に追加

外部保護管1はセラミツクスからなる第1層11と、撥湯性の窒化硼素BNを添加したセラミツクスからなる第2層10とからなる積層構造に形成し、耐久性を向上する。 - 特許庁

例文

The outer protection tube 1 is formed in layer structure of the first layer 11 made of ceramics of silicon nitride Si3N4 and the second layer 10 made of ceramics added by hot water repellent boron nitride BN to silicon nitride Si3N4 so that durability is improved.例文帳に追加

外部保護管1は窒化珪素 Si_3N_4に撥湯性の窒化硼素BNを添加したセラミツクスからなる第2層10と、窒化珪素 Si_3N_4セラミツクスからなる第1層11との積層構造にし、耐久性を向上する。 - 特許庁

The circuit 18a includes also a determination circuit 30 (RAn, AC#Bn#ROW, C#B#Rn) for determining whether the 2nd address is related with the 1st address or not and a circuit 30 for issuing a control signal to the memory 24.例文帳に追加

メモリ・コントローラ回路は又、第2アドレスが第1アドレスと関係しているかを決定する決定回路(30、RAn、AC#Bn#ROW、C#B#Rn)と、メモリへ制御信号を発行する回路(30)を含む。 - 特許庁

Key tables 2-a1-2-bn in which the function modes of keys are described are set, and a key function mode table 1 for specifying each key table 2-a1-2-bn is set based on the operated key and the selected function mode.例文帳に追加

キーの機能モードを記述したキーテーブル2−_a1〜2−_bnを設定し、操作されたキーと選択された機能モードに基づいて、キーテーブル2−_a1〜2−_bnのそれぞれを特定するキー機能モードテーブル1を設定する。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1 +an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってa_n・a_n-1+b_n・b_n-1をa_n・(a_n+1−b__n)+b_n・(b_n+1+a_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ARCTAN検出器4内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+ bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1+an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってa_n・a_n-1+b_n・b_n-1をa_n・(a_n+1−b_n)+b_n・(b_n_+1+a_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ARCTAN検出器4内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

There are respectively provided, in each side of a macro 1, input terminals an, aw, as, ae of the same function, and output terminals bn, bw, bs, be of the same function.例文帳に追加

マクロ1の各辺に同一機能の入力端子an,aw,as,aeならびに同一機能の出力端子bn,bw,bs,beをそれぞれ設ける。 - 特許庁

The circuit 1 controls the frequency of the output clock signal ST so that DN = CN - BN = 0.例文帳に追加

この回路1では、DN=CN−BN=0となるように、出力クロック信号STの周波数が制御される。 - 特許庁

This image display device is provided with a display part 1 for displaying a cursor C and buttons B1 to Bn, an input part 2 for performing the movement of the cursor C and the selection of the buttons B1 to Bn and a control part 3 for controlling the display part 1 and the input part 2.例文帳に追加

画像表示装置を、カーソルC及びボタンB1〜Bnを表示する表示部1と、カーソルCの移動及びボタンB1〜Bnの選択を行う入力部2と、表示部1及び入力部2を制御する制御部3とから構成する。 - 特許庁

For instance, an I picture In+2, a B picture Bn and the B picture n+1 and the sound data An+2, the sound data An and the sound data An+1 corresponding to them are gathered and recorded.例文帳に追加

例えば、IピクチャIn+2、BピクチャBn、およびBピクチャn+1と、それらに対応する音声データAn+2、音声データAn、および音声データAn+1がまとまって記録されている。 - 特許庁

Then, the positions of measurement points An(n=1, 2, and so on) are acquired based on the postures in detection, and the traveling boundary is estimated based on the relationship of straight lines Bn(n=1, 2 and so on) passing the respective measurement points An(n=1, 2 and so on).例文帳に追加

そして、検出時の姿勢によって各計測点An(n=1,2,・・・)の位置を取得し、その各計測点An(n=1,2,・・・)を通過する直線Bn(n=1,2,・・・)の関係性に基づき走行境界を推定する。 - 特許庁

Outputs of (n+1) sets of 2nd stage multiplexers BO-Bn are connected to (n+1) sets of input terminals of a 1st stage multiplexer A, and an output of the multiplexer A is given to an analog/digital converter 1.例文帳に追加

第1段マルチプレクサAのn+1個の入力端へn+1個の第2段マルチプレクサB_0〜B_nの出力を接続し、マルチプレクサA出力をA/D変換器1への入力とする。 - 特許庁

A composition for coating sliding or rolling or fretting or impacting members is formed by preparing a composite powder of TiB_2 and BN, with a TiB_2 to BN ratio ranging from 1:7 to 20:1, and a metallic matrix selected from the group consisting of nickel, chromium, iron, cobalt, aluminum, tungsten, carbon and alloys thereof.例文帳に追加

被覆物の摺動、転動、微動または衝撃付与部材用の組成物が、TiB_2対BN比が1:7乃至20:1の範囲にあるTiB_2およびBNの複合材粉末、ならびにニッケル、クロム、鉄、コバルト、アルミニウム、タングステン、カーボンおよびその合金から成るグループから選ばれる金属マトリックスを調製することにより形成される。 - 特許庁

The ground stations receive the broadcast signals a1 to an transmitted by the artificial satellite 1 and transmits reception status signals b1 to bn based on size information of the reception level to the artificial satellite 1.例文帳に追加

この地上局は、人工衛星1から送信される放送信号a1〜anを受け、その受信レベルの大小情報に基づく受信状態信号b1〜bnを人工衛星1に送信する。 - 特許庁

For example, in a case of obtaining a signal (G_n)_out, a signal of a local color (G_n)_in, a signal of an adjacent color (Bn)in, and a signal of a next adjacent color (R_n+1)_in are used for the calculation using conversion formula 2.例文帳に追加

例えば、信号(G_n)_outを得る場合、自色の信号(G_n)_in,隣接色の信号(B_n)_in,隣々接色の信号(R_n+1)_inを用いて変換式2で演算する。 - 特許庁

The control unit of the brightness control device B1 transmits the set group address to the other brightness control devices B1, Bn via the communication line 1 and receives the group address from any one of the other brightness control devices B1, Bn to determine whether the device B1 itself is the master device or the slave device in a group G1.例文帳に追加

明るさ制御装置B1の制御部は、設定されたグループアドレスを通信線1を介して他の明るさ制御装置B1、Bnに送信するとともに、他の明るさ制御装置B2、Bnの何れかからグループアドレスを受信することにより、自身がグループG1の中で親機であるか、子機であるかを判断する。 - 特許庁

The concave mirror Bn of the mirror finished group B reflects laser beam L1 from the concave mirror An to make laser beam L2 enter an adjacent concave mirror An+1.例文帳に追加

鏡面群Bの凹面鏡Bnは、凹面鏡Anからのレーザー光L1を反射して隣接凹面鏡An+1にレーザー光L2を入射させる。 - 特許庁

This lubricative parting material of the mold for glass forming is prepared by dispersing 5 to 30 wt.% boron nitride (BN) powder into water or an organic solvent and dissolving 0.2 to 1 wt.% binder into the water or the organic solvent.例文帳に追加

5〜30wt%の窒化ホウ素(BN)粉末を水中又は有機溶剤中に分散させ、0.2〜1wt%のバインダーを水中又は有機溶剤中に溶解させてなるガラス成形用金型の潤滑離型剤である。 - 特許庁

In an inverter apparatus 1, which is a semiconductor apparatus, an input terminal 18 has an insulating resin part 18m, and a pair of bus bars 18bp and bn are supported on the top of the resin part 18m.例文帳に追加

半導体装置であるインバータ装置1において、入力端子18は、絶縁性の樹脂部18mを有し、樹脂部18mの上部に一対のバスバー18bp,bnが支持されている。 - 特許庁

The boron nitride film including the c-BN phase having 5 to 100 nm average grain diameter has a structure wherein the periphery of individual crystal is surrounded by an sp^2 bonding phase having 1 to 20 nm thickness.例文帳に追加

c−BN相を含む窒化ホウ素皮膜であって、c−BN相の平均結晶粒径が5〜100nmであり、各々の結晶の周りが厚さ1〜20nmのsp^2結合相で囲まれた組織を有する窒化ホウ素皮膜。 - 特許庁

A coating agent consisting of one or more kinds selected from graphite, BN, CaCO_3, SiO_2, TiO_2, and ZnO_2 is preferably applied on the inner surface of the casting nozzle 1.例文帳に追加

鋳造ノズル1の内面には、黒鉛、BN、CaCO_3、SiO_2、TiO_2、ZnO_2の1種あるいは2種以上よりなるコーティング剤を塗布してあることが好ましい。 - 特許庁

The battery capacity control device 10 includes a battery voltage measuring part 11 to measure and treat battery voltages of respective battery cells B1 to Bn of the battery pack 1 and a charge control part 17 to control charging operation of the respective battery cells B.例文帳に追加

電池容量制御装置10は、組電池1の各電池セルB1〜Bnの電池電圧を計測処理する電池電圧計測部11と、各電池セルBの充電動作を制御する充電制御部17とを備える。 - 特許庁

The anode body 1 includes a creep-up prevention section N1 for preventing the formation of the cathode layer at an end E2b where a distance to the boundary BN becomes shorter from both the ends E2a, E2b of the other end E2.例文帳に追加

陽極体1は、他方端E2の両端部E2a、E2bのうち境界BNとの距離が近い方の端部E2bに、陰極層が形成されるのを防止するための這い上がり防止部N1を有する。 - 特許庁

The first element A has a dielectric oxidation film 4 and a negative electrode layer made of a solid-state electrolyte 5 and a conductive material 6, both provided on a connection surface of a valve action metallic base 1 to a mounting board to thereby form negative electrode parts b1 to bn.例文帳に追加

第1の素子Aは、弁作用金属基体1の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜4と、固体電解質5および導電性部材6からなる陰極電極層を設けて、陰極部b1〜bnを形成する。 - 特許庁

An outer protective tube 1 is formed into a laminate structure of first ceramic layer 11 and a second ceramics layer 10 containing hot water repellent BN in order to enhance durability.例文帳に追加

外部保護管1は,撥湯性のBNを含有したセラミックスから成る第2層10とセラミックスから成る第1層11とから積層構造に形成され,耐久性がアップされる。 - 特許庁

Each of the probe pins 41 to 4n for supplying a driving (data) signal is arranged at intervals three times as large as the terminal pitch Tp of driving (data) signal input terminals R1, G1, B1 to Rn, Gn, and Bn of the liquid crystal panel 1.例文帳に追加

駆動(データ)信号を供給するための各プローブピン41〜4nは、液晶表示パネル1の駆動(データ)信号入力端子R1,G1,B1,…,Rn,Gn,Bnの端子ピッチTpの3倍で配設されている。 - 特許庁

To efficiently achieve simultaneous communication to each multi-address system in a communication system for notifying a plurality of multi-address systems B1 to Bn from an integrated part 1.例文帳に追加

統合部1から複数の同報系システムB1〜Bnへ通報を行う通信システムで、各同報系システムへの一斉通報を効率的に行う。 - 特許庁

For example, used blocks whose display magnifications are ×2 are used blocks having a stored block number equal to a quotient value obtained by dividing a block number BN by 2 and a stored block number equal to a value obtained by adding 1 to the quotient value.例文帳に追加

例えば、表示倍率が2倍の使用ブロックについては、ブロック番号BNを2で割った商の値のブロック番号および商の値に1加算した値のブロック番号が記憶されている使用ブロックが該当ブロックである。 - 特許庁

The implement for softening the lead glass is composed of 90 to 20 mass% sialon expressed by Si_6-zAlzOzN_8-z (where 1<z<4.2) and 10 to 80 mass% BN, and has a relative density of 55 to 95%.例文帳に追加

Si_6−zAlzOzN_8−z(但し、1<z<4.2)で表されるサイアロン90〜20質量%とBN10〜80質量%とからなり、相対密度55〜95%であること特徴とする鉛ガラス軟化用治具。 - 特許庁

In the first element A, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 4, a solid electrolyte 5, and a conductive member 6 is provided on a connection surface of a valve action metal substrate 1 to a mounting substrate, and cathode parts b1 to bn are formed.例文帳に追加

第1の素子Aは、弁作用金属基体1の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜4と、固体電解質5および導電性部材6からなる陰極電極層を設けて、陰極部b1〜bnを形成する。 - 特許庁

The entrusting persons B1 to Bn without having the melting and solidifying device puts the plastic wastes directly in a prescribed container 4a, and a treating entrepreneur 1 collects them in such states.例文帳に追加

溶融固化装置を持たない委託者B1〜Bnはプラスチック廃棄物を所定のコンテナ4aに直接入れ、この状態で処理事業者1が回収する。 - 特許庁

This SiC structure has the honeycomb structure and has the core material 1 comprising the SiC/Si composite material and a surface board 2 comprising an SiC material which is set at least on one side of the core material 1, and on the inner wall of the honeycomb structure 3 of the core material 1, a BN layer 4 exists.例文帳に追加

ハニカム構造を有し、SiC−Si複合材料からなるコア材1と、コア材1の少なくとも一方側に設けられ、SiC質材料からなる表面板2とを有するSiC質構造体であって、コア材1のハニカム構造部3の内壁にBN層4を有する。 - 特許庁

As a plurality of the distributed power supplies that are operated in a manner of current control, there are used first kinds of the distributed power supplies A2 to An each having power accumulation equipment, and second kinds of the distributed power supplies B1 to Bn each having a solar battery 1 as generation equipment and not having the power accumulation equipment.例文帳に追加

電流制御運転される複数台の分散型電源として、蓄電設備を有する第1の種類の分散型電源A2〜Anと、発電設備として太陽電池1を備え且つ蓄電設備を有しない第2の種類の分散型電源B1〜Bnとを用いる。 - 特許庁

The material for forming the silver ion water comprises a porous ceramic obtained by synthesizing the material by firing a mixed raw material containing (1) at least one kind of Ti and Zr, (2) Ag and (3) at least one kind of C, B, BN and B_4C.例文帳に追加

(1)Ti及びZrの少なくとも1種、(2)Ag並びに(3)C、B、BN及びB_4Cの少なくとも1種、を含む混合原料を燃焼合成することにより得られる多孔質セラミックからなる銀イオン水生成用材料に係る。 - 特許庁

Refractory material composed of <5 mass% C (graphite), 4-25 mass% BN (boron nitride) and 75-96 mass% ZrO_2 (zirconia) is used as a refractory material 1 in the slag line of the immersion nozzle for the continuous casting of steel.例文帳に追加

本発明品ノズルのスラグライン部の耐火材料1として、C(黒鉛):5質量%未満,BN(窒化硼素):4〜25質量%,ZrO_2(ジルコニア):75〜96質量%からなる耐火材料を用いた鋼の連続鋳造用浸漬ノズル。 - 特許庁

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加

Si単結晶基板1上に厚さ100nm〜3μm程度のc−BP単結晶層3及び厚さ5〜80nm程度のc−BN単結晶層4を順に介在して厚さ1〜10μm程度のダイヤモンド単結晶膜5が形成されている。 - 特許庁

The output circuit includes a main buffer circuit 1 for outputting differential output signals BP, BN according to a differential input signal DI from a pair of output terminals 31, 32, and a trimming circuit 2 for adjusting the impedances of the pair of output terminals 31, 32 according to control signals CS.例文帳に追加

本発明による出力回路は、差動入力信号DIに応じた差動出力信号BP、BNを出力端子対31、32から出力するメインバッファ回路1と、制御信号CSに応じて出力端子対31、32のインピーダンスを調整するトリミング回路2とを具備する。 - 特許庁

A packet demultiplexer circuit 21 of a transmitter side assigns packets with PID=a1-b1 of a received packet data stream to a transmission channel #1, assigns packets with PID=a2-b2 of the received packet data stream to a transmission channel #2, and similarly assigns packets with PID=aN-bN of the received packet data stream to a transmission channel #N.例文帳に追加

送信側で、パケット分離回路21により、入力パケットデータ系列のうち、PID=a_1 〜b_1 のパケットを伝送チャンネル#1に、PID=a__2 〜b_2 のパケットを伝送チャンネル#2に、同様にして、PID=a_N 〜b_Nのパケットを伝送チャンネル#Nに割り当てる。 - 特許庁

Each block B1 to Bn comprises a detector of alarm change point 1, a register 2 to set front protect time Ts and rear protect time Tr, a protect time selector 3, a first latch 4, an accumulator 5, a monitoring circuit 6, and a second latch 7.例文帳に追加

各ブロックB1〜Bnは、アラームの変化点検出器1、前方保護時間Tsおよび後方保護時間Trを設定するレジスタ2、保護時間セレクタ3、第1ラッチ4、加算器5、監視回路6および第2ラッチ7より構成される。 - 特許庁

A memory managing information storage part 3 of a central processing unit 1 stores memory managing information Bn on storage management of data An of a unit smaller than an erasing unit that a data storage part 2 stores in a nonvolatile memory 6, in the nonvolatile memory 6.例文帳に追加

中央演算処理装置1の記憶管理情報記憶部3は、データ記憶部2が不揮発性メモリ6に記憶する、消去単位より小さい単位のデータAnの記憶管理に関する記憶管理情報Bnを不揮発性メモリ6に記憶する。 - 特許庁

例文

In a computer system 1 having a plurality of functional boards B1 to Bn, the functional board B1 is set in a central functional board, and when any failure is generated in the functional board Bm, the functional board B1 being the central functional board is notified of the result by the functional board Bm, and the error board is specified and recorded in an error board register D1.例文帳に追加

複数の機能ボードB1〜Bnを有するコンピュータシステム1において、機能ボードB1を代表機能ボードに設定し、機能ボードBmに障害が発生した場合には、機能ボードBmが代表機能ボードである機能ボードB1に通知し、エラーボードレジスタD1にエラーボードを特定して記録する。 - 特許庁

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