Comparative Inspectionとは 意味・読み方・使い方

To provide a technology for shortening the time required for visual comparative inspection in a semiconductor device having a plurality of kinds of pattern group where the comparing pitch and comparing direction of a repetitive pattern are different from each other.例文帳に追加

繰り返しパターンの比較ピッチおよび比較方向が互いに異なる複数種類のパターン群を有する半導体装置において、外観比較検査に要する時間を短縮することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The tablet inspection device 100 is constituted of a near infrared ray irradiation unit 11, a transmitted light detection unit 17 a database 32 and a comparative operation unit 31.例文帳に追加

錠剤検査装置１００を、近赤外光照射部１１、透過光検出部１７、データベース３２及び比較演算部３１を備える構成とする。 - 特許庁

An object image is then acquired after alignment, and a comparative inspection is performed using the relevant object image and the master image after expansion/contraction.例文帳に追加

そして、位置合わせされた後に、オブジェクト画像を取得するとともに、当該オブジェクト画像と伸縮後のマスタ画像とを用いて比較検査を行う。 - 特許庁

This invention is the inspection apparatus 101 for checking whether a solid medicine 5 of a fixed shape used in comparative testing is packed as requested or not.例文帳に追加

本発明は、比較試験中に用いられる一定の形状を有する固形製剤５が所望通りに包装されているか否かを検査するための検査装置１０１である。 - 特許庁

A Ref comparative inspection means 31b compares the selected reference image data with other image data to calculate a second threshold value not detecting a dummy flaw at every other image data on the basis of the comparison result.例文帳に追加

Ｒｅｆ比較検査手段３１ｂは、選択された参照画像データと他の画像データとを比較し、比較結果に基づいて他の画像データごとに擬似欠陥を検出しない第２の閾値を算出する。 - 特許庁

Comparing pitch and comparing direction are altered during a series of inspection operations where a semiconductor wafer is scanned with an electron beam by specifying regions A and B in the inspection file of a visual comparative inspection equipment and inputting the comparing pitch (first comparison pitch d1, second comparison pitch d2) and the comparing direction (X direction, Y direction) of respective regions A and B into the inspection file.例文帳に追加

外観比較検査装置の検査ファイルに、領域Ａ，Ｂを指定し、さらに領域Ａ，Ｂの各々の比較ピッチ（第１の比較ピッチｄ１，第２の比較ピッチｄ２）および比較方向（Ｙ方向，Ｘ方向）を検査ファイルに入力することにより、半導体ウエハ上を電子ビームで走査する１回の一連の検査動作中に、比較ピッチおよび比較方向を変更する。 - 特許庁

(4) With regard to the application of Article 16, paragraph 1, Article 49, paragraph 1, Article 72, paragraph 4, Article 118, paragraph 1, Article 119, paragraph 3 and Article 151, paragraph 1 of the New Act, comparative inspection marks affixed pursuant to the provision of Article 101, paragraph 1 of the Old Act prior to the enforcement date (limited to those of which the valid period has not yet expired) as well as comparative inspection marks affixed pursuant to the provision of Article 101, paragraph 1 of the Old Act which, pursuant to the provision of paragraph 2 of this Article, are deemed to remain valid on and after the enforcement date shall be deemed to be verification marks set forth in Article 72, paragraph 1 of the New Act.発音を聞く 例文帳に追加

４　施行日前に旧法第百一条第一項の規定により付された比較検査証印（比較検査の有効期間を経過していないものに限る。）及び施行日以後に第二項の規定によりなおその効力を有するものとされた同条第一項の規定により付された比較検査証印は、新法第十六条第一項、第四十九条第一項、第七十二条第四項、第百十八条第一項、第百十九条第三項及び第百五十一条第一項の適用については、新法第七十二条第一項の検定証印とみなす。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a semiconductor chip inspection apparatus capable of adapting to simultaneous connection to a large number of electrode pads and electrode pads of a plurality of chips through the use of a probe card constituting a membrane probe sheet highly densely arranged at a narrow pitch comparative to the pitch of electrode pads.例文帳に追加

電極パッドのピッチと同程度にまで狭ピッチで高密度、かつ高い位置精度に配置された薄膜プローブシートを構成したプローブカードを用い、多数の電極パッドや複数のチップの電極パッドに対する同時接続にも対応する。 - 特許庁