TWRとは 意味・読み方・使い方

Whether the signals can be recorded to their end is determined correctly, on the basis of the times TWR, TWT.例文帳に追加

時間ＴＷＲ，ＴＷＴに基づき、信号を終わりまで記録可能であるか否かを正しく判別できる。 - 特許庁

A distance Lwr between the reading element part 13 and the recording element part 14 in the rotation direction of the magnetic disk 2 is set to a length equal to or shorter than the length of a movement distance V×Twr of the magnetic disk 2 in time Twr necessary for switching of a control system from recording operation to reading operation.例文帳に追加

磁気ディスク２の回転方向における読み取り素子部１３と記録素子部１４間の距離Ｌｗｒは制御系が記録動作から読み取り動作に切り替わるまでに要する時間Ｔｗｒの間における磁気ディスク２の移動距離Ｖ・Ｔｗｒ以下の長さに設定されている。 - 特許庁

A GMR (Giant Magnetoresistive) element of the narrow track width (Twr) can be realized by forming the regions where the magnetization traverse torque is small at both ends of the magnetic layer 2.例文帳に追加

磁化回転トルクの小さい領域を自由磁性層２の両端に形成することにより、狭トラック幅（Ｔｗｒ）のＧＭＲ素子を容易に実現できる。 - 特許庁

When the time TWR is a specified time or below in a ST21, recording areas of the oldest file that is reproduced are released in a ST21 to increase the idle capacity.例文帳に追加

ＳＴ２０で時間ＴＷＲが規定時間以下のとき、ＳＴ２１によって再生が行われた最も古いファイルの記録領域を開放して空き容量を増加させる。 - 特許庁

To disclose technology capable of easily adjusting an operating speed and a tWR (time to write recovery) of a chip by generating a control signal for regulating a potential of an internal power source voltage of an internal circuit when the internal circuit enters into a specific mode for high-speed operation, more detailedly in setting an extended mode register about a semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明は半導体メモリ装置に関し、より詳しくは拡張モードレジスタセッティング時に内部回路を高速動作させる特定モードに進入させる場合、前記内部回路の内部電源電圧の電位を調節する制御信号を発生してチップの動作速度及びtWRを容易に調節することができる技術を開示する。 - 特許庁

A force response control value calculating part B2 calculates a force response control value by using resultant force obtained by adding steering force Th detected by a steering force sensor 32 to a value obtained by multiplying steering reaction force Twr, Twl detected by right and left steering reaction force sensors 34R, 34L by a coefficient β of scale adjustment.例文帳に追加

力応答制御値計算部Ｂ２は、操舵力センサ３２によって検出された操舵力Ｔｈと、左右の転舵反力センサ３４Ｌ，３４Ｒによって検出された転舵反力Ｔｗｌ，Ｔｗｒにスケール調整係数βを乗じた値とを合算した合力を用いて力応答制御値を計算する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which forms an epitaxial layer on an upper portion of an element separating structure of a recess gate area, designs a semiconductor element of an SOI tunnel structure, thereby, reduces an ion implantation concentration in a channel area and can improve characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

リセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁