Band IIIとは 意味・読み方・使い方

Before switching an input of a band selection switch 20 from the band III to the L band, a control voltage at which the pass band of the tracking filter 18 includes no DAB reception signal of the band III is searched and the searched control voltage is determined for the control voltage of the tracking filter 18.例文帳に追加

バンド選択スイッチ２０の入力側をバンドIIIからＬバンドへ切替える前に、トラッキングフィルタ１８の通過帯域が、バンドIIIのＤＡＢの受信信号を含まないものとなる制御電圧を探索し、該探索制御電圧へトラッキングフィルタ１８の制御電圧を切替える。 - 特許庁

The first group III-V compound semiconductor has a band-gap wavelength λ_Bg exceeding 1 μm.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体は１マイクロメートルを超えるバンドギャップ波長λ_Ｂｇを有する。 - 特許庁

The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first III-V semiconductor layer 110 having an energy level of a first conduction band and a first valence band, a second III-V semiconductor layer 120 having an energy level of a second conduction band and a second valence band, and a metal layer 130 having a Fermi evergy level.例文帳に追加

半導体デバイス１００は、第１の伝導帯および第１の価電子帯のエネルギレベルを有する第１のIII−Ｖ族半導体層１１０、第２の伝導帯および第２の価電子帯のエネルギレベルを有する第２のIII−Ｖ族半導体層１２０、およびフェルミエネルギレベルを有する金属層１３０を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an active layer 5 is formed of a first III group nitride semiconductor with a first forbidden band width.例文帳に追加

半導体装置１では、活性層５は、第１の禁制帯幅を有する第１のIII族窒化物半導体から成る。 - 特許庁

To enable short wavelength light to be emitted with high intensity, which is superior in monochromaticity in the range from blue color band to green color band, using a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

III族窒化物半導体発光素子を用いて青色帯から緑色帯にかけての単色性に優れる短波長光を高強度で発光できるようにする。 - 特許庁

Since the group III-V compound semiconductor layer 21 is formed of a material containing Al elements, Ga elements and In elements as group III elements and containing As elements as group V elements, band offsets in a conduction band of the embedded semiconductor layer 19, that of the second clad layer 23 and that of the group III-V compound layer 21 are small.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。 - 特許庁

The band gap energy (Eg2) of the group third-fifth compound semiconductor layer 14 is larger than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。 - 特許庁