V-P-Bとは 意味・読み方・使い方

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

A virtual extension PL is presumed extending from the viewpoint position V(i) to the virtual plane B(i) through the selected one pixel P(j, k).例文帳に追加

次に視点位置Ｖ（ｉ）から選択した１つの画素Ｐ（ｊ，ｋ）を通って仮想面Ｂ（ｉ）まで延びる仮想延長線ＰＬを想定する。 - 特許庁

The antioxidant comprises as its active ingredients a plant such as F. erecta, F. pumila, F. microcarpa, M. astralis, F. vulgare, P. japonicum, A. japonica, B. falcatum, E. sonchifolia, A. campestris, A. princeps, Y. japonica, B. pilosa, C. crepidioides, C. chinense, T. tetragonioides, H. cordata, V. marina, R. sativus, C. depressa, I. aquatica, V. yeoensis, C. citrates, G. carolinianum, J. effuses, S. nigrum, S. biflorum, C. inerme, S. dichotoma, V. rotundifolia, L. camara, L. wrightii, A. platanifolium, P. asiatica or the like, and/or treated matter thereof.例文帳に追加

イヌビワ、オオイタビ、ガジュマル、シマクワ、ウイキョウ、ボタンボウフウ、ハマウド、ミシマサイコ、ウスベニニガナ、リュウキュウヨモギ、ニシヨモギ、オニタビラコ、タチアワユキセンダングサ、ベニバナホロギク、モクビャッコウ、ツルナ、ドクダミ、ハマアズキ、ハマダイコン、ヒラミレモン、ヨウサイ、リュウキュウコスミレ、レモングラス、アメリカフウロウ、イ、イヌホウズキ、メジロホウズキ、イボタクサギ、チリメンナガボソウ、ハマゴウ、ランタナ、ウコンイソマツ、ウリノキ、オオバコ等の植物及び／若しくはその処理物を有効成分として含有するものである。 - 特許庁

A check valve B for preventing a back flow and an auxiliary compressed air throw-in part 15 for throwing auxiliary compressed air into the transport pipe P directly downstream from the check valve V are provided in the midway of the transport pipe P.例文帳に追加

輸送管Ｐの途中には、逆流防止用の逆止弁Ｖと、その逆止弁Ｖの直下流の輸送管Ｐ内に補助圧縮空気を投入する補助圧縮空気投入部１５とを設ける。 - 特許庁

The moving direction is informed by determining an advancing condition of a phase, because an obtained photoelectric signal is shifted by 1/4 of period by shifting the slit gratings 16a, 16b by (1/4)p along the moving direction, so as to generate alternating current signals A, B having V/p of frequency to a moving speed V.例文帳に追加

スリット格子１６ａ、１６ｂを移動方向に（１／４）ｐずらしておくことにより、得られた光電信号は１／４周期ずれ、移動速度Ｖに対してＶ／ｐの周波数の交流信号Ａ、Ｂを発生するので、この位相の進みを判別して移動方向を知る。 - 特許庁

A boron phosphide(BP) based semiconductor, containing boron(B) as a group III element and phosphorus(P) as a group V element, and having a forbidden band width of 2.8 eV-3.4 eV under room temperature is further added with a group V element, especially nitrogen(N), having electrical negativity which is different from that of phosphorus(P).例文帳に追加

第ＩＩＩ族元素として硼素（Ｂ）を含みかつ第Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む、室温での禁止帯幅を２．８エレクトロンボルト（ｅＶ）以上３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）系半導体に、さらにリン（Ｐ）と電気陰性度を異にする第Ｖ族元素、特に窒素（Ｎ）を添加する。 - 特許庁

Further, this overlaying copper alloy powder, excellent in cladding and wear resistance, may additionally contain ≤5% Mo, ≤2% B, ≤2% P, and ≤4% V.例文帳に追加

また、上記合金にに加えて、さらに、Ｍｏ：５％以下、Ｂ：２％以下、Ｐ：２％以下、Ｖ：４％以下を含むクラッド性および耐摩耗性に優れた肉盛用銅合金粉末。 - 特許庁