UV lithographyとは 意味・読み方・使い方

To provide high-temperature and UV imprint lithography, by applying a process for imprinting a pattern-formed template to a medium that can be imprinted in a state capable flowing.例文帳に追加

パターン形成したテンプレートを流動可能な状態のインプリント可能媒体にインプリントするプロセスを適用した、高温およびＵＶインプリントリソグラフィを提供する。 - 特許庁

To select an adhesive which can transmit UV used as a light source for exposure in lithography with slight absorption, does not cause deterioration and degradation due to light and is excellent in adhesive power and to obtain a pellicle for lithography stably usable over a long period of time by tightly bonding a pellicle film to a pellicle frame with the adhesive.例文帳に追加

リソグラフィの露光光源として使用される紫外線を殆ど吸収することなく透過可能で、光による劣化、分解を起こすことなくかつ接着力に優れた接着剤を選択し、それを使ってペリクル膜とペリクルフレームを強固に接着してペリクルを作り、長期間安定して使用することができるリソグラフィ用ペリクルを提供する。 - 特許庁

Pre-cleaning or in situ cleaning of optical components used in a lithography projection apparatus can be made by irradiating the optical components with microwave and/or UV radiation, preferably UV radiation having a wavelength or a range of wavelengths in a range from 1000 cm^-1 to 4600 cm^-1.例文帳に追加

リソグラフィー投影装置において使用する光学部品の予備洗浄または、元の状態にもどす洗浄は、光学部品をマイクロ波および／または赤外線放射線で照射することで行うことができ、１０００ｃｍ^-1〜４６００ｃｍ^-1の範囲の、ある波長あるいは、ある範囲の波長を有する赤外線放射線が好ましい。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition, capable of forming a resist pattern having rectangular profile with high sensitivity and high resolving power in lithography, using far-UV, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength and superior in the focus depth.例文帳に追加

遠紫外線とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するリソグラフィーにおいて、矩形プロファイルをもつレジストパターンを高感度、高解像力で実現し得る、更に焦点深度が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The method is for forming the image of the deep ultraviolet photoresist by using: a top coat composition for a deep uv immersion lithography including a polymer with at least one ionizable group having a pKa ranging from about -9 to about 11; and top coat.例文帳に追加

約−９〜約１１の範囲のｐＫａを有する少なくとも一種のイオン化可能な基を有するポリマーを含む、深紫外線（ｄｅｅｐ ｕｖ）液浸リソグラフィ用トップコート組成物及び該トップコートを利用して深紫外線フォトレジストを像形成する方法。 - 特許庁

To provide a resist composition used for an imprint lithography process, by which fault in a resist pattern can be prevented to improve the durability of a mold for molding a UV curable resin, and to provide a method for forming resist pattern using the same and method for forming an array substrate using the same and an array substrate manufactured using the same.例文帳に追加

インプリントリソグラフィ工程でレジストパターンの不良を防止して、モールドの寿命を向上させることができるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板を提供する。 - 特許庁

The radiation source, which comprises pn junction arranged on a substrate, used for lithography can discharge UV or DUV radiation in such a way that avalanche breakdown is generated by reversely biasing the pn junction, and electrons accelerated in n-type region of the pn junction is decelerated.例文帳に追加

基板上に配置されたｐｎ接合を備えた放射源であって、前記ｐｎ接合を逆バイアスしてなだれ降伏を生じさせ、前記ｐｎ接合のｎ型領域中に加速された電子の減速によってＵＶ放射若しくはＤＵＶ放射を放出させることができる、リソグラフィに使用するための放射源である。 - 特許庁

To obtain a positive photosensitive resin compsn. excellent in resist performance, coating performance, shelf stability of a soln. and safety and not causing the problem of development defects as a chemical amplification type resist compsn. using a polymer having a cycloaliphatic hydrocarbon skeleton and useful for lithography with far UV, in particular ArF excimer laser beam.例文帳に追加

深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光リソグラフィに有用な、脂環式炭化水素骨格を有する重合体を用いた化学増幅レジスト組成物であって、レジスト性能、塗布性能、溶液の保存安定性、安全性に優れ、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁