N IVとは 意味・読み方・使い方

2-MERCAPTO-PYRIDINE-N-OXIDE DERIVATIVE AND OXOVANADIUM (IV) COMPLEX例文帳に追加

２−メルカプト−ピリジン−Ｎ−オキサイド誘導体・オキソバナジウム（ＩＶ）錯体 - 特許庁

METHOD FOR SEPARATING/RECOVERING HIGH-CONCENTRATION U(VI) AND PU(IV) FROM NITRIC ACID SOLUTION USING N,N-DIOCTYL HEXANAMIDE (DOHA)例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジオクチルヘキサナミド（ＤＯＨＡ）を用いて硝酸溶液から高濃度Ｕ（ＶＩ）及びＰｕ（ＩＶ）を分離・回収する方法 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer includes a p-type conductive nitride semiconductor containing group IV impurity atoms as an acceptor, or at least a p-type conductive nitride semiconductor layer containing a group IV impurity as an acceptor and an n-type conductive nitride semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

IV族の不純物原子をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体、又は基板上に、IV族の不純物をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体層と、ｎ型伝導性の窒化物半導体層を少なくとも有する窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

The methods for producing N-[1-(S)-ethoxycarbonyl-3- phenylpropyl]-L-alanine N-carboxyanhydride represented by formula (I) comprise reacting a compound represented by formula (IV) (R is a 1-6C alkyl group) with an acyl group activation reagent and then bringing the resultant substance into contact with water.例文帳に追加

下記式（I）で表されるN−[1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル]−L−アラニン N−カルボキシアンハイドライドの製造方法であって、下記一般式（IV）で表される化合物（但し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基である）をアシル基活性化試薬と反応させた後、水と接触させる工程を含む前記方法及び下記式（IV）で表される化合物。 - 特許庁

This metal complex is a uniform cerium (IV) complex capable of substantially hydrolyzing DNA, comprising cerium (IV) and polyamine-N- polycarboxylic acid or its derivative.例文帳に追加

ＤＮＡを実質的に加水分解する均一セリウム（ＩＶ）錯体において、該錯体がセリウム（ＩＶ）と、ポリアミン−Ｎ−ポリカルボン酸あるいはその誘導体よりなることを特徴とするセリウム（ＩＶ）錯体によって解決された。 - 特許庁

In the formula (1), M is a transition metal or a group III, IV or V element in the periodic table; and (b), (m), (n) and (q) are 1 to 3, 1 to 4, 0 to 8, and 0 or 1, respectively.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

The first region 4g is formed of SiGe having a group IV element, i.e., Si, and a different group IV element, i.e., Ge.例文帳に追加

nチャネルMISFETＱｎのゲート電極４Ｎが、少なくとも２種類の第１及び第２四族元素で形成された第１領域４ｇと第１四族元素で形成された第２領域４ｎとで構成される。 - 特許庁