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Epitaxial junctionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エピタキシャルジャンクション; エピタキシャル接合
「Epitaxial junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 85件
MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION例文帳に追加
pn接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO JUNCTION BI-POLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ - 特許庁
In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加
p^-エピタキシャル層3上に、n型エピタキシャル層4とゲート領域5とが順に形成されている。 - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ、及びその製造方法 - 特許庁
The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加
バックゲート領域BGはエピタキシャル層EPとpn接合を構成し、第2導電型である。 - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR MANUFACTURED BY USING IT例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びそれを用いて作製したヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁
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「Epitaxial junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 85件
The semiconductor layer in the light receiving part (region PD) has a pn junction in a junction part of the p^--type epitaxial layer 2 and the n-type silicon substrate 5a.例文帳に追加
受光部(領域PD)における半導体層は、p^−型エピタキシャル層2とn型シリコン基板5aとの接合部にpn接合を有する。 - 特許庁
A photodiode chip 1B has a first p-n junction region, formed at an interface between a region 13 and an epitaxial layer 12, and a second p-n junction region formed at an interface between a region 17 and an epitaxial layer 12.例文帳に追加
フォトダイオードチップ1Bは、領域13とエピタキシャル層12との界面に形成される第1のpn接合領域と、領域17とエピタキシャル層12との界面に形成される第2のpn接合領域とを有する。 - 特許庁
In the junction field effect transistor 1; a p-type lower epitaxial layer 3, an n-type epitaxial layer 4, and a p-type upper epitaxial layer 5 are stacked on a semiconductor substrate 2 in this order from the side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加
接合型電界効果トランジスタ1では、半導体基板2上に、p型下エピタキシャル層3、n型エピタキシャル層4およびp型上エピタキシャル層5が、半導体基板2側からこの順に積層されている。 - 特許庁
A control electrode 12d is an electrode for applying to the p^--epitaxial layer 3 such a voltage that the p^--epitaxial layer 3 and the n-type epitaxial layer 4 are brought into a mutually inverse bias in the case of the OFF-operation of the lateral junction type field effect transistor.例文帳に追加
制御電極12dは、オフ動作時においてp^-エピタキシャル層3とn型エピタキシャル層4とが逆バイアス状態となるような電圧をp^-エピタキシャル層3に印加するためのものである。 - 特許庁
The junction field-effect transistor 1 has an n^--type epitaxial layer 3 laminated on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加
この接合型電界効果トランジスタ1では、半導体基板2上に、n^−型エピタキシャル層3が積層されている。 - 特許庁
To reduce manufacturing cost by depositing an epitaxial layer included in a super junction structure in a short time.例文帳に追加
スーパージャンクション構造を構成するエピタキシャル層を短時間で成膜することで製造コストを削減する。 - 特許庁
The surface of the source electrode 70 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 form shot key junction.例文帳に追加
ソース電極70とN型SiCエピタキシャル領域20の表面とは、ショットキー接合を形成する。 - 特許庁
Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加
エピタキシャル結晶成長技術でp層、n層を形成しているので高不純物濃度のpn接合が精度よく形成される。 - 特許庁
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