M electronとは 意味・読み方・使い方

These electrons are generated as a result of electron avalanche in the p-D-M structure or injection process in the n^+-p-D-M structure.例文帳に追加

これらの電子は、ｐ−Ｄ−Ｍ構造における電子なだれまたはｎ^＋−ｐ−Ｄ−Ｍ構造における注入プロセスの結果として生成される。 - 特許庁

The present circuit has m (m is an integral number more than 3) pieces of single electron transistors 20-23 having N (N is a natural number) pieces input gate electrodes 81, 82, and each single electron transistor is so adjusted so that input gate voltages Vin are adjusted different from each other to obtain the maximum conductance corresponding to m pieces of voltages.例文帳に追加

Ｎ（Ｎは自然数）個の入力ゲート電極８１，８２を有する単電子トランジスタ２０〜２３をｍ（ｍは３以上の整数）個備え、各単電子トランジスタは、ｍ個の電圧値に対応してコンダクタンスが最大となる入力ゲート電圧Ｖinが互いに異なるように調整されている。 - 特許庁

P units of light steppers 7-17 having a throughput of M sheets per hour and Q units of electron beam exposure devices 2-4 having a throughput of (m) sheets per hour are used to manufacture a device.例文帳に追加

Ｍ枚／Ｈのスループットを持つ光ステッパー７〜１７をＰ台と、ｍ枚／Ｈのスループットを持つ電子線露光装置２〜４をＱ台とを用いてデバイスを製造する。 - 特許庁

In formula (1), X is an electron withdrawing group without containing an aromatic ring; Y is a single bond or -(CH_2)_p- (p is 1-10); m+n+l=1; m>0; n>0; and 1≥0.例文帳に追加

［式（１）中、Ｘは芳香環を含まない電子求引基、Ｙは単結合又は−（ＣＨ_2）_ｐ−（ｐは１〜１０）であり、ｍ＋ｎ＋ｌ＝１、ｍ＞０、ｎ＞０、ｌ≧０である。 - 特許庁

To provide an electron spectrometer capable of obtaining an image with a wide visual field even when an image magnification M of an input lens increases.例文帳に追加

インプットレンズの像倍率Ｍを大きくしても広い視野の像が得られる電子分光装置を提供すること。 - 特許庁

A sample for TEM observation employing fringes of equal thickness is obtained even in hexagonal system or orthorhombic system by setting the incident direction of an electron beam normal to face M or A.例文帳に追加

電子線の入射方向をM面あるいはA面に垂直方向とする事により、六方晶や斜方晶においても等厚干渉縞を用いたTEM観察用試料を得る。 - 特許庁

Here n is 1 to 3, M is a 13th group element (such as, B, Al), X an electron-attracting group (such as, OCOCF_3) and Y an oligo-ether group.例文帳に追加

ｎは１〜３、Ｍは１３族元素（Ｂ，Ａｌ等）、Ｘは電子求引性基（ＯＣＯＣＦ_３等）、Ｙはオリゴエーテル基である。 - 特許庁

Since the m surface is a non-polarised surface, unlike the C surface, when regrowing the GaN electron running layer 22 and the AlGaN electron supplying layer 26 with the m surface as a growth surface, a polarised charge of such as piezo charge does not grow on an interface of AlGaN/GaN hetero surface.例文帳に追加

ｍ面は、Ｃ面とは異なり無極性面であるので、ｍ面を成長面として、ＧａＮ電子走行層２２、ＡｌＧａＮ電子供給層２６を再成長させると、ピエゾ電荷等の分極電荷がＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ界面に生じない。 - 特許庁