R-value (insulation)とは 意味・読み方・使い方

This method enables the calculation of the insulation resistance value R without the influence from a resistance value r.例文帳に追加

この手法を用いることにより、抵抗ｒの影響を受けることなく絶縁抵抗Ｒを求めることができる。 - 特許庁

A detection circuit 170 measures the insulation resistance value R on the output side of the voltage conversion circuit 130.例文帳に追加

検出回路１７０は、電圧変換回路１３０の出力側の絶縁抵抗値Ｒを測定する。 - 特許庁

Finally, an insulation resistance value R between a power line 11a and the power line 11b is calculated based on the active components and the reactive components.例文帳に追加

そして、各有効成分、無効成分に基づいて、送電線１１ａ、１１ｂ間の絶縁抵抗Ｒを演算する。 - 特許庁

When the insulation resistance 58B of a piezoelectric element 58 is reduced, the common current I_R is increased, and when exceeding a reference value, a common current limit part 152 is operated to restrict the common current I_R.例文帳に追加

圧電素子５８の絶縁抵抗５８Ｂが低下するとコモン電流Ｉ_Ｒが増加し、基準値を超えるとコモン電流制限部１５２が動作してコモン電流Ｉ_Ｒを制限する。 - 特許庁

In addition, the conductive paint is adopted, and the resistance value and capacitance value thereof are utilized to print a circuit pattern as any one of R (resistor), C (capacitor) and L (coil) on the insulation substrate.例文帳に追加

また、絶縁性基板に、導電性塗料を用いて当該導電性塗料の有する抵抗値及び静電容量値を利用し、Ｒ（抵抗器）、Ｃ（コンデンサ）及びＬ（コイル）のいずれかとして印刷形成する。 - 特許庁

After sensing the electromagnetic wave r radiated by the processing layer 4 when so removing the insulation layer 2 by the laser L as to expose the processing layer 4, the thickness t of the insulation layer 2 are so calculated from the required number of shots of the laser L to remove the insulation layer 2 as to decide the distribution of the thicknesses t of the insulation layer 2 by comparing calculated values with a decision reference value.例文帳に追加

レーザＬによる絶縁層２の除去によって処理層４が露出した時に該処理層４が放射する電磁波ｒを検出して、絶縁層２を除去するのに要したレーザＬのショット数から絶縁層２の厚みｔを算出し、判定基準値と比較することにより絶縁層２の厚みｔ分布を判定した。 - 特許庁

To provide a tunnel-type magnetic detecting element that can make the absolute value of a VCR (Voltage Coefficient of Resistivity) reduced, in particular, when an insulation barrier layer formed of Ti-O can be reduced, and in particular, low RA and high resistance change rate (ΔR/R) can be secured, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

特に、絶縁障壁層をＴｉ−Ｏで形成した際のＶＣＲ（Voltage Coefficience of Resistivity）の絶対値の低減、ならびに、低ＲＡと高抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を確保することが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁